摘要：
DUMMY的用途大概有一下几种：1. 保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等；2. 避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size：如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上dummy res和dummy cap等，以及关键MOS附近加dummy MOS等；3. 避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上dummy routing layer后者dummy元器件：如对于某些易受干扰的信号线除 阅读全文
摘要：
MOS管的二级效应有体效应和沟道长度调制效应两种。1、体效应—衬偏效应（bulk effect）体效应的产生是由于MOS管的源衬电压Vsb发生变化而引起的。所以，MOS管的源级电压或是衬底电压变化均可产生体效应，使MOS管的阈值电压Vth发生变化。有时候，体效应也被称为“背栅效应”；体效应中有个重要... 阅读全文
摘要：
LOD Effect——Length Of Diffusion Effect [纳米级别的版图在设计的时候需注意二级效应。二级效应(Device Geometry Effect)：WPE(Well Proximity Effect)、LOD、PSE（Poly Space Effect）、OSE（Diffusion Space Effect）]对于相同大小栅极，因其所在扩散区的相对位置及尺寸大小不同而有不同电学效应，这是由于浅槽沟道隔离（Shallow Trench Isolation,STI）有不同的应力效应，所以又称STI应力效应。 0.25以下工艺大多数采用STI隔离技术，STI会产生许多 阅读全文