TQ2440开发板存储器

TX2440A与TQ2440A开发板使用核心板完全相同

有过51单片基础的同学应该都会看懂下图，先看下图，对实验板存储器分布有一个整体印象：

s3c2440存储器概述：

1、S3C2440A的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号

2、27位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写控制信号等
3、总共有8个存储器bank（bank0—bank7）
   bank0---bank5为固定128MB
   bank6和bank7的容量可编程改变，可以是2、4、8、16、32、64、128MB
   最大共1GB

4、bank0可以作为引导ROM
   其数据线宽只能是16位和32位，其它存储器的数据线宽可以是8位、16位和32位
5、7个固定存储器bank(bank0-bank6)起始地址
   bank7的开始地址与bank6的结束地址相连接，但是二者的容量必须相等
6、所有存储器bank的访问周期都是可编程的
7、支持SDRAM的自刷新和掉电模式
8、支持大小端（软件选择）

 

NANDFLASH启动： OM1=0  OM0=0
NORFLASH启动：  OM1=0  OM0=1

 

开发板硬件：

TQ2440A开发板使用的SDRAM：
  型号：K4S561632（两片）
  大小：
      4M * 16bit * 4banks * 2片= 512 bit = 64M 字节
  数据宽度：32 bit

  连接在BANK6上，片选信号nGCS6
  地址范围：0x3000_0000—0x33FF_FFFF

  有四个逻辑BANK（L-BANK）
  由BA1、BA0选择
  行地址数：13
  列地址数：9

SDRAM存储区分布：

0x3000_0000~0x3100_0000程序代码区、文字常量区
0x33ff_0000~0x33ff_4800堆区
0x33ff_4800~0x33ff_8000栈区
0x33ff_ff00~0x3400_0000偏移中断向量表

 

                              SDRAM配置寄存器：

NOR FLASH (EN29LV160AB):
  大小：2M
  数据宽度：16bit
  连接在BANK0上，片选信号nGCS0
  地址范围：0x0000_0000---0x0020_0000
特点：
  线性寻址
  可直接按地址进行读写操作
  写操作之前需进行擦除操作
  写入、擦除速度较慢，读取速度较快，单位密度低、成本较高

 

NAND FLASH(K9F2G08)
  大小：256M * 8Bit
  数据宽度：8位
  地址范围：有专门的时序控制总线，不占用系统总线资源
特点：
  非线性寻址
  读操作，一次必须读一个扇区（512字节）
  写操作，可按指定地址直接写入
  写之前必须进行擦除操作
  单位密度高、成本低、擦除速度快

存储空间组织：（256M＋8M）×8bit
  数据空间： 2planes×1kblocks×64pages×2048Byte
  寄存器空间： 2planes×1kblocks×64pages×64Byte
自动编程和擦除
  页编程：（2048＋64）Byte
  块擦除：（128K＋4K）Byte
  2112Byte 页读取操作

NAND FLASH 启动方式：

1、2440内部有一个叫做“起步石（Steppingstone）”  的 SRAM缓冲器
2、系统启动时Nand flash存储器的前面4K字节被自动拷贝到Steppingstone中
3、Steppingstone被映射到nGCS0对应的BANK0存储空间
4、CPU在Steppingstone的4-KB内部缓冲器中开始执行引导代码
5、引导代码执行完毕后，自动跳转到SDRAM执行

 

管脚配置：
D[7:0] : 数据/命令/地址/的输入/输出口（与数据总线共享）
CLE : 命令锁存使能 (输出)
ALE : 地址锁存使能（输出）
nFCE : NAND Flash 片选使能（输出）
nFRE : NAND Flash 读使能 (输出)
nFWE : NAND Flash 写使能 (输出)
R/nB : NAND Flash 准备好/繁忙（输入）

 

                              控制寄存器：

NAND FLASH 操作步骤：

1、通过NFCONF寄存器配置NandFlash；
2、写NandFlash命令到NFCMMD寄存器；
3、写NandFlash地址到NFADDR寄存器；
4、写数据到NFDATA，或从NFDATA读数据；
5、在读写数据时，通过NFSTAT寄存器来获得Nand flash的状态信息。应该在读操作前或写入之后检查R/nB信号（准备好/忙信号）
6、在读写操作后要查询校验错误代码，对错误进行纠正

命令字：

寻址：

对于K9F1208(64M)
  Block  Address  块地址  A[25:14]
  Page   Address  页地址  A[13:9]
  Column Address  列地址  A[7:0]
 
A8是halfpage pointer
被读命令00h设为低电平  访问A区（0～255byte）
被读命令01h设为高电平  访问B区（256～511byte）

50h访问C区（512～527byte）

地址传送顺序是：列地址，页地址，块地址