【转】一种基于NMOS三极管的双向电平转换电路设计
T1、T2为分立的NMOS三极管,s为源极,d为漏极,g为栅极。Rp为上拉电阻,一个连接在s,g之间;另一个连接d与VDD2。g端连接VDD1。电路工作时,要求VDD1<VDD2。
根据NMOS三极管的阻抗特性,我们知道当Vds>0,Vgs>VT时,Rds即s,d两端的电阻非常小,反之电阻非常大。S,d之间有一个等效二极管,当三极管正常工作时,Vds>0,这个管子处于反偏状态。而当s端电平高于d端时,这个二极管就会导通。
先讨论信号从左边向右边传输的过程。
当SDA1为高时,s端电平为VDD1,Vgs=0,ds端高阻。此时d端电平由VDD2上拉,SDA2输出也为高。
当SDA1为低时,s端电平为0,Vgs>VT,sd端导通,d端被拉低,SDA2为低。
再说从右向左的过程。
高电平过程如上,不再赘述。
当SDA2为低时,d端为0,s端由于上拉为VDD1,所以Vsd>0,二极管导通,把s端拉为低,又导致Vgs>VT,使得sd导通。
优点
系统简单,可以实现双向传输,电平适应范围大。
缺点
如rp和NMOS管选择不当,延时较大。
posted on 2015-08-26 15:28 jianqi2010 阅读(1386) 评论(0) 编辑 收藏 举报