反相器
画pmos
- 画有源区 （OD）3.6 6
- 画栅（POLy）上下扩出0.6u
- 添加一个pselect层（PIMP）覆盖整个有源区0.6u，然后在外围画nwell，覆盖有源区1.8u
- 衬底连接：pmos的衬底（nwell）必须连接vdd，画有源区1.2u 1.2u，外层覆盖nselect（NIMP）扩0.6u，最后将nwell拉长包裹。
布线
pmos必须接到输入信号和电源上
- 有源区（D and S）连接，在S and D区用contact孔画三个0.6 0.6矩形，间距1.5u
- 用metal1画两个矩形覆盖S and D的contact，扩边0.3u
- 为完成衬底连接，我们必须在衬底的有源区中间加个contact0.6 0.6 ，距离active区0.3
- 画电源的金属连线，宽3u
- metal1 vdd与D端连接
nmos版图
修改参数
非门绘制，输入输出
pmos和nmos以多晶硅为基准对其，poly拉长连接。
输入：为了与外部电路连接，我们需要用到metal2.但是poly不能与metal2直接相连，用到metal1.
- 在两个mos管连接的poly上画一个0.6 0.6 的contact
- 在这个contact上覆盖poly，扩0.3u
- 在这个contact的左边画一个0.6 0.6的via，在其上覆盖metal2，扩0.3u
- 用metal1连接via和contact，扩0.3u
- 在两版图右边的metal1连接起来，然后放一个via，在via放metal2.
- 1是contact 2是poly 3是metal1 4是via 或者直接把contact打在poly上 然后用metal1连接。
打pin
in out vdd vss 打在metal1 pin上。
一些规则
