模拟电子技术基础
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P1开篇：
什么叫本征半导体？
本征半导体是指在室温下没有掺杂杂质（也称为杂质浓度为零）的半导体材料。一般为：Si、Ge
本征半导体导电原理：
本征激发使电子游离，从而产生空穴。由于原本的电子缺失，会在电子原本的位置产生一个空穴，会使得原子会显正电，游离的电子显负电。（无极生太极，太极生两仪）
如果给本征半导体增加一个向左的场能，则会使电子向右移动。因为电子向右移动，右边的原子会产生新的空穴，而左边的空穴则会被转移过来的电子填充，此时会表现出空穴左移的现象。
施加向左的场能，左边原子的电子向右移动填充左边的空穴的运动，就叫做“复合运动”。
本征半导体概念介绍：
载流子是自由电子和空穴
空穴与电子相反方向运动
电流方向与空穴运动方向相同（负电荷运动的相反方向是电流方向，同理，正电荷运动的方向是电流方向）
杂质半导体介绍：
杂质半导体分为两部分，一部分叫P型半导体，P就是positive的意思，带正电。一部分叫N型半导体，N就是negative的意思，带负电。
其中，
P型半导体一般掺入B元素，多子为空穴，少子为自由电子。
N型半导体一般掺入P元素，多子为自由电子，少子为空穴。
（可别糊涂了，这是杂质半导体，杂质是B、P，主体元素依然是Si或Ge）
P2 PN结及其单向导电性：
看到“原子”、“半导体”字样，要知道他们是呈电中性的。
在本章节，我发现我对杂质半导体的理解有误，所以问了AI老师几个问题：
杂质半导体的原理？
杂质半导体是指通过向纯半导体中掺杂少量的杂质原子，改变其导电性质而得到的半导体材料。掺入的杂质原子会在晶体中形成离子，从而改变半导体的电子能带结构，导致半导体的导电性质发生变化。杂质半导体主要包括P型半导体和N型半导体。P型半导体通常是通过向硅晶体中掺杂三价元素（如硼或铝）来制备的。这些杂质原子只有三个价电子，与硅原子形成的共价键只有三个，留下一个“空穴”，可以看作是带有正电的“缺陷”。在P型半导体中，这些空穴是主要的载流子，占据能量较低的价带，导致电子不能自由地流动，从而形成电阻。N型半导体则是通过向硅晶体中掺杂五价元素（如磷或砷）来制备的。这些杂质原子有五个价电子，其中四个电子形成共价键，留下一个多余的电子，形成自由电子。在N型半导体中，这些自由电子是主要的载流子，占据能量较高的导带，可以自由地流动。
当P型半导体和N型半导体连接在一起时，两者的多子和少子会在结面上扩散和复合，形成一个空间电荷区域，该区域的内部电场指向P型半导体。这时P型半导体的空穴将流入空间电荷区域，使其带有正电荷，形成一个势垒。这个势垒具有阻碍自由电子流动的作用，从而形成一个PN结，这是制造各种电子器件的基础。
上面这张图只是为了方便我们理解，不必纠结太多
看到这张图也不必再心生疑惑了，之前对P型区域中间的“-”和N型区域中间的“+”有疑惑，现在已经很明白了。在此解释一下：P型半导体加入B元素，B元素最外层电子数是3，Si元素最外层电子数是4，B和Si形成三个共价键，此时，Si会有一个电子无法形成共价键，这个时候，我们把这个Si视为带有一个负电荷的原子，与其生成共价键的B视为带一个空穴的原子。在同一片区域存在一个电子和一个空穴，所以还是稳定的状态，所以P型半导体并不带电。N型同理~
大概是下图这么个意思，太抽象了
PN结介绍：
把P型半导体和N型半导体放一起时，由于二者所带自由电子和空穴的浓度不同，所以会产生浓度高流向浓度低的情况，其中多子的运动叫做扩散运动，此时会产生中和区域，叫做PN结，又称为“空间电荷区”、“势垒区”。在势垒区会产生一个指向P型半导体的内电场，这个电场会阻止二者多子的流动，但是却可以支持少子的流动，少子的流动就叫做“漂移运动”。
单向导电性原理：
分为正偏和反偏，没啥可说的，看图吧。其中要介绍一点，外部电源的电场是正极指向负极方向。
P3 PN结的其他特性：
PN结的伏安特性：
公式：公式看图吧，必须记住（Ut是温度常量，是固定值26mV）
加入外部电源后，PN结正偏就是图中右侧的效果，通过PN结的电流呈指数关系。如果PN结反偏就是图中左侧的效果，通过PN结的电流呈逆向的小电流
下面的例题给出了通过两个PN结的电流和正向电流的大小，由此可以得出通过两个PN结的电压
击穿特性：
击穿特性分为两种，一种叫做雪崩击穿，一种叫做齐纳击穿。其中雪崩击穿的发生条件是，当PN结反偏，PN结变厚，此时，如果外部电源所加电压过高，会导致载流子撞出束缚电子，被撞出的束缚电子会撞出其他的束缚电子，这种击穿方式就叫做雪崩击穿。（好像原子弹的链式反应）
齐纳击穿的发生条件是，当PN结正偏，此时，如果外部电源所加电压较低，PN结较薄，束缚电子会被内电场拉出来，变成自由电子，这种击穿方式叫做齐纳击穿。（简单的说就是电子被内电场给拉出来了）
电容特性：
这个玩意没啥，就是说PN结可以等效的看作一个电容和电阻并联
P4 二极管与稳压管：
二极管伏安特性：
二极管是一个带了外壳的PN结，所以如果要导通，必须有一个基础电压，这个基础电压就被成为死区电压，大小为0.3V。在图中是UT。
U1是导通压降，也就是说普通半导体到达0.7v这个电压时，即便增大电流，电压也很难再发生改变。
IR叫反向饱和电流，视频中没多说，看图吧。
UBR叫反向击穿电压。看名字就明白咋回事了。但是击穿不一定会损坏，只要反偏电压不过高，当电压恢复正常后PN结还能够恢复正常的状态。
二极管工作状态的判断：
不知道咋总结了，看图吧，要多做题才能真正掌握。
其中有几个点要说一下，就是右边这个红色的波形图中，当电压小于0.7V时，Ui和Uo相等。当电压超过0.7V的时候，变通路了，这是二极管可以看作导线，所以二极管两端的电压是0。
至于图中的负电压怎么来的，如果忘记了可能会很疑惑，其实这个负电压就是电源负极接到了二极管上，所以在接到电源负极的那一端上标一个负电压。
PN结中，N端是-的，P端是+的。
还有，算了...不记录了，如果忘记了就看视频吧。
稳压管的工作状态判断：
搞的不是很明白，有空再看看...
