CMOS二级效应

MOS管的二级效应有体效应和沟道长度调制效应两种。

1、体效应—衬偏效应（bulk effect）

体效应的产生是由于MOS管的源衬电压Vsb发生变化而引起的。所以，MOS管的源级电压或是衬底电压变化均可产生体效应，使MOS管的阈值电压Vth发生变化。有时候，体效应也被称为“背栅效应”；体效应中有个重要的MOS参数就是体效应系数。

现在想想，在模拟集成电路设计中，将源和衬底连接一起目的就是有效降低体效应对MOS管性能以及整个电路性能的影响。

2、沟长调制效应（Channel length modulation effect）

MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。