LOD
LOD Effect——Length Of Diffusion Effect [纳米级别的版图在设计的时候需注意二级效应。二级效应(Device Geometry Effect)：WPE(Well Proximity Effect)、LOD、PSE（Poly Space Effect）、OSE（Diffusion Space Effect）]
对于相同大小栅极，因其所在扩散区的相对位置及尺寸大小不同而有不同电学效应，这是由于浅槽沟道隔离（Shallow Trench Isolation,STI）有不同的应力效应，所以又称STI应力效应。 0.25以下工艺大多数采用STI隔离技术，STI会产生许多隔离岛，也产生了不定型或不均匀双轴压应力。处在有源区的应力状态是不均匀的，它与整个有源区的面积有关。 STI主要影响器件的饱和电流（Idsat）和阈值电压（Vth）。 STI延展效应可以通过以下两个参数来描述：SA,SB。这两个参数分别表示栅到有源区两边缘的距离。 MOSFET特性参数如Vth、Idsat， 会因为以下函数变化：
Stress=1/(SA+L/2)+1/(SB+L/2)
其中L指栅长，由此可见，只有当SA、SB均变大时，应力才会变小。以下是STI应力图示，应力大小是有源区大小、MOS管在有源区的位置和MOS管尺寸综合决定的：
上图表明，增加器件到有源区边缘的距离可以减小STI盈利效应，这样就需要为需要保护的器件添加dummy，而且这些dummy必须与被保护器件共享有源区，否则无效。
另外，由于双轴应力增加了空穴的迁移率，减小了电子的迁移率，故随着栅源电压的减小，PMOS的源漏电流增加，而NMOS的漏源电流减小，且SA 、SB越小，效应越明显。而对于非常小的栅源电压，NMOS的漏源电流会突然增加，特别是SA、SB小的时候，这是阈值变化的结果，该变化由应力增强/抑制有源区产生。
参 考：Implications of Proximity Effects for Analog Design，PG Drennan, ML Kniffin, DR Locascio，Freescale Semiconductor, Inc., Tempe, AZ 85284
