【转帖】内存知识大全
内存是主板上重要的部件之一，它是存储CPU与外围设备沟通的数据与
程序的部件。在主机中，内存所存储的数据或程序有些是永久的，有些是暂时的，所以内存就有不同形式的功能与作用，而且存储数据的多少也关系着内存的容量大
小，传送数据的快慢也关系着内存的速度，这些都跟内存的种类与功能有关。现将内存重要的分类介绍如下：
内存的品牌
内存有许多不同的品牌，这些不同的品牌加载于主板上，它们的排列组合就关系着主板的性能和整个系统的稳定性。除了CPU、主板外，内存是一个关键的部件。 每家厂商对于内存的规格、容量以及电路的特性都有不同的要求，所以对于在主板上使用的内存是否有不良的反应都应留意，尤其是高容量、高速度、新规格的内 存，在选用时更应注意其特性，现将世界各国生产内存的厂商列出如下
★日本系列： Panasonic（松下）代号：MN
NEC（日本电器）代号：MC
Mitsubishi（三菱）代号： MH
Fujitsu （富士通）代号：MB
Hitachi（日立）代号： HM
Toshiba （东芝）代号： TMM
OkI（冲电气）代号：MSM
Sharp（夏普）代号： LH
Sanyo（三洋）代号：LC
Seiko（精工）代号：SRM
Sony（索尼）代号：CXK
★美国系列： Motorola （摩托罗拉）代号：MCM
NS（国民半导体）代号： NS
TI（ 德州仪器）代号： TMS
Micron（美光）代号：MT
AMD（美国超微）代号： AM
Performance 代号：P
IDT（艾迪特）代号：IDT
★欧洲系列：Semens（德国西门于）代号：Semens
SGS（意大利汤拇逊）代号：T
★台湾系列：联华 代号： UMC
茂矽 代号：Mosel（MX）
德基 代号： Texas
矽成 代号：Is
华邦 代号：Winboard
华撇隆 代号：HMC
★韩国系列： Samsung（三星）代号：KM
Goldstar（金星）代号： GOldStar
Hyundai（ 韩国现代）代号： HY
两种内存新技术动态
为了充分挖掘内存中更多的性能，几种内存新技术正进入高档微机。这些新内存的特点是：
1.EDO DRAM 方案
EDO（Extend Data Out,扩充数据输出）DRAM是一种操作效率更高的单周期内存，它在CAS周期处延迟数据的滞留，因为可维持更长的数据有效时间，这样无需拓宽数据总线也增加了带宽。
EDO内存是目前奔腾机中运用最多的一种内容，这种内存在工作时，允许CPU高效地用上次访问的尾部覆盖某次内存访问的首部；单个内存访问并没有更快，但一连串内存访问的完成时间比标准的快页模式DRAM要少。
2、同步高速内存
我们常说的高速缓存一般采用异步SRAM，它的访问速度相对DRAM来说已大大提高了，但相对CPU来说仍较慢。目前，有一种更新的同步SRAM的高速缓 存出现在奔腾机的主板上。例如，在120MHz和更快的奔腾微机的主板上，均采用了Intel的Triton芯片组，该芯片组支持一种称为流水线突发 （pipelined burst）高速缓存的特殊同步高速缓存，其中访问速度大大地提高。
除了上述两种新技术外，还有新型的同步DRAM技术和RambusDRAM的系统，这种技术采用25OMHz时钟速度极快地传送大批突发数据。
内存的速度
内存的存取速度关系着CPU对内存读写的时间，所以不同型号规格的内存就有不同的速度，如ROM就有27010-20，27010-15等不同的速度。 DRAM也有411000-7、411000－6等不同的速度，这些编号后面的20代表200ns，-15代表150ns，-7代表70ns，-6代表 60ns，所以RAM的速度比ROM的速度快很多。当电脑一启动时，把BIOS RoM中的程序拷贝至DRAM内，以后CPU直接与较快的DRAM联络即可，这就是我们所谓的ShadowRAM。
内存有它不同的规格和速度，在不同电路、不同设备也有不同的单位，现将它的应用说明如下：
ms， Milli Second（毫妙）
us： Micro Second（微秒）
ns： Nano Second （纳秒）
数据的传送速度：
以ms为单位，如硬盘的平均存取速度17ms、12ms等。
以us为单位，如DRAM每隔15us更新充电一次。
以ns为单位、如内存的存取速度：
RAM： 41256-8，8即表示80ns。
411000-7，7即表示70ns。
411000-6，6即表示60ns。
ROM： 27256-20， 20即表示200ns。
27512-15，15即表示150ns。
常规内存（Conventional Memory）
常规内存在内存分配表中占用最前面的位置，从0KB到640KB（地址000000H～109FFFFH），共占640KB的容量。因为它在内存的最前面 并且在DOS可管理的内存区，我们又称之为Low Dos Memory（低DOS内存），或称为基本内存（Base Memory），使用此空间的程序有BIOS操作系统、DOS操作系统、外围设备的驱动程序、中断向量表、一些常驻的程序、空闲可用的内存空间、以及一般 的应用软件等都可在此空间执行。由此可见，在DOS下的应用程序及其操作系统，挤在如此狭窄拥挤的空间里，640KB的容量已经不够使用，这是因为最早使 用的CPU是8088，其寻址的地址信号线只有20条线，能够寻址的空间只有lMB，也就是祖先留下的祖产不多，受到先天硬件CPU寻址的限制。因此在规 划内存给各个系统以及DOS下的一些套装应用软件使用时，在先天内存不足环境下，“省吃俭用”来分配这点内存， MS-DOS可以控制和管理1MB的内存空间，常规内存占了640KB，其他的384KB保留给BIOS ROM及其他各种扩展卡使用。这640KB的常规内存基本上分两部分，一部分给各种不同的操作系统程序使用，另一部分给数据、程序的使用。 上位内存（UMB）
UMB是英文Upper Memory Block的缩写，是常规内存上面一层的内存（64OKB～1024KB），我们又称之为DOS高端内存（地址为0A0000H～0FFFFFH）。由于 PC的老祖先把DOS使用的内存限定在640KB的框框里，所以大家都想尽办法要突破640KB的紧箍罩以摆脱640KB的限制，让DOS的一些程序摆脱 640KB藩篱。在DOS可以控制的1MB内存空间中，常规内存占了640KB，其余的384KB的上位内存（UMB）保留给BIOS ROM、显示卡和其他各种扩展卡使用，但是还有一些保留空间未使用，所以在DOS 5.0以上的版本，即有突破640KB的能耐，允许使用常规内存上面的384KB的上位内存UMB（地址0A0000H～OFFFFFlH），但是要超越 传统的640KB，必须有一些条件和操作，其条件和操作如下：
◎386以上的电脑和384KB以上的扩展内存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎CONFIG.SYS设置Devuce=C:＼DOS＼HIMEM.SYS（扩展内存XMS驱动程序）。
◎CONFIG.SYS设置Device=C:＼DOS＼EMM386．EXE， NOEMS（扩充内存EMS模拟驱动程序）。
◎CONFIG.SYS设置DOS=HIGH，UMB。
高端内存区（HMA）
HMA是英文High Memory Area的缩写。它是1024KB至1088KB之间的64KB内存，称为高端内存区，其地址为100000H～1OFFEFH或以上，CPU在实地址模 式下以Segment:OFFSET（段地址：偏移量）方式来寻址，其寻址的最大逻辑内存空间为（FFFF：FFFF），即10FFEFH，此已超过 8088 CPU的20条线所能寻址的lMB的上限，故286CPU的地址线有24条，只要把A20地址信号线的“逻辑门”打开，即可使用此64KB范围的内存，这 段内存乃在实地址模式下。一般说HMA是64KB，其实是指lMB以上至我们现在CPU所能寻址的广大空间4GB，它们都称为高端内存区（HMA），如何 去打开A20地址线（A20Gate，逻辑门）以上的内存，只要在DOS5.0或以上版本中使用扩展内存驱动程序，其操作如下：
在CONFIG设置驱动程序：
◎286以上的电脑和lMB以上的内存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎Device＝c：＼DOS＼HIMEM.SYS（扩展内存XMS驱动程序）。
◎DOS=HIGH
◎打开A20地址线， A20Gate（逻辑门）=1，即可寻址lMB内存以上的空间。
◎A20地址线没有打开， A20 Gate＝O，不能寻址lMB内存以上的空间。
◎A20 Gate信号由软件驱动键盘BIOS 8042或芯片组产生。
EMB是英文Extended Memory Block（扩展内存块）的缩写，扩展内存是指lMB以上的内存空间，其地址是从100000H开始，连续不断向上扩展的内存，所以把这种内存称为
EMB（Extended Memory Block）。扩展内存取决于CPU的寻址能力， 286 CPU可寻址到16MB, 386 CPU以上至Pentium II CPU可寻址到4GB。但是，有些主板上芯片组的实际地址译码电路并没有设计为可寻址那么大的地址空间（现在内存控制器有的在CPU芯片中了，不在北桥中 了。会跳过地址译码电路由CPU直接寻址控制？？？？），如286 AT的主板上最大寻址空间只到4MB，Pentium系列主板目前的最大扩展内存也只到1GB，距实际CPU的寻址空间还有一段距离。对于这些扩展内存， 由于超过了DOS的寻址范围，并不能直接被实地址模式的BIOS或DOS操作系统所使用，只能用于存放数据，除非使用了DOS的扩展器 （DOSExtender），或使用Windows3.1/Windows 95/Windows NT/OS2等，在保护模式下供不同操作系统使用。要使电脑主机能使用扩展内存，还需要一些扩展内存驱动程序（XMS）来加以驱动和设置，其驱动程序是 DOS5.O以上的版本或Windows所附带的HIMEM.SYS，其在CONFIG.SYS下设置为：
◎Device=C:"DOS"HIMEM.SYS。
◎扩展内存是lMB以上连续的内存。
◎进入扩展内存程序，必须在保护模式下。
◎进入扩展内存，必须先打开CPU的A20逻辑门，使内存寻址连续。
◎在主板由键盘BIOS 8042的A20逻辑门信号输出或芯片组来打开。
◎A20逻辑门信号是实地址模式和保护地址模式的切换开关。
◎执行驱动扩展内存，在实地址模式有64KB高端内存的扩展。
◎扩展至顶端的最大内存，对DOS而言，只能存放数据。
扩充内存（EMS）
EMS是英文Expanded Memory Specification（扩充内存规范）的缩写，是由LOtus／Intel/Microsoft三家公司制订。扩充内存是利用1MB内存中64KB 的内存区，此内存区为连续的4页，每页为16KB的实际页内存，它们映射（Memory Mapping）到EMS卡上广大空间的逻辑页内存， EMS 4.0版本驱动程序其映射的内存区为1MB内任意大小的内存，映射的扩充内存空间为32MB，这是另一种扩充内存的方法。一般我们常用比较方便的 DOS5．0以上版本，在386 CPU以上有虚拟86和分页的能力，在EMS Emulator模拟程序的控制下，使用扩展内存的广大空间来作为映射的内存，其驱动程序和操作如下：
◎主板和CPU为386CPU以上有虚拟86及4KB分页的能力。
◎使用扩充内存驱动程序（EMS），必须先执行扩展内存驱动程序（EMS）。
◎使用DOS 5.0以上版本，有EMS Emulator扩充内存模拟程序EMM386.EXE的程序来实现主板上扩展内存的映射。即在CONFIG.SYS设置：Device=C:"DOS"EMM386.EXE
◎扩充内存是非连续性的内存，它是用DOS内存的存储体开关（Bank Switch）分页切换映射到EMS的内存空间。
闪速存储器
什么叫闪速存储器（Flash Memory），闪速存储器是目前取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性（永久性）的存储器，目前大部分586主板的BIOS都使用闪速存储器，因为闪速存储器具有以下各项优点：
◎具有较快的速度（70ns-200ns）。
◎有节能的管理（Auto Sleep和Standby），低功率和低工作电压的功能。
◎更新数据方便，不须清除即可更改数据。
◎可由硬件或软件来控制数据的保护。
◎在电脑外围设备和通信设备中广泛应用。
◎目前586电脑使用容量为1MB（bit）的闪速存储器，686电脑使用容量为2MB（bit）的闪速存储器。
DRAM内存
DRAM是英文Dynamic RAM的缩写，其意思是动态随机存取内存，它是目前主板上使用的主要内存，因为它的集成度高，较小的体积即可获得较大的容量，而且价格低，所以是目前最常 使用的内存。一般主机的内存容量即为DRAM的容量，虽然DRAM内存有容量大，价格低的优点，但是它也有缺点，主板必须有一个刷新电路与之相配合，对它 的存储数据作刷新的操作，否则它的数据就会消失，因为它内部存储的数据是靠电容的充电来保存的，而电容会放电，故每隔一段时间就要对DRAM进行刷新（充 电，预充电时间）。这种刷新操作会影响CPU对DRAM内存存取的效率，DRAM因为是主板主要使用的内存，所以主板在特性和内部的电路也作了一番改进， 使之支持不同功能的DRAM。现将DRAM的特点归纳如下：
◎优点：集成度高，相同的体积可获得较大容量，价格便宜。
◎缺点：主板必须要有一个刷新的电路，这会影响CPU对DRAM内存的存取，影响CPU的工作效率。
◎DRAM使用的系统：
○作为CPU与主要数据的暂时存取的内存。
○作为CPU与外围设备显示卡数据的缓冲器或其他家电设备的内存。
SRAM存储器
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静志存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对 DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较，相同容量的DRAM内存可以设 计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？
一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为 了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量 较大的主存。现将它的特点归纳如下：
◎优点，节能、速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
◎缺点，集成度低，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统：
○CPU与主存之间的高速缓存。
○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。
PB（Pipeline Burst，流水线突发式）SRAM
提高主机系统性能的方法除了更换速度较快、频率较高的主板、CPU以及扩充增加一些主存外，就是要使用支持PB SRAM芯片组的主板，什么叫PB SRAM？它是一种SRAM存储器，也是一种高速缓存（Cache Memory）。它是主板上使用的速度较快的高速缓存，是一种在材质和电路工艺改进的SRAM。根据测试结果，可以给CPU超频两极，较少的费用可以获得 较佳的性能。传统长方形的异步SRAM，其工作电压为5V，为以前486主板所使用，由于速度容量的限制，已无法满足现在快速CPU的需求，现已淘汰不 用。现在的主板都用速度较快，容量较大的同步PB SRAM，其工作电压为3.3V，其形状为较大的四方形，一般PB SRAM在主板上有两种规格。 ○一种是PB SRAM芯片组固定在主板上，一般为256KB或512KB，为现在大部分的主板采用。
○另一种是PB SRAM模块的方式，插在主板PB SRAM的插槽上，一般我们称之为COAST（Cache On A stick）插槽，由于主板的品牌和规格不同，它们安装的方法和注意事项也不尽相同。这种高速缓存在较新的主板上已淘汰不用。度较快，有的传送速度较慢， 其中RAM的速度就比ROM的速度快，主存RAM的速度一般为50至70ns，而ROM的速度则为150至200ns，所以在主机系统的BIOS Setup（BIOS设置程序），就设置有所谓ShadowRAM的操作。电脑启动时，系统就会把主机系统的BIOSROM或VGA卡上的 VideoBIOS ROM程序全部载入DRAM内存中，并且将存储有这些程序的内存区改为只读状态。以后凡是CPU要执行系统BIOS中的程序或Video BIOS中的程序，都会自动转至速皮较快的Shadow RAM中执行，如此即可加快CPU的处理速度和屏幕图像的显示，一般电脑一启动，系统即会自动将BIOS ROM和Video ROM设置为Shadow的操作，以加快系统的速度。动态DRAM内部的数据是靠电容特性存储的，但电容会放电，所以使用动态DRAM内存就需要有数据刷 新（Refresh）时钟的电路，在几个ms之内必须对DRAM完成充电，否则动态DRAM内存内的数据就会因放电而丢失。因此，动态内存内部结构就好像 一个会漏水的茶壶，假如不在一个固定的时间去加水添满的话，里面的光（数据就会消失）。在PC标准的电路里是每隔15 us即充电一况在4ms之内完成整个充电操作。由于CPU的速度越越快，使得DRAM的速度越来越跟不上CPU的处理速度，所以CPU必须增加儿个等待周 期，让DRAM刷新充电以后再继续工作，如此势必影响CPU的工作效率，故在AT时代的主板则有交替（Interleave）刷新DRAM内存的设计，即 主板必须至少有两组存储休（Bank），当一个存储体供CPU存取数据时，另一个存储体就进行数据刷新，如此才不会牺牲CPU的工作效率。另一种方式为 DRAM Page Mode（DRAM页面模式），一般在CPU对DRAM进行读写的一个周期中，我们只能对一个地址进行存取，但是，采用页面模武是将内存的列地址固定，而 连续改变内存的行地址，如此可得到一个连续地址的页区块内存，而使CPU能够存取范围较大的数据，而达到CPU快速存取数据的目的。另外，改进DRAM数 据读写周期的触发电路和材质，采用具有较佳节能特性的动态内存，在CMOS的设置中对DRAM的刷新周期进行一番调整，延长对DRAM刷新充电的时间周 期，减少对CPU操作的干扰，这都是增加CPU工作效率的方法。所以，要使内存系统发挥其性能，一方面是延长刷新的时间，另一方面是改进DRAM本身的电 路和材质，提高速度，如此内存才能跟上速度一直在倍增的CPU。 在我们的主板上除了有主要的内存外，还有高速缓存。顾名恩义，高速缓存最主要的目的是提高CPU与内存之间数据的传送速度，所以高速缓存在电路的设计上， 则置于CPU与主存DRAM之间。当CPU从外围设备读取数据时，经CPU加以处理，再将数据写入主存DRAM中，在写入过程中路经高速缓存，此时会将写 入主存DRAM的地址记录在TagSRAM（标记SRAM）内，并将刚才写入主存DRAM中的数据拷贝一份至高速缓存的SRAM内，以备CPU下次就近取 用，而不必到较远的DRAM中读取，如此即可加快CPU的存取速度。目前主板高速缓存的规格有256KB和512KB两种容量，购买时应根据当时的价差选 购。
主板的高速缓存其容量只有256KB或是512KB，再扩充的容量还是有限的，要把主存几十MB的数据全部拷贝过来是不可能的，因此高速缓存还是无法取代 主存的地位，所以只有把经常要读写的数据拷贝到高速缓存内，但是CPU要存取的数据是否在高速缓存内呢？那就涉及到CPU对高速缓存读写的命中率（Hit Ratio）当CPU要读取主存中的数据时，检查高速缓存系统的Tag SRAM的地址数据，当高速缓存内有一份所需的数据时，高速缓存总线的仲裁电路就会将高速缓存系统的大门打，让CPU直接到高速缓存系统中存取数据， CPU就近取村，即可快速存取所要的数据。但是，假如CPU所要存取的数据并不在高速缓存中时，高速缓存总线的仲裁电路就不会将高速缓存至统的大门打开 CPU只有跑到比较远的主存，根据数据的地址去存取所需要的数据了。 Tag SRAM
什么叫Tag SRAM，即标记的静态随机存取存储器，它是在高速缓存系统中配合高速缓存的附加SRAM，它也是高速缓存，只是用在高速缓存电路中记录地址数据，当 CPU要读取主存某一个地址中的数据时，会先到高速缓存电路中去寻找，对高速缓存系统的Tag SRAM所记录的地址数据进行搜寻和对比，当高速缓存内也存有此地址的数据时，高速缓存总线的仲裁控制电路即将数据读取传回CPU，若对比Tag SRAM记录的地址数据而找不到此数据的地址时，CPU就会到主存读取数据。
当CPU要往主存写入某一个地址的数据时 ，到主存写入数据，然后再到高速缓存电路，对比高速缓存系统的Tag SRAM所记录的地址，当高速缓存内也存有此地址的数据时，则更新高速缓存内的数据以保持主存与高速缓存数据的一致性。对比高速缓存系统Tag SRAM所记录的地址是否为CPU所需读取数据的地址，对应了高速缓存内数据读取的机率，即所谓的命中率（Hit Ratio），命中率的多少要看高速缓存容量的大小、电路的设计、以及执行程序数据的内容，这些都与高速缓存的命中率有关。
内存的ECC
什么叫内存的ECC， ECC是英文Error Check ＆Correct的缩写，其中文的意思是“差错检查与纠正”，是目前功能较强、价格较高的芯片组才支持的功能，如Pentium的8243OHX的芯片 组、Pentium II的8244OFX/82440LX／82440BX等芯片组，这些芯片组支持内存ECC校验功能。
ECC的功能不但使内存具有数据检查的能力，而且使内存具备了数据错误修正的功能，以前奇偶校验的是8比特（bit）的数据，用一比特的奇偶校验位来检查 数据的正确性，但是具有ECC功能的内存则用4比特来检查8比特的数据是否正确。当CPU读取时，若有一个比特的数据错误，则ECC内存会根据原先存在四 个比特中的检测比特，定位那个比特错误，而且会将错误的数据加以校正。这种DRAM内存在整个系统中较稳定，一般用于局域网络的文件服务器，或 Internet的服务器，当然其价格也较贵。
如何进行内存的奇偶校验
内存的奇偶校验（Parity Check），在主机系统中，它是对内存和数据读写的一种检查电路，检查写到主存的数据与读取的数据是否相符，假如不符，则通过对CPU强制中断（NMI）的电路，通知CPU死机。
当CPU把数据写入主存时，同时也会把数据送到奇偶校验位产主器/检查器（74280）来加以计算，74280这个芯片是一个9位的奇偶校验位产生器，但 也是一个检查器，其实它的主要功能是负责把从CPU输入到DRAM内存的H信号（高电平信号，即“1”信号）加起来看是偶数个“1”还是奇数个“1”，再 从它的Even（偶）或Odd（奇）脚输出，此输出的信号就是奇偶校验位（Parity bit）。当CPU把8个比特的数据写入主存时，同时经奇偶校验位产生器加以计算，计算的结果假如是偶数个“1”，则奇偶校验位为”1”假如是奇数个 “1”，则奇偶校验位（Parity bit）则为L信号（低电平，即”0”信号），把此奇偶校验位送到第9块内存芯片暂存起来，也就是说，写入数据的时候是产生奇偶校验位（Parity bit），不进行奇偶校验位的检查（Parity Check），因为没有对比检查的机会，所以写入时产主的奇偶校验位可能是“1”，也可能是“0”，在PC AT的电路里，当CPU对主存读取时，则此8个比特的数据在与刚才第9块内存芯片所存储的奇偶校验位相加起来，所得的答案应该为奇数个“1”（即奇校验电 路的校验位=“0”），假如是偶数个”1”则启动奇偶校验检查电路，经NMI电路通知CPU死机。所以奇偶校验位的检查（Parity Check）是在读取数据的时候产主，因为只有在读取的时候，才能对比刚才所写入内存的数据有没有错误。
奇偶校验电路可以分两种检查，一种是奇校验检查，一种是偶校验检查，在PC主机电路里是奇校验检查，即读取的时候，奇偶校验位（Parity bit）的Even输出应为“0”，假如奇偶校验位是“1”的话，即产生奇偶校验位错误（Parity Error），然后经NMI电路通知CPU死机，检查时因每一个奇偶校验位产生器/检查器（74280）芯片只能检查8个比特，看看您的CPU是几个比特 的，则就有几组74280， Pentium CPU的主机有8个7428O，但现在全部被缩编在芯片组里，故以一组来说明奇校验与偶校验检查的工作原理。
奇校验检查：
◎CPU把数据写入内存时仅产生奇偶校验位，不作奇偶校验位检查。
CPU写入数据时（8bit），经奇偶校验位产生器把8个比特（bit）加起来，计算的结果：
○有偶数个“1”，则奇偶校验位=1。
○有奇数个“1”则奇偶校验位＝0。
○将奇偶校验位（Parity bit）存在第9个内存芯片内。
◎CPU读取内存数据时，此时与刚才写入数据进行对比，进行奇偶校验位检查。
○刚才写入的数据有偶数个“1” 加上存储在第9个内存芯片中的奇偶校验位=“l”，再经奇偶校验位检查器和逻辑电路的计算，Even接脚的输出应为奇数个“1”，即奇偶校验位为“0”。
○刚才写入的数据有奇数个“1”加上存储在第9个内存芯片的奇偶校验位=“0”，再经奇偶校验位检查器和逻辑电路的计算， Even接脚的输出还是为奇数个“1”， 即奇偶校验位为“0”。
○所以无论刚才写入的数据有偶数个“1”还是有奇数个“1”读取的时候都是为固定的奇数个“1”，假如为偶数的话，则系统产生一连串的操作，通知CPU死机。
◎目前大多数主板都支持没有奇偶校验位的DRAM内存，系统的BIOS会锁定（Disable）奇偶校验功能，比较新的BIOS会自动检测主板的DRAM内存是否有奇偶校验位。
◎奇校验：D0～D7加起来有奇数个“1”，由74280Even接脚输出“0”作为校验位。
◎偶校验： D0～D7加起来有偶数个“1”，由74280Odd接脚输出“1”作为校验位。
◎奇校验检查：读取数据时，D0～D7再加上奇偶校验位由74280计算结果，如果共有奇数个“1”，则Even接脚输出“0”，Odd接脚输出“l”。若为偶数个“1”。则Even接脚输出“1”， Odd接脚输出“0”。
◎偶校验检查读取数据时， D0～D7再加上奇偶校验位由74280计算结果，如果共有偶数个“1”，则Even接脚输出“1”，Odd接脚输出“0”。若为奇数个“l”，则Even接脚输出“0”Odd接脚输出“1”。
不同主板如何使用无奇偶校验（Non-Parity）的内存
主板的功能和内存的结构一直在改进，所以在更新或扩充主板和内存的时候，就会碰到主板的CMOS Setup设置程序是否具有设置Parity Check Enable/Disable（偶校验启用／禁用）的功能，只有386或486的主机才有这种设置，因为586以上主板的BIOS大部分都已有自动检测内 存是否具有奇偶校验位的功能，所以当您的386／486在更新或扩充的时候就要考虑是否能使用无奇偶校验（Non-Parity）的内存。有些主板的 CMOS Setup设置程序没有这种设置，就无法使用这类内存，一般此种内存大部分是30 Pin的，因为72 Pin的内存已大部分用于后期的486或是较新的586主板，它们都是能自动检测无奇偶校验内存的主板。现将使用无奇偶校验的内存的方法和注意事项列举如 下：
◎使用的是具有30 Pin内存插槽的386或486主板，则要注意是否能使用或必须设置无奇偶校验的内存。
◎当您使用7块内存芯片或3块内存芯片没有奇偶校验位的内存扩充的时候。
◎主板的BIOS有Parity Check Enable/Disable（奇偶校验启用/禁用）的功能或自动检测奇偶校验位的功能。
◎有些主板因有不兼容性问题而不能使用无奇偶校验的内存。
◎在386／486主板上更新或扩充内存时，使用现在的EDO内存要注意BIOS是否支持，否则不能使用。内存、主板、CPU速度如何匹配使整个主机系统 稳定必备的三要件：一是主板，二是CPU，三是内存。此三种部件必须互相匹配，不能相互挑剔，假如其中一种部件不稳定，整个系统的稳定性就会受到影响，于 是必须经过一番匹配与调整。有关主板的选择在有关主板的章节中已有详述，在此不再说明，CPU与主存匹配的关系就比较严谨，因为CPU的速度较快，内存速 度较慢。假如DRAM内存因为老化、速度、品牌等匹配不当，就会造成不能开机，或开机启而不稳定或经过一段时间即会死机。诸如此类的问题都可用CPU和内 存来加以调整匹配，在不必更换元件的情况下，使不能开机变成可以开机。经过调整匹配使运行不稳的主机变稳定运行的主机，其处理方法如下：
◎对调主板上内存的存储体Bank 0与Bank 1，改变主板启动时的板性。
◎调整CPU的速度，向下调整一级，因为内存条老化，速度已大大跟不上CPU，察看主机开机时的稳定性。
◎更换较新的内存，再察看主机启动后的操作是否稳定。
◎可能是主板本身的问题或外围设备的影响，再作进一步的隔离和测试。
各种不同品牌和不同速度DRAM如何使用
当我们在更新或扩充内存时，要考虑主板上内存的规格与结构。年代相隔久远的内存在规格和速度上相差甚远，已无法匹配使用，但规格和速度相近尚可使用，要把 以前的DRAM内存弃之不用非常可惜。在规格相差不大的情况下，对于尚可利用的内存，还可作一番最佳的匹配与组合，所以在更新或扩充内存时，对于如何去适 配一组不同品牌。不同速度、不同规格的内存，要有一些经验，这对于主板的稳定性有极大的关系，尤其是早期单块的DRAM内存其影响更为显著。现将如何处理 各种不同品牌DRAM内存组合的方法说明如下：
◎把相同品牌、相同速度，较新的内存条放在存储体Bank 0，因为Bank 0是电脑启 动时CPU所要查找的对象，也就是壮丁排在第一线，老弱残兵排在第二线，如此一开机时，稳定性较佳。
◎相同速度的内存条排在存储体Bank 0。
◎其他不同品牌不同速度的内存条放在存储体Bank l或Bank 2。
◎相同结构（金手指内存有单面与双面）的内存条，放在同一个存储体。
◎相同容量的内存条放在同一个存储体。
◎相同块芯片的内存条放在同一个存储体。
◎当无法匹配使用时，还是要得舍与取，放弃不适配的，如此才能得到一台稳定的主机。
如何识别和判断假冒（Remark）的DRAM内存
假冒（Remark）的DRAM与假冒（Remark）CPU有异曲同工、如法炮制之效，即把速度较慢的DRAM或价格较低的品牌假冒（Remark）为 速度较快、知名度较高的品牌，以赚取其间的差价。假冒（Remark）的原因不外乎， DRAM缺货涨价，假冒（Remark）后的型号差价很大，有利可图。于是一些不法的厂商从中加以假冒（Remark）牟取暴利。如何识别和判断假冒 （Remark）的DRAM呢？只要仔细查询和研究，总会查出一些蜘丝马迹，假冒（Remark）的DRAM其印刷的油墨不均，油墨的颜色与工厂的颜色也 会稍有不同，字体有些会模糊不清而且表面有擦拭的痕迹。最重要的是当假冒的DRAM用在主板上开机时，会经常死机，甚至造成电脑无法启动，假如无法识别假 冒与否，则找一条相同规格品牌的DRA
M加以比对，察看其字体、墨色、料号、字母、数字的排列习惯，则不难查出是否为假冒（Remark）的DRAM，如果要去除这些假冒（Remark）的阴影与疑虑，只有找一家信誉良好的厂商购买，如此才会买得安心，用得也会比较放心。
内存假冒（Remark）的对象：
◎旧的内存假冒（Remark）为新的内存。
◎台湾或韩国制造的假冒（Remark）成日本制造。
◎次级品假冒（Remark）为一级品。
◎暇疵品假冒（Remark））为良品。
◎改写BIOS，显示虚拟数据，以空包SDRAM蒙混高速缓存。
要扩充内存容量，首先要选购好内存。目前市场上常见的是SDRAM内存、SIMM内存条，DIP内存芯片已不多见，因此，这里只详细介绍SIMM内存条的选择，SDRAM内存使用起来比较简单，而且已不再受内存插槽（DIMM）次序的限制了。
选择内存条要兼顾其引脚、容量、速度、奇偶校验性、价格等几项性能指标综合考虑，并以3点为基础目标：一是尽可能利用已有的内存条，二是扩充后的容量最接近所期望的容量，三是为将来扩充留育余地（因为一般主板上只有4个SIMM槽口，而每个内存条需占用一个槽口）。
1）引脚数：内存条引脚数必须与主板上SIMM槽口的针数相配匹。SIMM槽口有72针和30针两种，相对应内存条的引脚数有72线和30线两种，即72 针的SIMM槽口使用72线引脚的内存条，30针的SIMM槽口使用30线引脚的内存条。在72针系统中，有奇偶校验使用36位的内存条，无奇偶校验则使 用32位的内存条，在30针的普通系统中、有奇偶校验使用9位的内存条，无奇偶校验则使用8位的内存。
2）容烫：30线内存条常见容量有256KB、lKB和4KB，72线内存条常见容量有4MB、8MB、16MB和32MB。30针引脚系统中，8位或9 位内存条的数据宽度为8位，286、386SX、486SXCPU数据宽度为16位，因此必须成对使用：386DX、486DXCPU数据宽度为32位， 因此必须4条一组使用。 72针引脚系统中，32位或36位内存条的数据宽度为32位，适用于386DX、486DX和Pentium（586）微机，可以单条使用。
3）速率：内存条的一个重要性能指标是速度，以纳秒（ns）表示，代表系统给予内存在无错情况下作出反应的时间。一般有60ns、70ns、80ns、 12Ons等儿种，相应在内存条上标有“-6”、“-7”。”-8”、“-12”等字样。这个数值越小，表示内存条速度越快。只有当内存与系统速度相匹配 时才能发挥最大效率。因为内存慢而主板快，影响到CPU的速度，还可能造成系统崩溃；内存快而主板慢，结果是大材小用，浪费了高性能的内存条。如果一个系 统要求内存的速度为80ns,那么装上60ns或70ns的内存条在性能方面并没有什么益处，相反，如果系统要求内存的速率是60ns，那么如果装上 70ns或80ns的内存条，可能会造成系统的崩溃。一般不同速度的内存条可混合使用，但以最慢的为准。
4）奇偶性：微机要求内存有奇偶校验，但没有奇偶校验也能运行。奇偶校验需要额外的内存芯片。选购内存条时常会听到2片／真3片／假3片／8片／9片等说 法，这是指内存条是否带奇偶校验。2片和8片内存条肯定不带奇偶校验；3片和9片内存条应该带奇偶校验，但有些生产厂商为了谋取更高利润，将坏的芯片作为 奇偶校验芯片，或将部分损坏的芯片搭配组合成一条完整内存条，这种内存条不带奇偶校验，被称为假3片或假9片。假3片或假9片一般能正常使用，只是成本很 低。鉴别内存是省带奇偶校验比较简单，装好内存开机后，执行BIOS SETUP程序，选择允许奇偶枝验，如果机器可正常引导，则说明内存带奇偶校验，如果屏幕出现奇偶校验错的提示后死机，则说明内存不带奇偶校验。
说起内存，相信大家都不陌生。不过，大家的目光除了更多地投放在内存芯片颗粒上之外，很少会注意到内存PCB（印刷电路板）边上还有一颗体积较小（大约为3mm×4mm×1.5mm）的芯片，这就是SPD芯片。
什么是SPD
SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1），采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记 录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内 存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中。
SPD的作用是什么
启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分 发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。
从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作 不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发 挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者
如何查看SPD信息
一般来说，品牌内存都有SPD设置，只要借助SiSoft Sandra2004或EVEREST等工具软件，就可以查看SPD芯片中的一些重要信息。以前者为例：运行SiSoft Sandra2004后，用鼠标双击主窗口中的“Mainboard Information”模块，在随后出现的界面内就可以看到“Memory Module”信息了（如图2）。
下面我们就以软件中显示的“256MB 8×(32Mbit×8)DDR-SDRAM PC2100U-2533-750(CL2.5 up to 100MHz)”为例，来说明DDR SDRAM内存的SPD信息的表示方式。这里的“PC2100U-2533-750”就是该内存的SPD值了。其中：
第一段：“PC2100”指内存带宽，单位为MB/s，即该内存带宽为2100MB/s，对应的内存标准工作频率为2100MHz×1/16（133MHz，即DDR266内存）；“U”代表DIMM模块不含缓冲区。
第二段：“25”表示CAS（列地址选通脉冲）延迟时间（即CL值），用时钟周期表示，这里25代表CL＝2.5；“33”中的前一个3表示RAS相对CAS的延时，单位是时钟周期，第二个3则表示RAS（行地址选通脉冲）预充电时间。
第三段：“75”表示相对于时钟下沿的数据读取时间，即7.5ns；最后一个数字0代表SPD的版本，如0代表SPD版本为1.0。
利用SPD进行优化
一般来说，影响内存性能高低的因素主要是以下两点，一是内存工作频率过低，无法和CPU同步运行。二是内存传输数据时的延迟时间过长，限制了内存的数据存取速度。因此，只要对主板BIOS进行设置，修改SPD值，就可以使内存性能得到进一步的优化。
1.提高内存工作频率
启动计算机，进入主板BIOS设置（这里以Award BIOS、P4系统为例）中“Advanced Chipset Feature”界面，选择“Frequence/Voltage Control”，可以看到“CPU:DRAM Clock Ratio”中显示的内容就是CPU外频对内存的频率比例。
注：默认设置为“SPD”，即“自动侦测模式”。在SPD模式下，系统自动从内存的SPD芯片中获取信息，所以理论上说，此时内存的工作状态是最稳定的。
如果想超频内存，就需要手动设置CPU与内存的工作频率比例来更好地调节与SPD的配合。比如：533MHz FSB的P4外频为133MHz，要将DDR333内存超频到200MHz外频使用，那么就需要选择“2∶3”的比值。如果要让DDR266内存超频到 DDR333，无疑就要选择“3∶4”。
如果要保证调节后的稳定性，有时需要在BIOS中手动提高内存的工作电压。方法是：选择“Add Voltage”，然后进行调节。切记：在提高内存工作电压的时候，要循序渐进，切勿一次提高过多而损坏内存。
2.调整内存延迟时间
我们知道，内存总延迟时间＝内存时钟周期×CL数值＋数据存取时间（tAC值），因此，只要在BIOS中修改内存的相应参数值，就可以提升内存的性能。下面，我们就进入“Advanced Chipset Feature”设置界面进行说明：
（1）修改CAS延迟时间（CL值）。它表示内存进行读写操作前，列地址控制器的等待时间。CAS参数选项为“CAS Latency Time”，数值选择有2.、2.5或者3，如果内存品质较高，可以将数值设为2。
（2）修改tRCD值。它表示内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS To CAS Delay”，数值选择有2、3等。同样是越小越好。
（3）修改tRP值。它表示内存行地址控制器预充电时间，其参数选项为“Active to Precharge Delay”，数值选择有2、3等，参数越小说明内存读写速度就越快。
（4）修改tRAS值。它表示内存行地址选中前的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS Precharge”，数值选择有5、6、7等。数字越小，延迟时间越短
以PC100-322-622R为例，其中①表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；②表示最小的CL （即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；③表示最少的tRCD（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；④表示 tRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；⑤表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越 好；⑥表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；⑦代表修订版本；⑧代表模块类型；R代表DIMM已注册，(256MB以上的内存必须经过注册)。
1.2b+版本
.2b+版本
以PC100-322-54122R为例，其中①表示标准工作频率，用MHZ表示；②表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表 示，一般为2或3；③表示最少的tRCD（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；④表示tRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；⑤⑤代 表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；⑥⑥代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；⑦代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；⑧代表模块类型；R代表DIMM已注册， 256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
以PC133U-333-542为例，其中①表示标准工作频率，单位MHz；②代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；③表 示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；④表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；⑤表示RAS预充电时间，用时 钟周期数表示；⑥⑥代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；⑦代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0.
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
以PC2100R-2533-750为例，其中①表示内存带宽，单位为MB/s；①/16=内存的标准工作频率。例如2100代表内存带宽为 2100MB/s，对应的标准工作频率为2100/16=133MHz；②代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；③③表示 CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；④表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；⑤表示RAS预充电时 间，用时钟周期数表示；⑥⑥代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；⑦代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
以256MB/16 ECC PC800为例，其中①表示内存容量；②代表内存条上的内存颗粒数量；③代表内存支持ECC；④保留；⑤代表内存的数据传输率，⑤/2=内存的标准工作频 率，例如800代表内存的数据传输率为800MB/s，对应的标准工作频率为800/2=400MHz
一、开机无显示
由于内存条原因出现此类故障一般是因为内存条与主板内存插槽接触不良造成，只要用橡皮擦来回擦试其金手指部位即可解决问题（不要用酒精等清洗），还有就是内存损坏或主板内存槽有问题也会造成此类故障。
由于内存条原因造成开机无显示故障，主机扬声器一般都会长时间蜂鸣（针对Award Bios而言）
二、windows系统运行不稳定，经常产生非法错误
出现此类故障一般是由于内存芯片质量不良或软件原因引起，如若确定是内存条原因只有更换一途。
三、windows注册表经常无故损坏，提示要求用户恢复
此类故障一般都是因为内存条质量不佳引起，很难予以修复，唯有更换一途。
四、windows经常自动进入安全模式
此类故障一般是由于主板与内存条不兼容或内存条质量不佳引起，常见于PC133内存用于某些不支持PC133内存条的主板上，可以尝试在CMOS设置内降低内存读取速度看能否解决问题，如若不行，那就只有更换内存条了。
五、随机性死机
此类故障一般是由于采用了几种不同芯片的内存条，由于各内存条速度不同产生一个时间差从而导致死机，对此可以在CMOS设置内降低内存速度予以解决， 否则，唯有使用同型号内存。还有一种可能就是内存条与主板不兼容，此类现象一般少见，另外也有可能是内存条与主板接触不良引起电脑随机性死机，此类现象倒 是比较常见。
六、内存加大后系统资源反而降低
此类现象一般是由于主板与内存不兼容引起，常见于PC133内存条用于某些不支持PC133内存条的主板上，即使系统重装也不能解决问题
一台兼容机，配置为华硕P3V133、赛扬300A OC 450MHz、64M HY PC100内存、MGA G200显卡。升级至PC133 128M之后出现故障，故障表现为第一次开机系统无任何反应，必须重新开机或者reset之后系统才能点亮，此后系统正常工作，关机一段时间之后，下次重 新开机故障依旧。
本来怀疑是显卡或者内存接触不良，重新安装之后故障依旧；又怀疑显卡或内存金手指氧化导致接触不良，清洁金手指后故障依旧。于是又怀疑是主板和机箱短 路造成该故障，把主板从机箱内移出，故障仍然存在，看来机箱和主板并没有短路存在，并且采用排除法更换显卡和同样的内存条，故障仍然未能解决。看来故障原 因并不是处在显卡或者内存上。
一日偶然的机会，在超频处理器时因为频率设置过高导致机器无法点亮，在清除BIOS之后，却发现故障现象消失，看来BIOS设置与这个故障息息相关！
于是按着昔日设置的习惯试着优化BIOS，发现将内存参数设置之后，系统就又出现了以前的故障！看来故障原因找到了。于是设置为CL=3，故障排除。 笔者这个内存是内存降价的时候所购买，尽管支持PC133，但是CL参数却只能设置为3，设置为2时，尽管使用中也很稳定，但是正是这个原因导致了开机时 的故障。
尽管本例故障比较少见，但是从这个故障，我们可以看出，内存质量对于系统的稳定性有紧密的联系，特别是目前市面上的内存质量良莠不齐，很多用户忽略了CL这个重要的参数，希望本例故障能够让大家在选购时对内存的参数引起重视
启动系统或运行应用程序时，系统报：“error：unable to control A20 line”、“memory write/read failure”或报：“memory allocation error”等，这些问题都属内存出错故障，它与内存减少、内存不足及奇偶检验错误不同。
系统报“内存出错”有三种情况，分别由不同原因造成。一是开机自检时报“内存出错”，引起该故障的原因主要是内存条或内存控制器的硬件故障；二是在 CMOS中设置了启动系统时不自检1M以上内存，而在运行应用程序时系统报“内存出错”，引起该故障的原因可能是内存条或内存控制器的硬件故障，也可能是 软件故障；三是开机自检通过，进入DOS或Windows平台，在运行应用程序时报“内存出错”，引起该故障的原因主要是软件故障。
对于由软件故障造成的内存出错，可按下列步骤检查和处理：
1.如果是在DOS环境下运行应用程序时报“内存出错”，则怀疑是否是内存分配出错，检查DOS与运行的应用程序是否冲突，并作出相应的处理。一般可通过重新启动系统或重新编写系统配置文件来解决，对应用程序的问题则可通过相应的修改来解决。
2.如果是在Windows环境下运行应用程序时报“内存出错”，则怀疑是否是由应用程序非法访问存储器造成的，一般可通过清除内存驻留程序，减少活动窗口，调整配置程序或重新安装系统和应用程序来解决。
3.如果问题只是在运行一特殊的应用程序才出现，可能是由该软件造成的。
4.用KILL或KV300＋检测系统是否带有病毒，有则杀毒。
硬件故障造成的内存出错比较常见，CMOS设置错误、内存条接触不良、内存条安装组合错误、内存条硬件损坏、内存控制器出错等均会造成内存出错，一般可按下列步骤检查和处理：
1.由于开机自检即显示“内存出错”，首先进入CMOS设置，检查CMOS中关于内存条的参数设置是否正确，是否与内存条的配置情况相符；比如，如果设置的内存读写周期或内存读写等待时间小于内存条实际值，则应增大内存读写周期或者增加内存读写等待时间。
2.如果故障仍存在，检查内存条与内存插座槽之间接触是否良好，并作出相应的处理。
3.如果故障仍未排除，检查内存条的安装组合是否正确。一般主板的存储器安装插座分为几个体(Bank)，每个体中有二至四个存储器安装插座，可安装 二至四个存储器条。由于72线的内存条一次可以提供32位有效数据（30线内存条已淘汰，在此不予讨论），对于Pentium类CPU，其数据线为64 位，要一次能存取64位数据，就必须同时安装两个72线内存条，所以586级微机的主机板，一般必须按偶数安装72线内存条，即一次应安装2条或4条72 线SIMM存储器条。如果主板上的内存条插座是168线的，由于168线的内存条一次就可以提供64位有效数据，所以只安装一条也能正常工作。安装内存条 时应注意以下几点:对大多数PC机来说,不能在同一个Bank内将容量不同的SIMM条混插在一起。很多PC机都可安装不同容量的SIMM条，但装在同一 组Bank中的所有SIMM条必须具有相同的容量。 ．对于很多PC机来说，若把不同速度的SIMM条混插在一起，即使它们的容量相同，也会带来麻烦。例如，计算机中已有运行速度为60ns(纳秒)的 16MB内存，如果在主板的空闲内存槽中再插入速度为70ns的SIMM条，系统就有可能会拒绝引导或在启动后不久就陷于崩溃。对于某些微机来说，若把速 度低的SIMM条放至第一组，则可解决速度混合问题，计算机会按最低速度存取。 ．对于大多数PC机来说，必须将一组中的所有插槽都插满，或者将一组全部置空(当然第一组不行)，在一组插槽中不能只插一部分内存条。 ．PC机可接受的内存大小有一个上限(最大值可从PC机说明书中找到。若没有说明书，唯一的方法就是从实践中找到最大值了)。SDRAM是新一代的动 态存储器，又称为同步动态存储器或同步DRAM。虽然有不少主板支持SDRAM与EDO内存混合安装，但是最好还是不要混用。原因是SDRAM只能在 3.3V电压下工作，而EDO内存则多数在5V电压下工作。虽然主机板上对DIMM和SIMM分别供电，但它们的数据线总是要连在一起的，如果SIMM (72线内存)与DIMM(168线SDRAM)混用，尽管开始系统可以正常工作，但在使用一段时间后，可能会造成SDRAM的数据输入端被损坏。当然， 如果你的SDRAM是适合宽电压(3V～5V)工作的产品，就不会出现这种损坏情况。
4.如果故障还未解决，则用替换法检查内存条是否已损坏，并作出相应的处理。
5.如果以上措施均不能奏效，则怀疑主板或控制芯片有问题，可送专业人员检修
内存故障是电脑故障中最常见的一种，而且大多表现各异，不是很好检查排除。前段时间遇到了一些由于内存引起的电脑故障，现在把解决的过程写出来，供大家参考。
故障一
故障表现：一台电脑配置为赛扬1.7GHz、845D主板、两条128M DDR内存，但是开机显示内存显示128M，偶尔显示256M。
故障分析：打开机箱检查，发现两条内存品牌不同，做工设计也有很大差异，一问机主原来是刚升级增加了一条内存。因此先把内存条单独插到机子上试，都显 示为128M，没有问题，但是一起插上仍然显示128M，调换了内存的插槽也没用。很明显，内存兼容问题暴露出来了，让他拿旧内存去市场加差价换回一条和 第一次升级内存相同的内存条，故障排除。
维修心得：内存的兼容问题虽然不是很多，但是危害还是不小，因为它们往往有很多奇怪的表现，大家还是尽量避免不同型号的内存混用，这样能最大限度避免兼容问题的发生。
故障二
故障表现：一台电脑配置为KT133主板、Geforce4 MX440显卡、128M内存，装Windows XP频繁死机，始终无法正常安装。
故障分析：经询问，机主之前刚给电脑进行了除尘，之后发生了系统崩溃，然后就无法装系统了。经过对硬件的仔细察看，发现其内存上有一处不是很明显的硬划伤，伤及了部分PCB上的电路，看来问题也出在这里。经过换用其他内存，故障消失，看来原内存已经被彻底损坏。
维修心得：装机器或者除尘的时候，一定要注意不要给硬件造成损伤，像这样无意中损坏配件的事情，小心一点是完全可以避免的。
故障三
故障表现：电脑配置为815EP主板、128MB内存，原本使用正常，后来得到一条64MB内存，一起插上之后，内存总量只认出是64MB。
分析解决：首先将内存一条一条单独插到主板上，证实都是好的，可以排除内存条的质量问题，看来兼容问题再次出现。不过这次用换内存的方法不是很现实， 毕竟白来的64M内存小了点，换128M内存也需要不少花销。忽然想起升级主板BIOS可能会对内存支持有所提高，于是顺便把BIOS进行了购买以来的第 一次升级，故障终于排除。
维修心得：很多时候兼容问题可以通过升级主板BIOS解决，因此经常去看看有没有适合自己的BIOS、驱动下载也是不能忘记的。
故障四
故障表现：一台电脑配置为赛扬667MHz、BX芯片组主板、现代128M SDRAM，一天突然开机黑屏，蜂鸣器报警。
故障分析：由主板发出的报警声可以判断，极有可能是内存或者内存插槽有问题。先把内存条拔下换个插槽，故障依旧，看来内存插槽正常；接着换另外一条内 存插上，故障消失。看来是内存条有问题，但内存条无故坏的可能性很小，于是仔细察看内存，发现金手指部分有厚厚的污垢，看来问题在于接触不良。于是找来橡 皮在金手指部分擦拭几次，重新插入插槽，发现一切正常了。
维修心得：内存金手指和插槽接触是否良好，对于工作是否稳定非常重要。如果出现类似接触不良，我们只需要用橡皮擦拭即可，非常简单，因此电脑的防尘还是有必要强调的。
故障五
表现：朋友本来想扩充内存，结果容量反而变小了。
故障分析：朋友不知从哪里弄来了四根相同容量和型号的内存，把四个内存插槽全部插满了。查看一下说明书，四条内存条的总容量并没有超过主板的最大内存 容量支持，看来是主板BANK支持的问题，果然经过测试，上三条内存显示都正常，一旦用了四条内存，总容量反而会显示为一条内存容量，换内存的方式暂时行 不通，还是去掉一跟内存吧。
维修心得：主板所支持的BANK数量大家应该多注意，并不是说主板有四个插槽就能支持四条内存的，还必须要看内存BANK数同主板支持数。而且，除了为支持双通道而采用两条内存外，还是建议大家使用单条大容量内存
故障一：给电脑添加一条PC133内存以后（原内存为PC100内存），运行时频繁死机和热启。
分析与解决：这种情况一般是由于添加的内存与原有内存之间，品牌，速度，容量都不同或某些不同，解决方法可以采用“就低”原则，进入CMOS，在 Advanced Chipest Features中看到DRAM Timing By SPD被设置成Enable，将其修改为Disable。然后把DRAM Clock改为100MHz.重新启动计算机，故障解决。如若还不行，可以试试更换内存的插槽，一般要将速度较快的内存插在第一个插槽上。假如以上方法都 失败，建议在纯DOS下对主板的BIOS进行更新，一般问题都可以解决。
故障二：开机时系统自检要检验3遍才能通过。现象为：每次检验完毕马上从头开始检测，数次后才能通过。
分析与解决：遇到以上问题，通常是因为CMOS中的内存自检次数设置不当。只需进入CMOS中把“Quick boot”（快速启动）设为“Enable”（允许），以后开机自检就只会检测一遍内存了。
故障三：一台电脑采用KT133主板，使用普通HY PC133 128内存，在Windows下出现频繁死 机的非法操作。
分析与解决：原因是用户将BIOS进行优化，是内存工作处于最优设置下，可质量不过硬的内存在这种环境下，往往不稳定。进入CMOS,在Advance Chipest Features中将SDRAM Cycle Length由2改为3，Bank InterLeave由4Bank 改为Disable。问题解决！
故障四：机器无法进入Win98，现象为进入系统后立即自动关机。用安全模式启动，读取Himem.sys后提示“Error：Himem.sys has delected unreliable XMS memory at address XXXXX……”
分析与解决：根据提示信息，问题应该与主板或内存有关。由于提示表面在启动Himem.sys文件是内存出错，所以一般先应从内存上找出问题。此时可以试 试以下方法：（1）、将BIOS中的参数设为保守方式，最简单的方法就是使用缺省的BIOS参数。（2）、可以尝试使用放电方式清除CMOS存储器中的信 息。假如以上方法均不行，建议将主板送维修点或直接更换。
故障五：HY 128MB内存，运行Win98正常，但是升级安装Win2000之后，经常发生中断，退回DOS状态，有时能完成安装，但运行不稳定。
分析与解决：光盘没有问题，将内存换成King Max128后，非常顺利，也十分稳定。Win NT/Win 2000对硬件要求比较高，安装时对硬件检测严格，想用Win2000/NT，最好用高质量，大容量的内存。
故障六：开机后机器无法点亮，且伴有一长三短的报警声
分析与解决：根据一长三短的报警声可初步判断是内存校验出错。可在关机后打开机箱，看内存条是否存在松动现象。此外，假如内存条上的金手指有老化现象，可 用微湿的干净毛巾轻轻擦拭。最后再将其插会原插槽中。问题一般都可解决。当然，要注意以上步骤都要保证将所有插座电源均关闭后才能进行，否则容易造成配件 短路烧毁
故障一：由于使用劣质内存导致无法正常安装系统。
朋友的一台老机器需要重装系统，请笔者去帮忙。配置为：微星6340主板，毒龙650，PC-133远瀚128M内存，杂牌TNT2显卡，WD20G 硬盘。用ghost软件克隆，7分钟多一点就完成了。朋友觉得一些软件版本太旧，一些软件根本没用，就要求重做一个镜像文件。格式化C盘后，用安装光盘重 装Windows。即将完成时，系统突然提示无法复制文件，安装失败。更换安装光盘后，依旧在原处卡住。
无奈之下，用ghost克隆一个系统，再用各种测试软件检测。首先使用3Dmark2000测试，通过测试，一切正常。再用Goldmemory（GM）测试内存，在约80%处，软件报错，提示退出。找来一根现代64M内存再次重装系统，故障排除。
经仔细观察，发现此根远瀚内存有一颗内存颗粒与PCB板的一个焊点有极细微断裂，如不用心观察，根本无法识别。朋友为了节省时间，一直使用ghost 克隆软件安装系统，故障长期隐而未发。等到发现，已过质保期，除自认倒霉外别无他法。事后分析认为，此故障是由于使用质量不过关的内存，一颗内存颗粒长期 处于接触不良，时好时坏的状态所造成的。又由于ghost克隆软件是一种可以强行将数据写入硬盘的软件，故障未被发现。因此，笔者建议各位朋友在购机时， 记得多用几种测试软件测试，以免最后追悔莫急。
故障二：由于使用曾损坏的内存导致无法安装系统。
笔者一昔日同窗，购机数年，一直使用正常。日前突然来电说系统崩溃，需要重装系统。配置为：华硕P2L97，PII233超262，两条现代32M内 存，小影霸Riva128ZX显卡，启亨呛红辣椒声卡，昆腾4.3G硬盘。笔者赶到后，首先将CPU降回初始频率，再格式化硬盘，最后安装系统。
安装进行中，系统提示地址错误，安装终止。拆下内存检查，发现其中一条的金手指早已经被烧的面目全非，在少掉的地方被人用焊锡点了两个点权充作金手指 用，从痕迹上来看，应该是很久远的事情了，而且此人的焊工极差，应付了事。笔者的朋友对电脑硬件基本上不懂原理，如何能做这样的事情呢？唯一的结论是买机 器时被商家给坑了，以次充好。然而，这条内存竟然奇迹般的用了那么久才出问题，实在让人很困惑。
时值内存涨价，同窗好友因此而大出血。事后回想，电脑硬件是精密产品，虽然在出现大的问题后可以通过一定的技术手段加以修理，但是限于个人的条件和能 力，一般不可能将损坏的元件修复如新。故笔者再次提醒各位朋友，购机时千万注意仔细验货，以免被一些不法商家偷梁换柱，以次充好。
故障三：由于使用与主板不兼容的内存导致CMOS初始化失败，无法开机。
一日，一熟人来电求助，说买了两个多月的机器突然出了问题，无法启动。他的配置为：微星K7Tpro，雷鸟750， PC150KingMax128M，耕升Geforce2MX黄金版，IBM腾龙二代30G，世纪之星银版电源。打开机箱后开机，发现主板上的四个D- LED指示灯全部为红色。根据主板说明书，此时代表CMOS初始化失败或CPU自检失败。
由于AMD的K7系列CPU核心极为脆弱，因风扇扣具过紧，安装不当造成的CPU损坏多的不胜枚举。笔者将CPU取下后仔细观察，未发现有损坏。安装 好风扇后再次开机，故障依旧。至此，笔者认为是主板的BIOS损坏，但并不死心，随之将显卡、内存统统卸下，想确认一下。开机后，主机PC喇叭发出长音报 警，提示内存检测失败。观察后发现，第二个D-LED指示灯变为绿色。关机，插上KingMax内存。随后开机，D-LED指示灯全红。找来一条现代 128M内存插上机器，故障排除。元凶就是那条KingMax PC150 128M内存，PCB版本1.1。
后经过查询，得知此版本的内存条兼容性较差，尤其是在与KT133的主板搭配使用时，出现不兼容的机率更高。这是一例由个体差异引起的不兼容现象，但 是互不兼容的现象直到使用了两个多月后才出现，在此之前一切正常，这样的情况实属少见。最后的解决方案是商家退回差价，换回一根PC133的 KingMax内存条。所以各位朋友在购机时请充分了解自己的需要，不要轻易相信商家的推荐，这样才能保证自己的机器少出问题
根据内存条所应用的主机不同，内存产品也各自不同的特点。台式机内存是DIY市场内最为普遍的内存，价格也相对便宜。笔记本内存则对尺寸、稳定性、散热性 方面有一定的要求，价格要高于台式机内存。而应用于服务器的内存则对稳定性以及内存纠错功能要求严格，同样稳定性也是着重强调的。
台式机内存
笔记本内存就是应用于笔记本电脑的内存产品，笔记本内存只是使用的环境与台式机内存不同，在工作原理方面并没有什么区别。只是因为笔记本电脑对内存的稳定性、体积、散热性方面的需求，笔记本内存在这几方面要优于台式机内存，价格方面也要高于台式机内存。
笔记本内存
笔记本诞生于台式机的486年代，在那个时代的笔记本电脑，所采用的内存各不相同，各种品牌的机型使用的内存千奇百怪，甚至同一机型的不同批次也有不 同的内存，规格极其复杂，有的机器甚至使用PCMICA闪存卡来做内存。进入到台式机的586时代，笔记本厂商开始推广72针的SO DIMM标准笔记本内存，而市场上还同时存在着多种规格的笔记本内存，诸如：72针5伏的FPM；72针5伏的EDO；72针3.3伏的FPM；72针 3.3伏的EDO。此几种类型的笔记本内存都已成为“古董”级的宝贝，早已在市场内消失了。在进入到“奔腾”时代，144针的3.3伏的EDO标准笔记本 内存。在往后随着台式机内存中SDRAM的普及，笔记本内存也出现了144针的SDRAM。现在DDR的笔记本内存也在市面中较为普遍了，而在一些轻薄笔 记本内，还有些机型使用与普通机型不同的Micro DIMM接口内存。
对于多数的笔记本电脑都并没有配备单独的显存，而是采用内存共享的形式，内存要同时负担内存和显存的存储作用，因此内存对于笔记本电脑性能的影响很大。
服务器内存
服务器是企业信息系统的核心，因此对内存的可靠性非常敏感。服务器上运行着企业的关键业务，内存错误可能造成服务器错误并使数据永久丢失。因此服务器 内存在可靠性方面的要求很高，所以服务器内存大多都带有Buffer（缓存器），Register（寄存器），ECC（错误纠正代码），以保证把错误发生 可能性降到最低。服务器内存具有普通PC内存所不具备的高性能、高兼容性和高可靠性
内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主 频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前市面上已推出的内存产品中最高能达到 560MHz的主频，而较为主流的是333MHz和400MHz的DDR内存。
大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过 晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时 的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。
一般情况下内存的工作频率是和主板的外频相一致的，通过主板的调节CPU的外频也就调整了内存的实际工作频率。内存工作时有两种工作模式，一种是同步 工作模式，此模式下内存的实际工作频率与CPU外频一致，这是大部分主板所采用的默认内存工作模式。另外一种是异步工作模式，这样允许内存的工作频率与 CPU外频可存在一定差异，它可以让内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz，又或者让内存和外频以3：4、4：5等，定比例的频率上。利用异步工作 模式技术就可以避免以往超频而导致的内存瓶颈问题。
举个例子：一块845E的主板最大只能支持DDR266内存，其主频是266MHz，这是DDR内存的等效频率，其实际工作频率是133MHz。在正 常情况下（不进行超频），该主板上内存工作频率最高可以设置到DDR266的模式。但如果主板支持内存异步功能，那么就可以采用内存、外频频率以5：4的 比例模式下工作，这样内存的工作频率就可以达到166MHz，此时主板就可以支持DDR333（等效频率333MHz，实际频率166MHz）了。
目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能
传输类型指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存 类型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯 片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。
• SDRAM
• DDR
• RDRAM
• DDR2
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商 而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期 和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL (Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自 不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准 SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包 含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准
内存的品牌
内存有许多不同的品牌，这些不同的品牌加载于主板上，它们的排列组合就关系着主板的性能和整个系统的稳定性。除了CPU、主板外，内存是一个关键的部件。 每家厂商对于内存的规格、容量以及电路的特性都有不同的要求，所以对于在主板上使用的内存是否有不良的反应都应留意，尤其是高容量、高速度、新规格的内 存，在选用时更应注意其特性，现将世界各国生产内存的厂商列出如下
★日本系列： Panasonic（松下）代号：MN
NEC（日本电器）代号：MC
Mitsubishi（三菱）代号： MH
Fujitsu （富士通）代号：MB
Hitachi（日立）代号： HM
Toshiba （东芝）代号： TMM
OkI（冲电气）代号：MSM
Sharp（夏普）代号： LH
Sanyo（三洋）代号：LC
Seiko（精工）代号：SRM
Sony（索尼）代号：CXK
★美国系列： Motorola （摩托罗拉）代号：MCM
NS（国民半导体）代号： NS
TI（ 德州仪器）代号： TMS
Micron（美光）代号：MT
AMD（美国超微）代号： AM
Performance 代号：P
IDT（艾迪特）代号：IDT
★欧洲系列：Semens（德国西门于）代号：Semens
SGS（意大利汤拇逊）代号：T
★台湾系列：联华 代号： UMC
茂矽 代号：Mosel（MX）
德基 代号： Texas
矽成 代号：Is
华邦 代号：Winboard
华撇隆 代号：HMC
★韩国系列： Samsung（三星）代号：KM
Goldstar（金星）代号： GOldStar
Hyundai（ 韩国现代）代号： HY
两种内存新技术动态
为了充分挖掘内存中更多的性能，几种内存新技术正进入高档微机。这些新内存的特点是：
1.EDO DRAM 方案
EDO（Extend Data Out,扩充数据输出）DRAM是一种操作效率更高的单周期内存，它在CAS周期处延迟数据的滞留，因为可维持更长的数据有效时间，这样无需拓宽数据总线也增加了带宽。
EDO内存是目前奔腾机中运用最多的一种内容，这种内存在工作时，允许CPU高效地用上次访问的尾部覆盖某次内存访问的首部；单个内存访问并没有更快，但一连串内存访问的完成时间比标准的快页模式DRAM要少。
2、同步高速内存
我们常说的高速缓存一般采用异步SRAM，它的访问速度相对DRAM来说已大大提高了，但相对CPU来说仍较慢。目前，有一种更新的同步SRAM的高速缓 存出现在奔腾机的主板上。例如，在120MHz和更快的奔腾微机的主板上，均采用了Intel的Triton芯片组，该芯片组支持一种称为流水线突发 （pipelined burst）高速缓存的特殊同步高速缓存，其中访问速度大大地提高。
除了上述两种新技术外，还有新型的同步DRAM技术和RambusDRAM的系统，这种技术采用25OMHz时钟速度极快地传送大批突发数据。
内存的速度
内存的存取速度关系着CPU对内存读写的时间，所以不同型号规格的内存就有不同的速度，如ROM就有27010-20，27010-15等不同的速度。 DRAM也有411000-7、411000－6等不同的速度，这些编号后面的20代表200ns，-15代表150ns，-7代表70ns，-6代表 60ns，所以RAM的速度比ROM的速度快很多。当电脑一启动时，把BIOS RoM中的程序拷贝至DRAM内，以后CPU直接与较快的DRAM联络即可，这就是我们所谓的ShadowRAM。
内存有它不同的规格和速度，在不同电路、不同设备也有不同的单位，现将它的应用说明如下：
ms， Milli Second（毫妙）
us： Micro Second（微秒）
ns： Nano Second （纳秒）
数据的传送速度：
以ms为单位，如硬盘的平均存取速度17ms、12ms等。
以us为单位，如DRAM每隔15us更新充电一次。
以ns为单位、如内存的存取速度：
RAM： 41256-8，8即表示80ns。
411000-7，7即表示70ns。
411000-6，6即表示60ns。
ROM： 27256-20， 20即表示200ns。
27512-15，15即表示150ns。
常规内存（Conventional Memory）
常规内存在内存分配表中占用最前面的位置，从0KB到640KB（地址000000H～109FFFFH），共占640KB的容量。因为它在内存的最前面 并且在DOS可管理的内存区，我们又称之为Low Dos Memory（低DOS内存），或称为基本内存（Base Memory），使用此空间的程序有BIOS操作系统、DOS操作系统、外围设备的驱动程序、中断向量表、一些常驻的程序、空闲可用的内存空间、以及一般 的应用软件等都可在此空间执行。由此可见，在DOS下的应用程序及其操作系统，挤在如此狭窄拥挤的空间里，640KB的容量已经不够使用，这是因为最早使 用的CPU是8088，其寻址的地址信号线只有20条线，能够寻址的空间只有lMB，也就是祖先留下的祖产不多，受到先天硬件CPU寻址的限制。因此在规 划内存给各个系统以及DOS下的一些套装应用软件使用时，在先天内存不足环境下，“省吃俭用”来分配这点内存， MS-DOS可以控制和管理1MB的内存空间，常规内存占了640KB，其他的384KB保留给BIOS ROM及其他各种扩展卡使用。这640KB的常规内存基本上分两部分，一部分给各种不同的操作系统程序使用，另一部分给数据、程序的使用。 上位内存（UMB）
UMB是英文Upper Memory Block的缩写，是常规内存上面一层的内存（64OKB～1024KB），我们又称之为DOS高端内存（地址为0A0000H～0FFFFFH）。由于 PC的老祖先把DOS使用的内存限定在640KB的框框里，所以大家都想尽办法要突破640KB的紧箍罩以摆脱640KB的限制，让DOS的一些程序摆脱 640KB藩篱。在DOS可以控制的1MB内存空间中，常规内存占了640KB，其余的384KB的上位内存（UMB）保留给BIOS ROM、显示卡和其他各种扩展卡使用，但是还有一些保留空间未使用，所以在DOS 5.0以上的版本，即有突破640KB的能耐，允许使用常规内存上面的384KB的上位内存UMB（地址0A0000H～OFFFFFlH），但是要超越 传统的640KB，必须有一些条件和操作，其条件和操作如下：
◎386以上的电脑和384KB以上的扩展内存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎CONFIG.SYS设置Devuce=C:＼DOS＼HIMEM.SYS（扩展内存XMS驱动程序）。
◎CONFIG.SYS设置Device=C:＼DOS＼EMM386．EXE， NOEMS（扩充内存EMS模拟驱动程序）。
◎CONFIG.SYS设置DOS=HIGH，UMB。
高端内存区（HMA）
HMA是英文High Memory Area的缩写。它是1024KB至1088KB之间的64KB内存，称为高端内存区，其地址为100000H～1OFFEFH或以上，CPU在实地址模 式下以Segment:OFFSET（段地址：偏移量）方式来寻址，其寻址的最大逻辑内存空间为（FFFF：FFFF），即10FFEFH，此已超过 8088 CPU的20条线所能寻址的lMB的上限，故286CPU的地址线有24条，只要把A20地址信号线的“逻辑门”打开，即可使用此64KB范围的内存，这 段内存乃在实地址模式下。一般说HMA是64KB，其实是指lMB以上至我们现在CPU所能寻址的广大空间4GB，它们都称为高端内存区（HMA），如何 去打开A20地址线（A20Gate，逻辑门）以上的内存，只要在DOS5.0或以上版本中使用扩展内存驱动程序，其操作如下：
在CONFIG设置驱动程序：
◎286以上的电脑和lMB以上的内存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎Device＝c：＼DOS＼HIMEM.SYS（扩展内存XMS驱动程序）。
◎DOS=HIGH
◎打开A20地址线， A20Gate（逻辑门）=1，即可寻址lMB内存以上的空间。
◎A20地址线没有打开， A20 Gate＝O，不能寻址lMB内存以上的空间。
◎A20 Gate信号由软件驱动键盘BIOS 8042或芯片组产生。
EMB是英文Extended Memory Block（扩展内存块）的缩写，扩展内存是指lMB以上的内存空间，其地址是从100000H开始，连续不断向上扩展的内存，所以把这种内存称为
EMB（Extended Memory Block）。扩展内存取决于CPU的寻址能力， 286 CPU可寻址到16MB, 386 CPU以上至Pentium II CPU可寻址到4GB。但是，有些主板上芯片组的实际地址译码电路并没有设计为可寻址那么大的地址空间（现在内存控制器有的在CPU芯片中了，不在北桥中 了。会跳过地址译码电路由CPU直接寻址控制？？？？），如286 AT的主板上最大寻址空间只到4MB，Pentium系列主板目前的最大扩展内存也只到1GB，距实际CPU的寻址空间还有一段距离。对于这些扩展内存， 由于超过了DOS的寻址范围，并不能直接被实地址模式的BIOS或DOS操作系统所使用，只能用于存放数据，除非使用了DOS的扩展器 （DOSExtender），或使用Windows3.1/Windows 95/Windows NT/OS2等，在保护模式下供不同操作系统使用。要使电脑主机能使用扩展内存，还需要一些扩展内存驱动程序（XMS）来加以驱动和设置，其驱动程序是 DOS5.O以上的版本或Windows所附带的HIMEM.SYS，其在CONFIG.SYS下设置为：
◎Device=C:"DOS"HIMEM.SYS。
◎扩展内存是lMB以上连续的内存。
◎进入扩展内存程序，必须在保护模式下。
◎进入扩展内存，必须先打开CPU的A20逻辑门，使内存寻址连续。
◎在主板由键盘BIOS 8042的A20逻辑门信号输出或芯片组来打开。
◎A20逻辑门信号是实地址模式和保护地址模式的切换开关。
◎执行驱动扩展内存，在实地址模式有64KB高端内存的扩展。
◎扩展至顶端的最大内存，对DOS而言，只能存放数据。
扩充内存（EMS）
EMS是英文Expanded Memory Specification（扩充内存规范）的缩写，是由LOtus／Intel/Microsoft三家公司制订。扩充内存是利用1MB内存中64KB 的内存区，此内存区为连续的4页，每页为16KB的实际页内存，它们映射（Memory Mapping）到EMS卡上广大空间的逻辑页内存， EMS 4.0版本驱动程序其映射的内存区为1MB内任意大小的内存，映射的扩充内存空间为32MB，这是另一种扩充内存的方法。一般我们常用比较方便的 DOS5．0以上版本，在386 CPU以上有虚拟86和分页的能力，在EMS Emulator模拟程序的控制下，使用扩展内存的广大空间来作为映射的内存，其驱动程序和操作如下：
◎主板和CPU为386CPU以上有虚拟86及4KB分页的能力。
◎使用扩充内存驱动程序（EMS），必须先执行扩展内存驱动程序（EMS）。
◎使用DOS 5.0以上版本，有EMS Emulator扩充内存模拟程序EMM386.EXE的程序来实现主板上扩展内存的映射。即在CONFIG.SYS设置：Device=C:"DOS"EMM386.EXE
◎扩充内存是非连续性的内存，它是用DOS内存的存储体开关（Bank Switch）分页切换映射到EMS的内存空间。
闪速存储器
什么叫闪速存储器（Flash Memory），闪速存储器是目前取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性（永久性）的存储器，目前大部分586主板的BIOS都使用闪速存储器，因为闪速存储器具有以下各项优点：
◎具有较快的速度（70ns-200ns）。
◎有节能的管理（Auto Sleep和Standby），低功率和低工作电压的功能。
◎更新数据方便，不须清除即可更改数据。
◎可由硬件或软件来控制数据的保护。
◎在电脑外围设备和通信设备中广泛应用。
◎目前586电脑使用容量为1MB（bit）的闪速存储器，686电脑使用容量为2MB（bit）的闪速存储器。
DRAM内存
DRAM是英文Dynamic RAM的缩写，其意思是动态随机存取内存，它是目前主板上使用的主要内存，因为它的集成度高，较小的体积即可获得较大的容量，而且价格低，所以是目前最常 使用的内存。一般主机的内存容量即为DRAM的容量，虽然DRAM内存有容量大，价格低的优点，但是它也有缺点，主板必须有一个刷新电路与之相配合，对它 的存储数据作刷新的操作，否则它的数据就会消失，因为它内部存储的数据是靠电容的充电来保存的，而电容会放电，故每隔一段时间就要对DRAM进行刷新（充 电，预充电时间）。这种刷新操作会影响CPU对DRAM内存存取的效率，DRAM因为是主板主要使用的内存，所以主板在特性和内部的电路也作了一番改进， 使之支持不同功能的DRAM。现将DRAM的特点归纳如下：
◎优点：集成度高，相同的体积可获得较大容量，价格便宜。
◎缺点：主板必须要有一个刷新的电路，这会影响CPU对DRAM内存的存取，影响CPU的工作效率。
◎DRAM使用的系统：
○作为CPU与主要数据的暂时存取的内存。
○作为CPU与外围设备显示卡数据的缓冲器或其他家电设备的内存。
SRAM存储器
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静志存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对 DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较，相同容量的DRAM内存可以设 计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？
一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为 了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量 较大的主存。现将它的特点归纳如下：
◎优点，节能、速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
◎缺点，集成度低，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统：
○CPU与主存之间的高速缓存。
○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。
PB（Pipeline Burst，流水线突发式）SRAM
提高主机系统性能的方法除了更换速度较快、频率较高的主板、CPU以及扩充增加一些主存外，就是要使用支持PB SRAM芯片组的主板，什么叫PB SRAM？它是一种SRAM存储器，也是一种高速缓存（Cache Memory）。它是主板上使用的速度较快的高速缓存，是一种在材质和电路工艺改进的SRAM。根据测试结果，可以给CPU超频两极，较少的费用可以获得 较佳的性能。传统长方形的异步SRAM，其工作电压为5V，为以前486主板所使用，由于速度容量的限制，已无法满足现在快速CPU的需求，现已淘汰不 用。现在的主板都用速度较快，容量较大的同步PB SRAM，其工作电压为3.3V，其形状为较大的四方形，一般PB SRAM在主板上有两种规格。 ○一种是PB SRAM芯片组固定在主板上，一般为256KB或512KB，为现在大部分的主板采用。
○另一种是PB SRAM模块的方式，插在主板PB SRAM的插槽上，一般我们称之为COAST（Cache On A stick）插槽，由于主板的品牌和规格不同，它们安装的方法和注意事项也不尽相同。这种高速缓存在较新的主板上已淘汰不用。度较快，有的传送速度较慢， 其中RAM的速度就比ROM的速度快，主存RAM的速度一般为50至70ns，而ROM的速度则为150至200ns，所以在主机系统的BIOS Setup（BIOS设置程序），就设置有所谓ShadowRAM的操作。电脑启动时，系统就会把主机系统的BIOSROM或VGA卡上的 VideoBIOS ROM程序全部载入DRAM内存中，并且将存储有这些程序的内存区改为只读状态。以后凡是CPU要执行系统BIOS中的程序或Video BIOS中的程序，都会自动转至速皮较快的Shadow RAM中执行，如此即可加快CPU的处理速度和屏幕图像的显示，一般电脑一启动，系统即会自动将BIOS ROM和Video ROM设置为Shadow的操作，以加快系统的速度。动态DRAM内部的数据是靠电容特性存储的，但电容会放电，所以使用动态DRAM内存就需要有数据刷 新（Refresh）时钟的电路，在几个ms之内必须对DRAM完成充电，否则动态DRAM内存内的数据就会因放电而丢失。因此，动态内存内部结构就好像 一个会漏水的茶壶，假如不在一个固定的时间去加水添满的话，里面的光（数据就会消失）。在PC标准的电路里是每隔15 us即充电一况在4ms之内完成整个充电操作。由于CPU的速度越越快，使得DRAM的速度越来越跟不上CPU的处理速度，所以CPU必须增加儿个等待周 期，让DRAM刷新充电以后再继续工作，如此势必影响CPU的工作效率，故在AT时代的主板则有交替（Interleave）刷新DRAM内存的设计，即 主板必须至少有两组存储休（Bank），当一个存储体供CPU存取数据时，另一个存储体就进行数据刷新，如此才不会牺牲CPU的工作效率。另一种方式为 DRAM Page Mode（DRAM页面模式），一般在CPU对DRAM进行读写的一个周期中，我们只能对一个地址进行存取，但是，采用页面模武是将内存的列地址固定，而 连续改变内存的行地址，如此可得到一个连续地址的页区块内存，而使CPU能够存取范围较大的数据，而达到CPU快速存取数据的目的。另外，改进DRAM数 据读写周期的触发电路和材质，采用具有较佳节能特性的动态内存，在CMOS的设置中对DRAM的刷新周期进行一番调整，延长对DRAM刷新充电的时间周 期，减少对CPU操作的干扰，这都是增加CPU工作效率的方法。所以，要使内存系统发挥其性能，一方面是延长刷新的时间，另一方面是改进DRAM本身的电 路和材质，提高速度，如此内存才能跟上速度一直在倍增的CPU。 在我们的主板上除了有主要的内存外，还有高速缓存。顾名恩义，高速缓存最主要的目的是提高CPU与内存之间数据的传送速度，所以高速缓存在电路的设计上， 则置于CPU与主存DRAM之间。当CPU从外围设备读取数据时，经CPU加以处理，再将数据写入主存DRAM中，在写入过程中路经高速缓存，此时会将写 入主存DRAM的地址记录在TagSRAM（标记SRAM）内，并将刚才写入主存DRAM中的数据拷贝一份至高速缓存的SRAM内，以备CPU下次就近取 用，而不必到较远的DRAM中读取，如此即可加快CPU的存取速度。目前主板高速缓存的规格有256KB和512KB两种容量，购买时应根据当时的价差选 购。
主板的高速缓存其容量只有256KB或是512KB，再扩充的容量还是有限的，要把主存几十MB的数据全部拷贝过来是不可能的，因此高速缓存还是无法取代 主存的地位，所以只有把经常要读写的数据拷贝到高速缓存内，但是CPU要存取的数据是否在高速缓存内呢？那就涉及到CPU对高速缓存读写的命中率（Hit Ratio）当CPU要读取主存中的数据时，检查高速缓存系统的Tag SRAM的地址数据，当高速缓存内有一份所需的数据时，高速缓存总线的仲裁电路就会将高速缓存系统的大门打，让CPU直接到高速缓存系统中存取数据， CPU就近取村，即可快速存取所要的数据。但是，假如CPU所要存取的数据并不在高速缓存中时，高速缓存总线的仲裁电路就不会将高速缓存至统的大门打开 CPU只有跑到比较远的主存，根据数据的地址去存取所需要的数据了。 Tag SRAM
什么叫Tag SRAM，即标记的静态随机存取存储器，它是在高速缓存系统中配合高速缓存的附加SRAM，它也是高速缓存，只是用在高速缓存电路中记录地址数据，当 CPU要读取主存某一个地址中的数据时，会先到高速缓存电路中去寻找，对高速缓存系统的Tag SRAM所记录的地址数据进行搜寻和对比，当高速缓存内也存有此地址的数据时，高速缓存总线的仲裁控制电路即将数据读取传回CPU，若对比Tag SRAM记录的地址数据而找不到此数据的地址时，CPU就会到主存读取数据。
当CPU要往主存写入某一个地址的数据时 ，到主存写入数据，然后再到高速缓存电路，对比高速缓存系统的Tag SRAM所记录的地址，当高速缓存内也存有此地址的数据时，则更新高速缓存内的数据以保持主存与高速缓存数据的一致性。对比高速缓存系统Tag SRAM所记录的地址是否为CPU所需读取数据的地址，对应了高速缓存内数据读取的机率，即所谓的命中率（Hit Ratio），命中率的多少要看高速缓存容量的大小、电路的设计、以及执行程序数据的内容，这些都与高速缓存的命中率有关。
内存的ECC
什么叫内存的ECC， ECC是英文Error Check ＆Correct的缩写，其中文的意思是“差错检查与纠正”，是目前功能较强、价格较高的芯片组才支持的功能，如Pentium的8243OHX的芯片 组、Pentium II的8244OFX/82440LX／82440BX等芯片组，这些芯片组支持内存ECC校验功能。
ECC的功能不但使内存具有数据检查的能力，而且使内存具备了数据错误修正的功能，以前奇偶校验的是8比特（bit）的数据，用一比特的奇偶校验位来检查 数据的正确性，但是具有ECC功能的内存则用4比特来检查8比特的数据是否正确。当CPU读取时，若有一个比特的数据错误，则ECC内存会根据原先存在四 个比特中的检测比特，定位那个比特错误，而且会将错误的数据加以校正。这种DRAM内存在整个系统中较稳定，一般用于局域网络的文件服务器，或 Internet的服务器，当然其价格也较贵。
如何进行内存的奇偶校验
内存的奇偶校验（Parity Check），在主机系统中，它是对内存和数据读写的一种检查电路，检查写到主存的数据与读取的数据是否相符，假如不符，则通过对CPU强制中断（NMI）的电路，通知CPU死机。
当CPU把数据写入主存时，同时也会把数据送到奇偶校验位产主器/检查器（74280）来加以计算，74280这个芯片是一个9位的奇偶校验位产生器，但 也是一个检查器，其实它的主要功能是负责把从CPU输入到DRAM内存的H信号（高电平信号，即“1”信号）加起来看是偶数个“1”还是奇数个“1”，再 从它的Even（偶）或Odd（奇）脚输出，此输出的信号就是奇偶校验位（Parity bit）。当CPU把8个比特的数据写入主存时，同时经奇偶校验位产生器加以计算，计算的结果假如是偶数个“1”，则奇偶校验位为”1”假如是奇数个 “1”，则奇偶校验位（Parity bit）则为L信号（低电平，即”0”信号），把此奇偶校验位送到第9块内存芯片暂存起来，也就是说，写入数据的时候是产生奇偶校验位（Parity bit），不进行奇偶校验位的检查（Parity Check），因为没有对比检查的机会，所以写入时产主的奇偶校验位可能是“1”，也可能是“0”，在PC AT的电路里，当CPU对主存读取时，则此8个比特的数据在与刚才第9块内存芯片所存储的奇偶校验位相加起来，所得的答案应该为奇数个“1”（即奇校验电 路的校验位=“0”），假如是偶数个”1”则启动奇偶校验检查电路，经NMI电路通知CPU死机。所以奇偶校验位的检查（Parity Check）是在读取数据的时候产主，因为只有在读取的时候，才能对比刚才所写入内存的数据有没有错误。
奇偶校验电路可以分两种检查，一种是奇校验检查，一种是偶校验检查，在PC主机电路里是奇校验检查，即读取的时候，奇偶校验位（Parity bit）的Even输出应为“0”，假如奇偶校验位是“1”的话，即产生奇偶校验位错误（Parity Error），然后经NMI电路通知CPU死机，检查时因每一个奇偶校验位产生器/检查器（74280）芯片只能检查8个比特，看看您的CPU是几个比特 的，则就有几组74280， Pentium CPU的主机有8个7428O，但现在全部被缩编在芯片组里，故以一组来说明奇校验与偶校验检查的工作原理。
奇校验检查：
◎CPU把数据写入内存时仅产生奇偶校验位，不作奇偶校验位检查。
CPU写入数据时（8bit），经奇偶校验位产生器把8个比特（bit）加起来，计算的结果：
○有偶数个“1”，则奇偶校验位=1。
○有奇数个“1”则奇偶校验位＝0。
○将奇偶校验位（Parity bit）存在第9个内存芯片内。
◎CPU读取内存数据时，此时与刚才写入数据进行对比，进行奇偶校验位检查。
○刚才写入的数据有偶数个“1” 加上存储在第9个内存芯片中的奇偶校验位=“l”，再经奇偶校验位检查器和逻辑电路的计算，Even接脚的输出应为奇数个“1”，即奇偶校验位为“0”。
○刚才写入的数据有奇数个“1”加上存储在第9个内存芯片的奇偶校验位=“0”，再经奇偶校验位检查器和逻辑电路的计算， Even接脚的输出还是为奇数个“1”， 即奇偶校验位为“0”。
○所以无论刚才写入的数据有偶数个“1”还是有奇数个“1”读取的时候都是为固定的奇数个“1”，假如为偶数的话，则系统产生一连串的操作，通知CPU死机。
◎目前大多数主板都支持没有奇偶校验位的DRAM内存，系统的BIOS会锁定（Disable）奇偶校验功能，比较新的BIOS会自动检测主板的DRAM内存是否有奇偶校验位。
◎奇校验：D0～D7加起来有奇数个“1”，由74280Even接脚输出“0”作为校验位。
◎偶校验： D0～D7加起来有偶数个“1”，由74280Odd接脚输出“1”作为校验位。
◎奇校验检查：读取数据时，D0～D7再加上奇偶校验位由74280计算结果，如果共有奇数个“1”，则Even接脚输出“0”，Odd接脚输出“l”。若为偶数个“1”。则Even接脚输出“1”， Odd接脚输出“0”。
◎偶校验检查读取数据时， D0～D7再加上奇偶校验位由74280计算结果，如果共有偶数个“1”，则Even接脚输出“1”，Odd接脚输出“0”。若为奇数个“l”，则Even接脚输出“0”Odd接脚输出“1”。
不同主板如何使用无奇偶校验（Non-Parity）的内存
主板的功能和内存的结构一直在改进，所以在更新或扩充主板和内存的时候，就会碰到主板的CMOS Setup设置程序是否具有设置Parity Check Enable/Disable（偶校验启用／禁用）的功能，只有386或486的主机才有这种设置，因为586以上主板的BIOS大部分都已有自动检测内 存是否具有奇偶校验位的功能，所以当您的386／486在更新或扩充的时候就要考虑是否能使用无奇偶校验（Non-Parity）的内存。有些主板的 CMOS Setup设置程序没有这种设置，就无法使用这类内存，一般此种内存大部分是30 Pin的，因为72 Pin的内存已大部分用于后期的486或是较新的586主板，它们都是能自动检测无奇偶校验内存的主板。现将使用无奇偶校验的内存的方法和注意事项列举如 下：
◎使用的是具有30 Pin内存插槽的386或486主板，则要注意是否能使用或必须设置无奇偶校验的内存。
◎当您使用7块内存芯片或3块内存芯片没有奇偶校验位的内存扩充的时候。
◎主板的BIOS有Parity Check Enable/Disable（奇偶校验启用/禁用）的功能或自动检测奇偶校验位的功能。
◎有些主板因有不兼容性问题而不能使用无奇偶校验的内存。
◎在386／486主板上更新或扩充内存时，使用现在的EDO内存要注意BIOS是否支持，否则不能使用。内存、主板、CPU速度如何匹配使整个主机系统 稳定必备的三要件：一是主板，二是CPU，三是内存。此三种部件必须互相匹配，不能相互挑剔，假如其中一种部件不稳定，整个系统的稳定性就会受到影响，于 是必须经过一番匹配与调整。有关主板的选择在有关主板的章节中已有详述，在此不再说明，CPU与主存匹配的关系就比较严谨，因为CPU的速度较快，内存速 度较慢。假如DRAM内存因为老化、速度、品牌等匹配不当，就会造成不能开机，或开机启而不稳定或经过一段时间即会死机。诸如此类的问题都可用CPU和内 存来加以调整匹配，在不必更换元件的情况下，使不能开机变成可以开机。经过调整匹配使运行不稳的主机变稳定运行的主机，其处理方法如下：
◎对调主板上内存的存储体Bank 0与Bank 1，改变主板启动时的板性。
◎调整CPU的速度，向下调整一级，因为内存条老化，速度已大大跟不上CPU，察看主机开机时的稳定性。
◎更换较新的内存，再察看主机启动后的操作是否稳定。
◎可能是主板本身的问题或外围设备的影响，再作进一步的隔离和测试。
各种不同品牌和不同速度DRAM如何使用
当我们在更新或扩充内存时，要考虑主板上内存的规格与结构。年代相隔久远的内存在规格和速度上相差甚远，已无法匹配使用，但规格和速度相近尚可使用，要把 以前的DRAM内存弃之不用非常可惜。在规格相差不大的情况下，对于尚可利用的内存，还可作一番最佳的匹配与组合，所以在更新或扩充内存时，对于如何去适 配一组不同品牌。不同速度、不同规格的内存，要有一些经验，这对于主板的稳定性有极大的关系，尤其是早期单块的DRAM内存其影响更为显著。现将如何处理 各种不同品牌DRAM内存组合的方法说明如下：
◎把相同品牌、相同速度，较新的内存条放在存储体Bank 0，因为Bank 0是电脑启 动时CPU所要查找的对象，也就是壮丁排在第一线，老弱残兵排在第二线，如此一开机时，稳定性较佳。
◎相同速度的内存条排在存储体Bank 0。
◎其他不同品牌不同速度的内存条放在存储体Bank l或Bank 2。
◎相同结构（金手指内存有单面与双面）的内存条，放在同一个存储体。
◎相同容量的内存条放在同一个存储体。
◎相同块芯片的内存条放在同一个存储体。
◎当无法匹配使用时，还是要得舍与取，放弃不适配的，如此才能得到一台稳定的主机。
如何识别和判断假冒（Remark）的DRAM内存
假冒（Remark）的DRAM与假冒（Remark）CPU有异曲同工、如法炮制之效，即把速度较慢的DRAM或价格较低的品牌假冒（Remark）为 速度较快、知名度较高的品牌，以赚取其间的差价。假冒（Remark）的原因不外乎， DRAM缺货涨价，假冒（Remark）后的型号差价很大，有利可图。于是一些不法的厂商从中加以假冒（Remark）牟取暴利。如何识别和判断假冒 （Remark）的DRAM呢？只要仔细查询和研究，总会查出一些蜘丝马迹，假冒（Remark）的DRAM其印刷的油墨不均，油墨的颜色与工厂的颜色也 会稍有不同，字体有些会模糊不清而且表面有擦拭的痕迹。最重要的是当假冒的DRAM用在主板上开机时，会经常死机，甚至造成电脑无法启动，假如无法识别假 冒与否，则找一条相同规格品牌的DRA
M加以比对，察看其字体、墨色、料号、字母、数字的排列习惯，则不难查出是否为假冒（Remark）的DRAM，如果要去除这些假冒（Remark）的阴影与疑虑，只有找一家信誉良好的厂商购买，如此才会买得安心，用得也会比较放心。
内存假冒（Remark）的对象：
◎旧的内存假冒（Remark）为新的内存。
◎台湾或韩国制造的假冒（Remark）成日本制造。
◎次级品假冒（Remark）为一级品。
◎暇疵品假冒（Remark））为良品。
◎改写BIOS，显示虚拟数据，以空包SDRAM蒙混高速缓存。
要扩充内存容量，首先要选购好内存。目前市场上常见的是SDRAM内存、SIMM内存条，DIP内存芯片已不多见，因此，这里只详细介绍SIMM内存条的选择，SDRAM内存使用起来比较简单，而且已不再受内存插槽（DIMM）次序的限制了。
选择内存条要兼顾其引脚、容量、速度、奇偶校验性、价格等几项性能指标综合考虑，并以3点为基础目标：一是尽可能利用已有的内存条，二是扩充后的容量最接近所期望的容量，三是为将来扩充留育余地（因为一般主板上只有4个SIMM槽口，而每个内存条需占用一个槽口）。
1）引脚数：内存条引脚数必须与主板上SIMM槽口的针数相配匹。SIMM槽口有72针和30针两种，相对应内存条的引脚数有72线和30线两种，即72 针的SIMM槽口使用72线引脚的内存条，30针的SIMM槽口使用30线引脚的内存条。在72针系统中，有奇偶校验使用36位的内存条，无奇偶校验则使 用32位的内存条，在30针的普通系统中、有奇偶校验使用9位的内存条，无奇偶校验则使用8位的内存。
2）容烫：30线内存条常见容量有256KB、lKB和4KB，72线内存条常见容量有4MB、8MB、16MB和32MB。30针引脚系统中，8位或9 位内存条的数据宽度为8位，286、386SX、486SXCPU数据宽度为16位，因此必须成对使用：386DX、486DXCPU数据宽度为32位， 因此必须4条一组使用。 72针引脚系统中，32位或36位内存条的数据宽度为32位，适用于386DX、486DX和Pentium（586）微机，可以单条使用。
3）速率：内存条的一个重要性能指标是速度，以纳秒（ns）表示，代表系统给予内存在无错情况下作出反应的时间。一般有60ns、70ns、80ns、 12Ons等儿种，相应在内存条上标有“-6”、“-7”。”-8”、“-12”等字样。这个数值越小，表示内存条速度越快。只有当内存与系统速度相匹配 时才能发挥最大效率。因为内存慢而主板快，影响到CPU的速度，还可能造成系统崩溃；内存快而主板慢，结果是大材小用，浪费了高性能的内存条。如果一个系 统要求内存的速度为80ns,那么装上60ns或70ns的内存条在性能方面并没有什么益处，相反，如果系统要求内存的速率是60ns，那么如果装上 70ns或80ns的内存条，可能会造成系统的崩溃。一般不同速度的内存条可混合使用，但以最慢的为准。
4）奇偶性：微机要求内存有奇偶校验，但没有奇偶校验也能运行。奇偶校验需要额外的内存芯片。选购内存条时常会听到2片／真3片／假3片／8片／9片等说 法，这是指内存条是否带奇偶校验。2片和8片内存条肯定不带奇偶校验；3片和9片内存条应该带奇偶校验，但有些生产厂商为了谋取更高利润，将坏的芯片作为 奇偶校验芯片，或将部分损坏的芯片搭配组合成一条完整内存条，这种内存条不带奇偶校验，被称为假3片或假9片。假3片或假9片一般能正常使用，只是成本很 低。鉴别内存是省带奇偶校验比较简单，装好内存开机后，执行BIOS SETUP程序，选择允许奇偶枝验，如果机器可正常引导，则说明内存带奇偶校验，如果屏幕出现奇偶校验错的提示后死机，则说明内存不带奇偶校验。
说起内存，相信大家都不陌生。不过，大家的目光除了更多地投放在内存芯片颗粒上之外，很少会注意到内存PCB（印刷电路板）边上还有一颗体积较小（大约为3mm×4mm×1.5mm）的芯片，这就是SPD芯片。
什么是SPD
SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1），采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记 录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内 存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中。
SPD的作用是什么
启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分 发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。
从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作 不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发 挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者
如何查看SPD信息
一般来说，品牌内存都有SPD设置，只要借助SiSoft Sandra2004或EVEREST等工具软件，就可以查看SPD芯片中的一些重要信息。以前者为例：运行SiSoft Sandra2004后，用鼠标双击主窗口中的“Mainboard Information”模块，在随后出现的界面内就可以看到“Memory Module”信息了（如图2）。
下面我们就以软件中显示的“256MB 8×(32Mbit×8)DDR-SDRAM PC2100U-2533-750(CL2.5 up to 100MHz)”为例，来说明DDR SDRAM内存的SPD信息的表示方式。这里的“PC2100U-2533-750”就是该内存的SPD值了。其中：
第一段：“PC2100”指内存带宽，单位为MB/s，即该内存带宽为2100MB/s，对应的内存标准工作频率为2100MHz×1/16（133MHz，即DDR266内存）；“U”代表DIMM模块不含缓冲区。
第二段：“25”表示CAS（列地址选通脉冲）延迟时间（即CL值），用时钟周期表示，这里25代表CL＝2.5；“33”中的前一个3表示RAS相对CAS的延时，单位是时钟周期，第二个3则表示RAS（行地址选通脉冲）预充电时间。
第三段：“75”表示相对于时钟下沿的数据读取时间，即7.5ns；最后一个数字0代表SPD的版本，如0代表SPD版本为1.0。
利用SPD进行优化
一般来说，影响内存性能高低的因素主要是以下两点，一是内存工作频率过低，无法和CPU同步运行。二是内存传输数据时的延迟时间过长，限制了内存的数据存取速度。因此，只要对主板BIOS进行设置，修改SPD值，就可以使内存性能得到进一步的优化。
1.提高内存工作频率
启动计算机，进入主板BIOS设置（这里以Award BIOS、P4系统为例）中“Advanced Chipset Feature”界面，选择“Frequence/Voltage Control”，可以看到“CPU:DRAM Clock Ratio”中显示的内容就是CPU外频对内存的频率比例。
注：默认设置为“SPD”，即“自动侦测模式”。在SPD模式下，系统自动从内存的SPD芯片中获取信息，所以理论上说，此时内存的工作状态是最稳定的。
如果想超频内存，就需要手动设置CPU与内存的工作频率比例来更好地调节与SPD的配合。比如：533MHz FSB的P4外频为133MHz，要将DDR333内存超频到200MHz外频使用，那么就需要选择“2∶3”的比值。如果要让DDR266内存超频到 DDR333，无疑就要选择“3∶4”。
如果要保证调节后的稳定性，有时需要在BIOS中手动提高内存的工作电压。方法是：选择“Add Voltage”，然后进行调节。切记：在提高内存工作电压的时候，要循序渐进，切勿一次提高过多而损坏内存。
2.调整内存延迟时间
我们知道，内存总延迟时间＝内存时钟周期×CL数值＋数据存取时间（tAC值），因此，只要在BIOS中修改内存的相应参数值，就可以提升内存的性能。下面，我们就进入“Advanced Chipset Feature”设置界面进行说明：
（1）修改CAS延迟时间（CL值）。它表示内存进行读写操作前，列地址控制器的等待时间。CAS参数选项为“CAS Latency Time”，数值选择有2.、2.5或者3，如果内存品质较高，可以将数值设为2。
（2）修改tRCD值。它表示内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS To CAS Delay”，数值选择有2、3等。同样是越小越好。
（3）修改tRP值。它表示内存行地址控制器预充电时间，其参数选项为“Active to Precharge Delay”，数值选择有2、3等，参数越小说明内存读写速度就越快。
（4）修改tRAS值。它表示内存行地址选中前的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS Precharge”，数值选择有5、6、7等。数字越小，延迟时间越短
以PC100-322-622R为例，其中①表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；②表示最小的CL （即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；③表示最少的tRCD（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；④表示 tRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；⑤表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越 好；⑥表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；⑦代表修订版本；⑧代表模块类型；R代表DIMM已注册，(256MB以上的内存必须经过注册)。
1.2b+版本
.2b+版本
以PC100-322-54122R为例，其中①表示标准工作频率，用MHZ表示；②表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表 示，一般为2或3；③表示最少的tRCD（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；④表示tRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；⑤⑤代 表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；⑥⑥代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；⑦代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；⑧代表模块类型；R代表DIMM已注册， 256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
以PC133U-333-542为例，其中①表示标准工作频率，单位MHz；②代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；③表 示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；④表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；⑤表示RAS预充电时间，用时 钟周期数表示；⑥⑥代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；⑦代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0.
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
以PC2100R-2533-750为例，其中①表示内存带宽，单位为MB/s；①/16=内存的标准工作频率。例如2100代表内存带宽为 2100MB/s，对应的标准工作频率为2100/16=133MHz；②代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；③③表示 CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；④表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；⑤表示RAS预充电时 间，用时钟周期数表示；⑥⑥代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；⑦代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
以256MB/16 ECC PC800为例，其中①表示内存容量；②代表内存条上的内存颗粒数量；③代表内存支持ECC；④保留；⑤代表内存的数据传输率，⑤/2=内存的标准工作频 率，例如800代表内存的数据传输率为800MB/s，对应的标准工作频率为800/2=400MHz
一、开机无显示
由于内存条原因出现此类故障一般是因为内存条与主板内存插槽接触不良造成，只要用橡皮擦来回擦试其金手指部位即可解决问题（不要用酒精等清洗），还有就是内存损坏或主板内存槽有问题也会造成此类故障。
由于内存条原因造成开机无显示故障，主机扬声器一般都会长时间蜂鸣（针对Award Bios而言）
二、windows系统运行不稳定，经常产生非法错误
出现此类故障一般是由于内存芯片质量不良或软件原因引起，如若确定是内存条原因只有更换一途。
三、windows注册表经常无故损坏，提示要求用户恢复
此类故障一般都是因为内存条质量不佳引起，很难予以修复，唯有更换一途。
四、windows经常自动进入安全模式
此类故障一般是由于主板与内存条不兼容或内存条质量不佳引起，常见于PC133内存用于某些不支持PC133内存条的主板上，可以尝试在CMOS设置内降低内存读取速度看能否解决问题，如若不行，那就只有更换内存条了。
五、随机性死机
此类故障一般是由于采用了几种不同芯片的内存条，由于各内存条速度不同产生一个时间差从而导致死机，对此可以在CMOS设置内降低内存速度予以解决， 否则，唯有使用同型号内存。还有一种可能就是内存条与主板不兼容，此类现象一般少见，另外也有可能是内存条与主板接触不良引起电脑随机性死机，此类现象倒 是比较常见。
六、内存加大后系统资源反而降低
此类现象一般是由于主板与内存不兼容引起，常见于PC133内存条用于某些不支持PC133内存条的主板上，即使系统重装也不能解决问题
一台兼容机，配置为华硕P3V133、赛扬300A OC 450MHz、64M HY PC100内存、MGA G200显卡。升级至PC133 128M之后出现故障，故障表现为第一次开机系统无任何反应，必须重新开机或者reset之后系统才能点亮，此后系统正常工作，关机一段时间之后，下次重 新开机故障依旧。
本来怀疑是显卡或者内存接触不良，重新安装之后故障依旧；又怀疑显卡或内存金手指氧化导致接触不良，清洁金手指后故障依旧。于是又怀疑是主板和机箱短 路造成该故障，把主板从机箱内移出，故障仍然存在，看来机箱和主板并没有短路存在，并且采用排除法更换显卡和同样的内存条，故障仍然未能解决。看来故障原 因并不是处在显卡或者内存上。
一日偶然的机会，在超频处理器时因为频率设置过高导致机器无法点亮，在清除BIOS之后，却发现故障现象消失，看来BIOS设置与这个故障息息相关！
于是按着昔日设置的习惯试着优化BIOS，发现将内存参数设置之后，系统就又出现了以前的故障！看来故障原因找到了。于是设置为CL=3，故障排除。 笔者这个内存是内存降价的时候所购买，尽管支持PC133，但是CL参数却只能设置为3，设置为2时，尽管使用中也很稳定，但是正是这个原因导致了开机时 的故障。
尽管本例故障比较少见，但是从这个故障，我们可以看出，内存质量对于系统的稳定性有紧密的联系，特别是目前市面上的内存质量良莠不齐，很多用户忽略了CL这个重要的参数，希望本例故障能够让大家在选购时对内存的参数引起重视
启动系统或运行应用程序时，系统报：“error：unable to control A20 line”、“memory write/read failure”或报：“memory allocation error”等，这些问题都属内存出错故障，它与内存减少、内存不足及奇偶检验错误不同。
系统报“内存出错”有三种情况，分别由不同原因造成。一是开机自检时报“内存出错”，引起该故障的原因主要是内存条或内存控制器的硬件故障；二是在 CMOS中设置了启动系统时不自检1M以上内存，而在运行应用程序时系统报“内存出错”，引起该故障的原因可能是内存条或内存控制器的硬件故障，也可能是 软件故障；三是开机自检通过，进入DOS或Windows平台，在运行应用程序时报“内存出错”，引起该故障的原因主要是软件故障。
对于由软件故障造成的内存出错，可按下列步骤检查和处理：
1.如果是在DOS环境下运行应用程序时报“内存出错”，则怀疑是否是内存分配出错，检查DOS与运行的应用程序是否冲突，并作出相应的处理。一般可通过重新启动系统或重新编写系统配置文件来解决，对应用程序的问题则可通过相应的修改来解决。
2.如果是在Windows环境下运行应用程序时报“内存出错”，则怀疑是否是由应用程序非法访问存储器造成的，一般可通过清除内存驻留程序，减少活动窗口，调整配置程序或重新安装系统和应用程序来解决。
3.如果问题只是在运行一特殊的应用程序才出现，可能是由该软件造成的。
4.用KILL或KV300＋检测系统是否带有病毒，有则杀毒。
硬件故障造成的内存出错比较常见，CMOS设置错误、内存条接触不良、内存条安装组合错误、内存条硬件损坏、内存控制器出错等均会造成内存出错，一般可按下列步骤检查和处理：
1.由于开机自检即显示“内存出错”，首先进入CMOS设置，检查CMOS中关于内存条的参数设置是否正确，是否与内存条的配置情况相符；比如，如果设置的内存读写周期或内存读写等待时间小于内存条实际值，则应增大内存读写周期或者增加内存读写等待时间。
2.如果故障仍存在，检查内存条与内存插座槽之间接触是否良好，并作出相应的处理。
3.如果故障仍未排除，检查内存条的安装组合是否正确。一般主板的存储器安装插座分为几个体(Bank)，每个体中有二至四个存储器安装插座，可安装 二至四个存储器条。由于72线的内存条一次可以提供32位有效数据（30线内存条已淘汰，在此不予讨论），对于Pentium类CPU，其数据线为64 位，要一次能存取64位数据，就必须同时安装两个72线内存条，所以586级微机的主机板，一般必须按偶数安装72线内存条，即一次应安装2条或4条72 线SIMM存储器条。如果主板上的内存条插座是168线的，由于168线的内存条一次就可以提供64位有效数据，所以只安装一条也能正常工作。安装内存条 时应注意以下几点:对大多数PC机来说,不能在同一个Bank内将容量不同的SIMM条混插在一起。很多PC机都可安装不同容量的SIMM条，但装在同一 组Bank中的所有SIMM条必须具有相同的容量。 ．对于很多PC机来说，若把不同速度的SIMM条混插在一起，即使它们的容量相同，也会带来麻烦。例如，计算机中已有运行速度为60ns(纳秒)的 16MB内存，如果在主板的空闲内存槽中再插入速度为70ns的SIMM条，系统就有可能会拒绝引导或在启动后不久就陷于崩溃。对于某些微机来说，若把速 度低的SIMM条放至第一组，则可解决速度混合问题，计算机会按最低速度存取。 ．对于大多数PC机来说，必须将一组中的所有插槽都插满，或者将一组全部置空(当然第一组不行)，在一组插槽中不能只插一部分内存条。 ．PC机可接受的内存大小有一个上限(最大值可从PC机说明书中找到。若没有说明书，唯一的方法就是从实践中找到最大值了)。SDRAM是新一代的动 态存储器，又称为同步动态存储器或同步DRAM。虽然有不少主板支持SDRAM与EDO内存混合安装，但是最好还是不要混用。原因是SDRAM只能在 3.3V电压下工作，而EDO内存则多数在5V电压下工作。虽然主机板上对DIMM和SIMM分别供电，但它们的数据线总是要连在一起的，如果SIMM (72线内存)与DIMM(168线SDRAM)混用，尽管开始系统可以正常工作，但在使用一段时间后，可能会造成SDRAM的数据输入端被损坏。当然， 如果你的SDRAM是适合宽电压(3V～5V)工作的产品，就不会出现这种损坏情况。
4.如果故障还未解决，则用替换法检查内存条是否已损坏，并作出相应的处理。
5.如果以上措施均不能奏效，则怀疑主板或控制芯片有问题，可送专业人员检修
内存故障是电脑故障中最常见的一种，而且大多表现各异，不是很好检查排除。前段时间遇到了一些由于内存引起的电脑故障，现在把解决的过程写出来，供大家参考。
故障一
故障表现：一台电脑配置为赛扬1.7GHz、845D主板、两条128M DDR内存，但是开机显示内存显示128M，偶尔显示256M。
故障分析：打开机箱检查，发现两条内存品牌不同，做工设计也有很大差异，一问机主原来是刚升级增加了一条内存。因此先把内存条单独插到机子上试，都显 示为128M，没有问题，但是一起插上仍然显示128M，调换了内存的插槽也没用。很明显，内存兼容问题暴露出来了，让他拿旧内存去市场加差价换回一条和 第一次升级内存相同的内存条，故障排除。
维修心得：内存的兼容问题虽然不是很多，但是危害还是不小，因为它们往往有很多奇怪的表现，大家还是尽量避免不同型号的内存混用，这样能最大限度避免兼容问题的发生。
故障二
故障表现：一台电脑配置为KT133主板、Geforce4 MX440显卡、128M内存，装Windows XP频繁死机，始终无法正常安装。
故障分析：经询问，机主之前刚给电脑进行了除尘，之后发生了系统崩溃，然后就无法装系统了。经过对硬件的仔细察看，发现其内存上有一处不是很明显的硬划伤，伤及了部分PCB上的电路，看来问题也出在这里。经过换用其他内存，故障消失，看来原内存已经被彻底损坏。
维修心得：装机器或者除尘的时候，一定要注意不要给硬件造成损伤，像这样无意中损坏配件的事情，小心一点是完全可以避免的。
故障三
故障表现：电脑配置为815EP主板、128MB内存，原本使用正常，后来得到一条64MB内存，一起插上之后，内存总量只认出是64MB。
分析解决：首先将内存一条一条单独插到主板上，证实都是好的，可以排除内存条的质量问题，看来兼容问题再次出现。不过这次用换内存的方法不是很现实， 毕竟白来的64M内存小了点，换128M内存也需要不少花销。忽然想起升级主板BIOS可能会对内存支持有所提高，于是顺便把BIOS进行了购买以来的第 一次升级，故障终于排除。
维修心得：很多时候兼容问题可以通过升级主板BIOS解决，因此经常去看看有没有适合自己的BIOS、驱动下载也是不能忘记的。
故障四
故障表现：一台电脑配置为赛扬667MHz、BX芯片组主板、现代128M SDRAM，一天突然开机黑屏，蜂鸣器报警。
故障分析：由主板发出的报警声可以判断，极有可能是内存或者内存插槽有问题。先把内存条拔下换个插槽，故障依旧，看来内存插槽正常；接着换另外一条内 存插上，故障消失。看来是内存条有问题，但内存条无故坏的可能性很小，于是仔细察看内存，发现金手指部分有厚厚的污垢，看来问题在于接触不良。于是找来橡 皮在金手指部分擦拭几次，重新插入插槽，发现一切正常了。
维修心得：内存金手指和插槽接触是否良好，对于工作是否稳定非常重要。如果出现类似接触不良，我们只需要用橡皮擦拭即可，非常简单，因此电脑的防尘还是有必要强调的。
故障五
表现：朋友本来想扩充内存，结果容量反而变小了。
故障分析：朋友不知从哪里弄来了四根相同容量和型号的内存，把四个内存插槽全部插满了。查看一下说明书，四条内存条的总容量并没有超过主板的最大内存 容量支持，看来是主板BANK支持的问题，果然经过测试，上三条内存显示都正常，一旦用了四条内存，总容量反而会显示为一条内存容量，换内存的方式暂时行 不通，还是去掉一跟内存吧。
维修心得：主板所支持的BANK数量大家应该多注意，并不是说主板有四个插槽就能支持四条内存的，还必须要看内存BANK数同主板支持数。而且，除了为支持双通道而采用两条内存外，还是建议大家使用单条大容量内存
故障一：给电脑添加一条PC133内存以后（原内存为PC100内存），运行时频繁死机和热启。
分析与解决：这种情况一般是由于添加的内存与原有内存之间，品牌，速度，容量都不同或某些不同，解决方法可以采用“就低”原则，进入CMOS，在 Advanced Chipest Features中看到DRAM Timing By SPD被设置成Enable，将其修改为Disable。然后把DRAM Clock改为100MHz.重新启动计算机，故障解决。如若还不行，可以试试更换内存的插槽，一般要将速度较快的内存插在第一个插槽上。假如以上方法都 失败，建议在纯DOS下对主板的BIOS进行更新，一般问题都可以解决。
故障二：开机时系统自检要检验3遍才能通过。现象为：每次检验完毕马上从头开始检测，数次后才能通过。
分析与解决：遇到以上问题，通常是因为CMOS中的内存自检次数设置不当。只需进入CMOS中把“Quick boot”（快速启动）设为“Enable”（允许），以后开机自检就只会检测一遍内存了。
故障三：一台电脑采用KT133主板，使用普通HY PC133 128内存，在Windows下出现频繁死 机的非法操作。
分析与解决：原因是用户将BIOS进行优化，是内存工作处于最优设置下，可质量不过硬的内存在这种环境下，往往不稳定。进入CMOS,在Advance Chipest Features中将SDRAM Cycle Length由2改为3，Bank InterLeave由4Bank 改为Disable。问题解决！
故障四：机器无法进入Win98，现象为进入系统后立即自动关机。用安全模式启动，读取Himem.sys后提示“Error：Himem.sys has delected unreliable XMS memory at address XXXXX……”
分析与解决：根据提示信息，问题应该与主板或内存有关。由于提示表面在启动Himem.sys文件是内存出错，所以一般先应从内存上找出问题。此时可以试 试以下方法：（1）、将BIOS中的参数设为保守方式，最简单的方法就是使用缺省的BIOS参数。（2）、可以尝试使用放电方式清除CMOS存储器中的信 息。假如以上方法均不行，建议将主板送维修点或直接更换。
故障五：HY 128MB内存，运行Win98正常，但是升级安装Win2000之后，经常发生中断，退回DOS状态，有时能完成安装，但运行不稳定。
分析与解决：光盘没有问题，将内存换成King Max128后，非常顺利，也十分稳定。Win NT/Win 2000对硬件要求比较高，安装时对硬件检测严格，想用Win2000/NT，最好用高质量，大容量的内存。
故障六：开机后机器无法点亮，且伴有一长三短的报警声
分析与解决：根据一长三短的报警声可初步判断是内存校验出错。可在关机后打开机箱，看内存条是否存在松动现象。此外，假如内存条上的金手指有老化现象，可 用微湿的干净毛巾轻轻擦拭。最后再将其插会原插槽中。问题一般都可解决。当然，要注意以上步骤都要保证将所有插座电源均关闭后才能进行，否则容易造成配件 短路烧毁
故障一：由于使用劣质内存导致无法正常安装系统。
朋友的一台老机器需要重装系统，请笔者去帮忙。配置为：微星6340主板，毒龙650，PC-133远瀚128M内存，杂牌TNT2显卡，WD20G 硬盘。用ghost软件克隆，7分钟多一点就完成了。朋友觉得一些软件版本太旧，一些软件根本没用，就要求重做一个镜像文件。格式化C盘后，用安装光盘重 装Windows。即将完成时，系统突然提示无法复制文件，安装失败。更换安装光盘后，依旧在原处卡住。
无奈之下，用ghost克隆一个系统，再用各种测试软件检测。首先使用3Dmark2000测试，通过测试，一切正常。再用Goldmemory（GM）测试内存，在约80%处，软件报错，提示退出。找来一根现代64M内存再次重装系统，故障排除。
经仔细观察，发现此根远瀚内存有一颗内存颗粒与PCB板的一个焊点有极细微断裂，如不用心观察，根本无法识别。朋友为了节省时间，一直使用ghost 克隆软件安装系统，故障长期隐而未发。等到发现，已过质保期，除自认倒霉外别无他法。事后分析认为，此故障是由于使用质量不过关的内存，一颗内存颗粒长期 处于接触不良，时好时坏的状态所造成的。又由于ghost克隆软件是一种可以强行将数据写入硬盘的软件，故障未被发现。因此，笔者建议各位朋友在购机时， 记得多用几种测试软件测试，以免最后追悔莫急。
故障二：由于使用曾损坏的内存导致无法安装系统。
笔者一昔日同窗，购机数年，一直使用正常。日前突然来电说系统崩溃，需要重装系统。配置为：华硕P2L97，PII233超262，两条现代32M内 存，小影霸Riva128ZX显卡，启亨呛红辣椒声卡，昆腾4.3G硬盘。笔者赶到后，首先将CPU降回初始频率，再格式化硬盘，最后安装系统。
安装进行中，系统提示地址错误，安装终止。拆下内存检查，发现其中一条的金手指早已经被烧的面目全非，在少掉的地方被人用焊锡点了两个点权充作金手指 用，从痕迹上来看，应该是很久远的事情了，而且此人的焊工极差，应付了事。笔者的朋友对电脑硬件基本上不懂原理，如何能做这样的事情呢？唯一的结论是买机 器时被商家给坑了，以次充好。然而，这条内存竟然奇迹般的用了那么久才出问题，实在让人很困惑。
时值内存涨价，同窗好友因此而大出血。事后回想，电脑硬件是精密产品，虽然在出现大的问题后可以通过一定的技术手段加以修理，但是限于个人的条件和能 力，一般不可能将损坏的元件修复如新。故笔者再次提醒各位朋友，购机时千万注意仔细验货，以免被一些不法商家偷梁换柱，以次充好。
故障三：由于使用与主板不兼容的内存导致CMOS初始化失败，无法开机。
一日，一熟人来电求助，说买了两个多月的机器突然出了问题，无法启动。他的配置为：微星K7Tpro，雷鸟750， PC150KingMax128M，耕升Geforce2MX黄金版，IBM腾龙二代30G，世纪之星银版电源。打开机箱后开机，发现主板上的四个D- LED指示灯全部为红色。根据主板说明书，此时代表CMOS初始化失败或CPU自检失败。
由于AMD的K7系列CPU核心极为脆弱，因风扇扣具过紧，安装不当造成的CPU损坏多的不胜枚举。笔者将CPU取下后仔细观察，未发现有损坏。安装 好风扇后再次开机，故障依旧。至此，笔者认为是主板的BIOS损坏，但并不死心，随之将显卡、内存统统卸下，想确认一下。开机后，主机PC喇叭发出长音报 警，提示内存检测失败。观察后发现，第二个D-LED指示灯变为绿色。关机，插上KingMax内存。随后开机，D-LED指示灯全红。找来一条现代 128M内存插上机器，故障排除。元凶就是那条KingMax PC150 128M内存，PCB版本1.1。
后经过查询，得知此版本的内存条兼容性较差，尤其是在与KT133的主板搭配使用时，出现不兼容的机率更高。这是一例由个体差异引起的不兼容现象，但 是互不兼容的现象直到使用了两个多月后才出现，在此之前一切正常，这样的情况实属少见。最后的解决方案是商家退回差价，换回一根PC133的 KingMax内存条。所以各位朋友在购机时请充分了解自己的需要，不要轻易相信商家的推荐，这样才能保证自己的机器少出问题
根据内存条所应用的主机不同，内存产品也各自不同的特点。台式机内存是DIY市场内最为普遍的内存，价格也相对便宜。笔记本内存则对尺寸、稳定性、散热性 方面有一定的要求，价格要高于台式机内存。而应用于服务器的内存则对稳定性以及内存纠错功能要求严格，同样稳定性也是着重强调的。
台式机内存
笔记本内存就是应用于笔记本电脑的内存产品，笔记本内存只是使用的环境与台式机内存不同，在工作原理方面并没有什么区别。只是因为笔记本电脑对内存的稳定性、体积、散热性方面的需求，笔记本内存在这几方面要优于台式机内存，价格方面也要高于台式机内存。
笔记本内存
笔记本诞生于台式机的486年代，在那个时代的笔记本电脑，所采用的内存各不相同，各种品牌的机型使用的内存千奇百怪，甚至同一机型的不同批次也有不 同的内存，规格极其复杂，有的机器甚至使用PCMICA闪存卡来做内存。进入到台式机的586时代，笔记本厂商开始推广72针的SO DIMM标准笔记本内存，而市场上还同时存在着多种规格的笔记本内存，诸如：72针5伏的FPM；72针5伏的EDO；72针3.3伏的FPM；72针 3.3伏的EDO。此几种类型的笔记本内存都已成为“古董”级的宝贝，早已在市场内消失了。在进入到“奔腾”时代，144针的3.3伏的EDO标准笔记本 内存。在往后随着台式机内存中SDRAM的普及，笔记本内存也出现了144针的SDRAM。现在DDR的笔记本内存也在市面中较为普遍了，而在一些轻薄笔 记本内，还有些机型使用与普通机型不同的Micro DIMM接口内存。
对于多数的笔记本电脑都并没有配备单独的显存，而是采用内存共享的形式，内存要同时负担内存和显存的存储作用，因此内存对于笔记本电脑性能的影响很大。
服务器内存
服务器是企业信息系统的核心，因此对内存的可靠性非常敏感。服务器上运行着企业的关键业务，内存错误可能造成服务器错误并使数据永久丢失。因此服务器 内存在可靠性方面的要求很高，所以服务器内存大多都带有Buffer（缓存器），Register（寄存器），ECC（错误纠正代码），以保证把错误发生 可能性降到最低。服务器内存具有普通PC内存所不具备的高性能、高兼容性和高可靠性
内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主 频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前市面上已推出的内存产品中最高能达到 560MHz的主频，而较为主流的是333MHz和400MHz的DDR内存。
大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过 晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时 的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。
一般情况下内存的工作频率是和主板的外频相一致的，通过主板的调节CPU的外频也就调整了内存的实际工作频率。内存工作时有两种工作模式，一种是同步 工作模式，此模式下内存的实际工作频率与CPU外频一致，这是大部分主板所采用的默认内存工作模式。另外一种是异步工作模式，这样允许内存的工作频率与 CPU外频可存在一定差异，它可以让内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz，又或者让内存和外频以3：4、4：5等，定比例的频率上。利用异步工作 模式技术就可以避免以往超频而导致的内存瓶颈问题。
举个例子：一块845E的主板最大只能支持DDR266内存，其主频是266MHz，这是DDR内存的等效频率，其实际工作频率是133MHz。在正 常情况下（不进行超频），该主板上内存工作频率最高可以设置到DDR266的模式。但如果主板支持内存异步功能，那么就可以采用内存、外频频率以5：4的 比例模式下工作，这样内存的工作频率就可以达到166MHz，此时主板就可以支持DDR333（等效频率333MHz，实际频率166MHz）了。
目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能
传输类型指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存 类型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯 片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。
• SDRAM
• DDR
• RDRAM
• DDR2
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商 而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期 和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL (Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自 不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准 SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包 含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准
pplight
2006-01-21, 17:59:04
DDR2
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟 的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存 每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了 更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工 作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话 说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也 就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就 是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会 影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通 过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的， 终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。 因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信 号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会 产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决
接口类型
接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每 种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。对应于内 存所采用的不同的针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在 SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。
金手指
金手指（connecting finger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片 排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价 格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分 高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。
内存金手指
内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。
内存插槽
最初的计算机系统通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。DIP芯片有个最大的问题 就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷 却，慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好，产生内存错误。
早期还有另外一种方法是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发 生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板，此种方法付出的代价较大，也极为不方便。
对于内存存储器，大多数现代的系统都已采用单内联内存模块（Single Inline Memory Module，SIMM）或双内联内存模块（Dual Inline Memory，DIMM）来替代单个内存芯片。这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。
DIMM与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同 样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
不同针脚DIMM接口对比
为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同， SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；Mini Registered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。
RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM有也 184 Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。由于RDRAM内存较高的价格， 此类内存在DIY市场很少见到，RIMM接口也就难得一见了。
RDRAM内存
内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。内存容量以MB作为单位，可以简写为M。内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、 128MB、256MB等，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。目前台式机中主流采用的内存容量为256MB或512MB，64MB、128MB 的内存已较少采用。
系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位，每个字节由8位二进制数组成，即8bit（比特，也称“位”）。按照计算机的二进制方式，1Byte=8bit；1KB=1024Byte；1MB=1024KB；1GB=1024MB；1TB=1024GB。
系统中内存的数量等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和，内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定。不同主板芯片组可以支持的容量不同，比如 Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存，多余的部分无法识别。目前多数芯片组可以支持到2GB以上的内存。此外主板内存插槽的数量 也会对内存容量造成限制，比如使用128MB一条的内存，主板由两个内存插槽，最高可以使用256MB内存。因此在选择内存时要考虑主板内存插槽数量，并 且可能需要考虑将来有升级的余地。
内存电压
内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。SDRAM内存一般工作电压都在 3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循SDRAM内存3.3伏、DDR SDRAM内存2.5伏、DDR2 SDRAM内存1.8伏的基本要求，在允许的范围内浮动。
颗粒封装
颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气 体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至 关重要的作用。
随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多 种多样，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，种类不下三十种，经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经 历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠 性提高，使用更加方便。
• DIP封装
• TSOP封装
• BGA封装
• CSP封装
DIP封装
上个世纪的70年代，芯片封装基本都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，此封装形式在当时具有适合PCB（印刷电路板）穿孔安装，布线和操作较为方便等特点。DIP封装的结构形式多种多 样，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等。但DIP封装形式封装效率是很低的，其芯片面积和封装面积之比为1： 1.86，这样封装产品的面积较大，内存条PCB板的面积是固定的，封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同时较大的封装面积 对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想状态下芯片面积和封装面积之比为1：1将是最好的，但这是无法实现的，除非不进行封装，但随着封装技 术的发展，这个比值日益接近，现在已经有了1：1.14的内存封装技术。
TSOP封装
到了上个世纪80年代，内存第二代的封装技术TSOP出现，得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是内存封装的主流技术。TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。 TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。
TSOP封装内存
TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。
ＢGA封装
20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需 要，BGA封装开始被应用于生产。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。 BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封 装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装内存
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从 而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减 小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于 1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
TinyBGA封装内存
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA 则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大 幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗 150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
CSP（Chip Scale Package），是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过 1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与 BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
CSP封装内存
CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。
CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间 比BGA改善15%－20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行 中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻 40℃/W。
传输标准
内存是计算机内部最为关键的部件之一，其有很严格的制造要求。而其中的传输标准则代表着对内存速度方面的标准。不同类型的内存，无论是SDRAM、 DDR SDRAM，还是RDRAM都有不同的规格，每种规格的内存在速度上是各不相同的。传输标准是内存的规范，只有完全符合该规范才能说该内存采用了此传输标 准。比如说传输标准PC3200内存，代表着此内存为工作频率200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。
传输标准术购买内存的首要选择条件之一，它代表着该内存的速度。目前市场中所有的内存传输标准有SDRAM的PC100、PC133；DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAM的PC600、PC800和PC1066 等。
• SDRAM传输标准
• DDR传输标准
• DDR2传输标准
• RDRAM传输标准
SDRAM传输标准
PC100
PC100是由JEDEC和英特尔共同制订的一个SDRAM内存条的标准，符合该标准的内存都称为PC100，其中的100代表该内存工作频率可达 100MHz。JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准 的一组内存。大多数人认为的PC100内存，就是该内存能正常工作在前端总线（FSB）100MHz的系统中。其实PC100是一组很严格的规范，它包含 有：内存时钟周期，在100MHZ外频工作时值为10ns；存取时间小于6ns；PCB必须为六层板；内存上必须有SPD等多方面的规定。
PC100中还详细的规定了，内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、 信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规 格；详细的SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板等等。由此可见传输标准是一套相当复杂的内存标准，但具体的内存规范定 义，我们没有必要去详细了解，只要了解内存符合这个规范，那么它的数据传输能到达多大，它所能提供的性能怎么样那就足够了。
从性能的角度来说，PC100的内存在主板设置在100MHZ外频，且在主板的BIOS选项中CL设置为2，此内存可以稳定的工作。
PC133
PC133是威盛公司联合了三星、现代、日立、西门子、Micron和NEC等数家著名IT厂商联合推出的内存标准，其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。PC133 SDRAM的数据传输速率可以达到1.06GB/s。
严格地说，PC133和PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同，区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序，把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来，焊接成高档一些的内存。
DDR传输标准
PC1600如果按照传统习惯传输标准的命名，PC1600（DDR200）应该是PC200。在当时DDR内存正在与RDRAM内存进行下一代内存 标准之争，此时的RDRAM按照频率命名应该叫PC600和PC800。这样对于不是很了解的人来说，自然会认为PC200远远落后于PC600，而 JEDEC基于市场竞争的考虑，将DDR内存的命名规范进行了调整。传统习惯是按照内存工作频率来命名，而DDR内存则以内存传输速率命名。因此才有了今 天的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500等。
PC1600的实际工作频率是100 MHz，而等效工作频率是200 MHz，那么它的数据传输率就为“数据传输率＝频率*每次传输的数据位数”，就是200MHz*64bit=12800Mb/s，再除以8就换算为MB为 单位，就是1600MB/s，从而命名为PC1600。
DDR2传输标准
DDR2可以看作是DDR技术标准的一种升级和扩展：DDR的核心频率与时钟频率相等，但数据频率为时钟频率的两倍，也就是说在一个时钟周期内必须传 输两次数据。而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，核心频率仅为时钟频率的一半、时钟频率再为数据频率的一半，这样即使核心频率还在200MHz，DDR2内存的数据 频率也能达到800MHz-也就是所谓的DDR2 800。
目前，已有的标准DDR2内存分为DDR2 400和DDR2 533，今后还会有DDR2 667和DDR2 800，其核心频率分别为100MHz、133MHz、166MHz和200MHz，其总线频率(时钟频率)分别为200MHz、266MHz、 333MHz和400MHz，等效的数据传输频率分别为400MHz、533MHz、667MHz和800MHz，其对应的内存传输带宽分别为 3.2GB/sec、4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec，按照其内存传输带宽分别标注为PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400。
RDRAM传输标准
PC600
RDRAM仍旧采用习惯的内存频率来命名。PC600的工作频率为300 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为600 MHz，所以命名为PC600。
PC800
PC800的工作频率为400 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为800 MHz，所以命名为PC800。
PC1066
PC1066的工作频率为533 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为1066 MHz，所以命名为PC1066。
内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说 的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关 键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通 信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看 出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延 迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号 之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几 个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执行周期。RAS-to-CAS的时间则视技术而定，大约是5到7个周期，这 也是延迟的基本因素。
CL设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间 （tAC）。首先来了解一下存取时间（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的缩写，是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。存取时间（tAC）代 表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。
举个例子来计算一下总延迟时间，比如一条DDR333内存其存取时间为6ns，其内存时钟周期为6ns（DDR内存时钟周期＝1X2/内存频率， DDR333内存频率为333，则可计算出其时钟周期为6ns）。我们在主板的BIOS中将其CL设置为2.5，则总的延迟时间＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就减少了3ns的时间。
从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。所以对系统要求高和喜欢超频的用户通常喜欢购买CL值较低的内存。目前各内存颗粒厂商除了从提 高内存时钟频率来提高DDR的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低CAS延迟时间来提高内存性能。不同类型内存的典型CL值并不相同，例如目前典型 DDR的CL值为2.5或者2，而大部分DDR2 533的延迟参数都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以达到3。
不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数 据。再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形 下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。
选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费
ECC校验
ECC内存即纠错内存，简单的说，其具有发现错误，纠正错误的功能，一般多应用在高档台式电脑/服务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定。
内存是一种电子器件，在其工作过程中难免会出现错误，而对于稳定性要求高的用户来说，内存错误可能会引起致命性的问题。内存错误根据其原因还可分为硬 错误和软错误。硬件错误是由于硬件的损害或缺陷造成的，因此数据总是不正确，此类错误是无法纠正的；软错误是随机出现的，例如在内存附近突然出现电子干扰 等因素都可能造成内存软错误的发生。
为了能检测和纠正内存软错误，首先出现的是内存“奇偶校验”。内存中最小的单位是比特，也称为“位”，位有只有两种状态分别以1和0来标示，每8个连 续的比特叫做一个字节（byte）。不带奇偶校验的内存每个字节只有8位，如果其某一位存储了错误的值，就会导致其存储的相应数据发生变化，进而导致应用 程序发生错误。而奇偶校验就是在每一字节（8位）之外又增加了一位作为错误检测位。在某字节中存储数据之后，在其8个位上存储的数据是固定的，因为位只能 有两种状态1或0，假设存储的数据用位标示为1、1、1、0、0、1、0、1，那么把每个位相加（1＋1＋1＋0＋0＋1＋0＋1＝5），结果是奇数。对 于偶校验，校验位就定义为1，反之则为0；对于奇校验，则相反。当CPU读取存储的数据时，它会再次把前8位中存储的数据相加，计算结果是否与校验位相一 致。从而一定程度上能检测出内存错误，奇偶校验只能检测出错误而无法对其进行修正，同时虽然双位同时发生错误的概率相当低，但奇偶校验却无法检测出双位错 误。
ECC（Error Checking and Correcting，错误检查和纠正）内存，它同样也是在数据位上额外的位存储一个用数据加密的代码。当数据被写入内存，相应的ECC代码与此同时也被 保存下来。当重新读回刚才存储的数据时，保存下来的ECC代码就会和读数据时产生的ECC代码做比较。如果两个代码不相同，他们则会被解码，以确定数据中 的那一位是不正确的。然后这一错误位会被抛弃，内存控制器则会释放出正确的数据。被纠正的数据很少会被放回内存。假如相同的错误数据再次被读出，则纠正过 程再次被执行。重写数据会增加处理过程的开销，这样则会导致系统性能的明显降低。如果是随机事件而非内存的缺点产生的错误，则这一内存地址的错误数据会被 再次写入的其他数据所取代。
使用ECC校验的内存，会对系统的性能造成不小的影响，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的，带ECC校验的内存价格比普通内存要昂贵许多。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟 的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存 每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了 更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工 作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话 说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也 就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就 是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会 影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通 过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的， 终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。 因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信 号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会 产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决
接口类型
接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每 种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。对应于内 存所采用的不同的针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在 SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。
金手指
金手指（connecting finger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片 排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价 格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分 高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。
内存金手指
内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。
内存插槽
最初的计算机系统通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。DIP芯片有个最大的问题 就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷 却，慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好，产生内存错误。
早期还有另外一种方法是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发 生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板，此种方法付出的代价较大，也极为不方便。
对于内存存储器，大多数现代的系统都已采用单内联内存模块（Single Inline Memory Module，SIMM）或双内联内存模块（Dual Inline Memory，DIMM）来替代单个内存芯片。这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。
DIMM与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同 样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
不同针脚DIMM接口对比
为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同， SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；Mini Registered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。
RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM有也 184 Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。由于RDRAM内存较高的价格， 此类内存在DIY市场很少见到，RIMM接口也就难得一见了。
RDRAM内存
内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。内存容量以MB作为单位，可以简写为M。内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、 128MB、256MB等，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。目前台式机中主流采用的内存容量为256MB或512MB，64MB、128MB 的内存已较少采用。
系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位，每个字节由8位二进制数组成，即8bit（比特，也称“位”）。按照计算机的二进制方式，1Byte=8bit；1KB=1024Byte；1MB=1024KB；1GB=1024MB；1TB=1024GB。
系统中内存的数量等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和，内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定。不同主板芯片组可以支持的容量不同，比如 Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存，多余的部分无法识别。目前多数芯片组可以支持到2GB以上的内存。此外主板内存插槽的数量 也会对内存容量造成限制，比如使用128MB一条的内存，主板由两个内存插槽，最高可以使用256MB内存。因此在选择内存时要考虑主板内存插槽数量，并 且可能需要考虑将来有升级的余地。
内存电压
内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。SDRAM内存一般工作电压都在 3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循SDRAM内存3.3伏、DDR SDRAM内存2.5伏、DDR2 SDRAM内存1.8伏的基本要求，在允许的范围内浮动。
颗粒封装
颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气 体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至 关重要的作用。
随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多 种多样，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，种类不下三十种，经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经 历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠 性提高，使用更加方便。
• DIP封装
• TSOP封装
• BGA封装
• CSP封装
DIP封装
上个世纪的70年代，芯片封装基本都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，此封装形式在当时具有适合PCB（印刷电路板）穿孔安装，布线和操作较为方便等特点。DIP封装的结构形式多种多 样，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等。但DIP封装形式封装效率是很低的，其芯片面积和封装面积之比为1： 1.86，这样封装产品的面积较大，内存条PCB板的面积是固定的，封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同时较大的封装面积 对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想状态下芯片面积和封装面积之比为1：1将是最好的，但这是无法实现的，除非不进行封装，但随着封装技 术的发展，这个比值日益接近，现在已经有了1：1.14的内存封装技术。
TSOP封装
到了上个世纪80年代，内存第二代的封装技术TSOP出现，得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是内存封装的主流技术。TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。 TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。
TSOP封装内存
TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。
ＢGA封装
20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需 要，BGA封装开始被应用于生产。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。 BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封 装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装内存
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从 而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减 小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于 1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
TinyBGA封装内存
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA 则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大 幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗 150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
CSP（Chip Scale Package），是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过 1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与 BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
CSP封装内存
CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。
CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间 比BGA改善15%－20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行 中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻 40℃/W。
传输标准
内存是计算机内部最为关键的部件之一，其有很严格的制造要求。而其中的传输标准则代表着对内存速度方面的标准。不同类型的内存，无论是SDRAM、 DDR SDRAM，还是RDRAM都有不同的规格，每种规格的内存在速度上是各不相同的。传输标准是内存的规范，只有完全符合该规范才能说该内存采用了此传输标 准。比如说传输标准PC3200内存，代表着此内存为工作频率200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。
传输标准术购买内存的首要选择条件之一，它代表着该内存的速度。目前市场中所有的内存传输标准有SDRAM的PC100、PC133；DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAM的PC600、PC800和PC1066 等。
• SDRAM传输标准
• DDR传输标准
• DDR2传输标准
• RDRAM传输标准
SDRAM传输标准
PC100
PC100是由JEDEC和英特尔共同制订的一个SDRAM内存条的标准，符合该标准的内存都称为PC100，其中的100代表该内存工作频率可达 100MHz。JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准 的一组内存。大多数人认为的PC100内存，就是该内存能正常工作在前端总线（FSB）100MHz的系统中。其实PC100是一组很严格的规范，它包含 有：内存时钟周期，在100MHZ外频工作时值为10ns；存取时间小于6ns；PCB必须为六层板；内存上必须有SPD等多方面的规定。
PC100中还详细的规定了，内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、 信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规 格；详细的SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板等等。由此可见传输标准是一套相当复杂的内存标准，但具体的内存规范定 义，我们没有必要去详细了解，只要了解内存符合这个规范，那么它的数据传输能到达多大，它所能提供的性能怎么样那就足够了。
从性能的角度来说，PC100的内存在主板设置在100MHZ外频，且在主板的BIOS选项中CL设置为2，此内存可以稳定的工作。
PC133
PC133是威盛公司联合了三星、现代、日立、西门子、Micron和NEC等数家著名IT厂商联合推出的内存标准，其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。PC133 SDRAM的数据传输速率可以达到1.06GB/s。
严格地说，PC133和PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同，区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序，把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来，焊接成高档一些的内存。
DDR传输标准
PC1600如果按照传统习惯传输标准的命名，PC1600（DDR200）应该是PC200。在当时DDR内存正在与RDRAM内存进行下一代内存 标准之争，此时的RDRAM按照频率命名应该叫PC600和PC800。这样对于不是很了解的人来说，自然会认为PC200远远落后于PC600，而 JEDEC基于市场竞争的考虑，将DDR内存的命名规范进行了调整。传统习惯是按照内存工作频率来命名，而DDR内存则以内存传输速率命名。因此才有了今 天的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500等。
PC1600的实际工作频率是100 MHz，而等效工作频率是200 MHz，那么它的数据传输率就为“数据传输率＝频率*每次传输的数据位数”，就是200MHz*64bit=12800Mb/s，再除以8就换算为MB为 单位，就是1600MB/s，从而命名为PC1600。
DDR2传输标准
DDR2可以看作是DDR技术标准的一种升级和扩展：DDR的核心频率与时钟频率相等，但数据频率为时钟频率的两倍，也就是说在一个时钟周期内必须传 输两次数据。而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，核心频率仅为时钟频率的一半、时钟频率再为数据频率的一半，这样即使核心频率还在200MHz，DDR2内存的数据 频率也能达到800MHz-也就是所谓的DDR2 800。
目前，已有的标准DDR2内存分为DDR2 400和DDR2 533，今后还会有DDR2 667和DDR2 800，其核心频率分别为100MHz、133MHz、166MHz和200MHz，其总线频率(时钟频率)分别为200MHz、266MHz、 333MHz和400MHz，等效的数据传输频率分别为400MHz、533MHz、667MHz和800MHz，其对应的内存传输带宽分别为 3.2GB/sec、4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec，按照其内存传输带宽分别标注为PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400。
RDRAM传输标准
PC600
RDRAM仍旧采用习惯的内存频率来命名。PC600的工作频率为300 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为600 MHz，所以命名为PC600。
PC800
PC800的工作频率为400 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为800 MHz，所以命名为PC800。
PC1066
PC1066的工作频率为533 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为1066 MHz，所以命名为PC1066。
内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说 的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关 键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通 信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看 出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延 迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号 之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几 个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执行周期。RAS-to-CAS的时间则视技术而定，大约是5到7个周期，这 也是延迟的基本因素。
CL设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间 （tAC）。首先来了解一下存取时间（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的缩写，是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。存取时间（tAC）代 表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。
举个例子来计算一下总延迟时间，比如一条DDR333内存其存取时间为6ns，其内存时钟周期为6ns（DDR内存时钟周期＝1X2/内存频率， DDR333内存频率为333，则可计算出其时钟周期为6ns）。我们在主板的BIOS中将其CL设置为2.5，则总的延迟时间＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就减少了3ns的时间。
从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。所以对系统要求高和喜欢超频的用户通常喜欢购买CL值较低的内存。目前各内存颗粒厂商除了从提 高内存时钟频率来提高DDR的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低CAS延迟时间来提高内存性能。不同类型内存的典型CL值并不相同，例如目前典型 DDR的CL值为2.5或者2，而大部分DDR2 533的延迟参数都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以达到3。
不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数 据。再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形 下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。
选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费
ECC校验
ECC内存即纠错内存，简单的说，其具有发现错误，纠正错误的功能，一般多应用在高档台式电脑/服务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定。
内存是一种电子器件，在其工作过程中难免会出现错误，而对于稳定性要求高的用户来说，内存错误可能会引起致命性的问题。内存错误根据其原因还可分为硬 错误和软错误。硬件错误是由于硬件的损害或缺陷造成的，因此数据总是不正确，此类错误是无法纠正的；软错误是随机出现的，例如在内存附近突然出现电子干扰 等因素都可能造成内存软错误的发生。
为了能检测和纠正内存软错误，首先出现的是内存“奇偶校验”。内存中最小的单位是比特，也称为“位”，位有只有两种状态分别以1和0来标示，每8个连 续的比特叫做一个字节（byte）。不带奇偶校验的内存每个字节只有8位，如果其某一位存储了错误的值，就会导致其存储的相应数据发生变化，进而导致应用 程序发生错误。而奇偶校验就是在每一字节（8位）之外又增加了一位作为错误检测位。在某字节中存储数据之后，在其8个位上存储的数据是固定的，因为位只能 有两种状态1或0，假设存储的数据用位标示为1、1、1、0、0、1、0、1，那么把每个位相加（1＋1＋1＋0＋0＋1＋0＋1＝5），结果是奇数。对 于偶校验，校验位就定义为1，反之则为0；对于奇校验，则相反。当CPU读取存储的数据时，它会再次把前8位中存储的数据相加，计算结果是否与校验位相一 致。从而一定程度上能检测出内存错误，奇偶校验只能检测出错误而无法对其进行修正，同时虽然双位同时发生错误的概率相当低，但奇偶校验却无法检测出双位错 误。
ECC（Error Checking and Correcting，错误检查和纠正）内存，它同样也是在数据位上额外的位存储一个用数据加密的代码。当数据被写入内存，相应的ECC代码与此同时也被 保存下来。当重新读回刚才存储的数据时，保存下来的ECC代码就会和读数据时产生的ECC代码做比较。如果两个代码不相同，他们则会被解码，以确定数据中 的那一位是不正确的。然后这一错误位会被抛弃，内存控制器则会释放出正确的数据。被纠正的数据很少会被放回内存。假如相同的错误数据再次被读出，则纠正过 程再次被执行。重写数据会增加处理过程的开销，这样则会导致系统性能的明显降低。如果是随机事件而非内存的缺点产生的错误，则这一内存地址的错误数据会被 再次写入的其他数据所取代。
使用ECC校验的内存，会对系统的性能造成不小的影响，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的，带ECC校验的内存价格比普通内存要昂贵许多。
