三星 NAND FLASH命名规范 Samsung NAND Flash Code Information

一共有三页，介绍了前面主要的编号和横杠后面的编号，当前文档只关注前面的编号。

从前面的命名规范中可以得知当前芯片的容量、技术等概要信息，对芯片有一个整体了解。

详细解释

Small Classification

表示存储单元的类型和应用，比如

SLC 1 Chip XD Card

表示是SLC的，包含1个Chip的XD图像卡，eXtreme Digital Card是一种于2002年推出的存储卡格式，主要用于数码相机和其他便携式设备。

Density

表示当前型号的颗粒的容量，注意是bit。一个存储芯片可以挂多个颗粒，一起组成了芯片的容量。比如K9F5608U0D，56对应256Mb，也就是32MB，如果是四块，那么芯片就是32x4=128MB，那么这个固态硬盘或U盘就是128MB的。

Technology

表示颗粒制作封装工艺，比如

moviMCP 移动多芯片封装（Mobile Multi-Chip Package）

是三星针对移动设备开发的封装技术，可以将多个NAND闪存芯片封装在一个小型封装内

Organization

是指颗粒的排列方式。比如K9F5608U0D，56表示256Mb，8表示x8，也就是256Mb的容量分成8个平面，一个平面有256/8=32Mb的存储单元

Mode

可以的模式，比如

Dual nCE & Dual R/nB

双NAND控制器通道双读写缓冲区，这是一种高级操作模式，通过同时利用两个NAND控制器通道（nCe）来增强数据传输性能。该模式支持并发读（R）和写（nB/nand buffer）操作，从而显著提高整体吞吐量。

Generation

应该表示是第几代产品

例子一

这是从网上找的一个材料，我们一一对应解析一下。
K-存储
9-NAND Flash
F-SLC Normal
56-当前型号的颗粒容量，256Mb，注意，这里是bit，小b
0-Technology，Normal
8-Organization，x8
U-电压，2.7V~3.6V
0-Mode，Normal
D-Generation，5th

例子二

这里和上面一样，都可以一一对应，不过容量是512MBX2，为什么呢，我们可以看到起容量是8Gb=8Gb/8=1GB，其Mode是1，表示Dual nCE & Dual R/nB，我们上面介绍了，这个是双通道，也就是512MBx2。