芯片关键工艺（AA POLY CT M1）

芯片关键工艺分为几步：AA（就是离子注入的主要位置）、poly（多晶硅材质，电压就是压在他上面）、CT（这里指下面晶体管跟上面金属线的连接层）、M1（金属线第一层，一般越先进的工艺，金属线排布越复杂，不过工艺条件差不多，以第一层来代替后续工艺），AA、Poly更是将晶体管定义出来了，关键之处不言而喻，后面的CT、metal不过是将这些晶体管连起来的管路而已，特别是metal，都是重复堆叠，相比较而言更考验CMP（就是研磨，现在的东西镀膜了要通过CMP磨平，金属线填充的高低起伏要靠CMP磨平，所以现在金属线的工艺水平几乎受CMP制约）的能力。

做AA、Poly，最考验litho和etch（刻蚀，一般指离子刻蚀），怎么样曝出来符合要求的尺寸，fab叫CD（critical dimension，特征尺寸，其实就是大家常说的45nm工艺等，poly的线宽），是最核心的工艺，一般fab里最顶尖的机台和工程师就是为这个服务的，intel有鱼鳍结构的，后面或者3D晶体管，这个必须大牛才能解释清楚了。