高斯定理#
公式:
∯→E⋅→S=Qε0 (电场)
∯→B⋅→S=0 (磁场)
公式意义:将闭合曲面的磁场和曲面内部电荷量联系起来
无限大平面电场强度#
设无限大平面电荷面密度为 σ
取一个被此无限大平面横截的圆柱为高斯面
易分析出无限大平面所产生的电场应该是垂直平面的,因此侧面和磁场积出来为 0 ,只需考虑两底面
设两底面的面积分别为 S
∯→E⋅→S=Qε0
2ES=Sσε0
E=σ2ε0
球体电场强度#
设球体带电量为 Q ,球体半径为 R
取一个和球体同球心的球面为高斯面,球面半径为 r
球体的电荷体密度 ρ=3Q4πR3
分两种情况:
r≤R :
∯→E⋅→S=Qε0
4πr2E=4πr33ρε0
E=Qr4πR3ε0
r≥R
∯→E⋅→S=Qε0
4πr2E=Qε0
E=Q4πr2ε0
且根据这个我们可以推导出电势(取无穷远处为势能零点)
还是分两种情况:
r≥R
U=−∫R∞Q4πr2ε0dr
U=Q4πrε0
r≤R
U1=Q4πRε0
U2=−∫rRQr4πR3ε0dr=Q(R2−r2)8πR3ε0
U=U1+U2=3Q8πRε0−Qr28πR3ε0
无限长直线电场强度#
首先同平面易分析出电场方向辐射状分布
以该直线为圆柱中心轴取一个圆柱作为高斯面
设直线的电荷线密度为 λ ,取的圆柱的半径为 r ,高为 h
∯→E⋅→S=Qε0
2πrhE=hλε0
E=λ2πrε0
毕奥萨伐尔定律#
公式:dB=μI→dl×→er4πr2
无限长直导线磁场强度#

l=dtanα
dl=dcos2α
→dl×→er=erdlsin(π2+α)=dlcosα=dcosα
r=dcosα
dB=μI→dl×→er4πr2=μI×dcosα×cos2α4πd2=μIcosα4πd
B=∫π2−π2μIcosα4πd=μI2πd
通电圆环中轴线处磁场强度#
中轴线上不同点都满足 →dl⊥→er ,且不同点之间只有 r 不同而 r 很好求,所以我们只以圆心为例

→dl×→er=dl
dl=dα2π×2πr=dαr
dB=μI→dl×→er4πr2=μIdα4πr
B=∫2π0μIdα4πr=μI2r
欧姆定律#
公式: →j=σ→E
语言描述:电流密度=电导率乘电场强度
宏观欧姆定律证明#
设电阻长度为 l ,横截面积为 S ,电阻为 R ,通过电流为 I ,电压为 U
→j=σ→E
→jS=→El×σSl
I=U×1R=UR
气体压强和气体分子平均速度#
公式:
设 n 为单位体积分子数, m 为气体分子质量, M 为摩尔质量, v 为分子方均根速率
P=FS=16×2mv×nSvΔtSΔt=13mnv2=23nεk
P=nkT=13nmv2→v=√3kTm=√3RTM
挖坑:自由度(填坑时间未知)
洛伦兹变换#
设参考系 S′ 相对参考系 S 以 v0 速度沿 x 轴正方向运动, t=0s 时两参考系原点重合
首先因为光速在任意参考系中的速度不变,所以不能用传统的伽利略变换
设有一束光照射, ts 后照射到 S 坐标系的 (x,y,z) ,照射到 S′ 坐标系的 (x′,y′,z′)
有以下两个方程:
x2+y2+z2=c2t2
x′2+y′2+z′2=c2t2
然后伟大的数学家洛伦兹给出了线性变换,怎么做的可以联系安倍晋三让他帮你问问
β=v0c
γ=1√1−β2
x′=γ(x−v0t)
y′=y
z′=z
t′=γ(t−v0c2x)
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