随笔分类 - 电子器件
MOSFET栅极损耗计算
摘要:博客园编写文字的大小和颜色啥的不能调整真的很麻烦 计算MOSFET栅极损耗之前先看一下RC充电电路 在下面的推导中,计算了电阻上消耗的能量,电容最终存储的能量。推导公式一般的电路书的一阶电路中应该都会有。 最终发现RC电路中,电阻上消耗的能量等于电容上存储的能量,既就是电源需要提供两倍的能量才能给电
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MOSFET上电启动
摘要:最近看了一下mosfet的东西,写一下mosfet上电启动过程,mosfet为增强型nmosfet 开启 在分析之先了解一下MOSFET的一种模型, MOSFET上电启动波形 下图为理想上电过程 首先从起始到终止的角度来说: 项目 初始 终态 Vgs 0 Vgs Vds Vdd 0 Vgd -Vdd
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杂散电感对二极管反向恢复期间影响_LTSPICE
摘要:前言 二极管两端不加电压的时候本身就存在空间电荷区. 当二极管接正向电压,空间电荷区被削弱,二极管正向导通. 当二极管接反向电压,空间电荷区顺势增强,极大的阻碍了载流子移动,此时二极管截止. 那么当二极管由正向导通转变为反向导通,空间电荷区从被削弱状态到空间电荷区变得更宽,就会产生一个反向恢复电流,
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三极管导通与工作状态
摘要:三极管有三个极分别是: 基极(base):B 集电极(collector):C 发射极(emitter):E 可以理解为两个二极管的反向串联:(话不多说,直接上图) 实际上两边的厚度不一样, 很多控件都是改变载流子浓度实现特殊功能. 这里有个小 tip 判断管子类型 : 箭头永远由 P 指向 N ,
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浅谈三极管的导通
摘要:三极管有三个极分别是: 1. 基极(base):B 2. 集电极(collector):C 3. 发射极(emitter):E 可以理解为两个二极管的反向串联:(话不多说,直接上图) 实际上两边载流子浓度不一样, 还有诸多控件都是控制载流子分配实现不同功能. 这里有个小 tip 判断管子类型 : 箭
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