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2024年1月28日

摘要： 5.3.2 电容重置开关电容增益电路为了消除需要放大器输出每个时钟周期都需要摆动到接近0V，并且仍然能够取消掉放大器的失调电压，可以使用一个电容重置增益电路。这个增益电路的基本思路是通过一个之前充电到输出电压电容，将放大器的输出在复位相耦合到一个反相的输入。因此，我们会看到这个增益电路的一个性质是阅读全文

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模拟集成电路设计系列博客——5.3.1 可重置开关电容增益电路

摘要： 5.3.1 可重置开关电容增益电路最常见的非滤波器模拟功能可能是增益电路，即输出信号是输入信号的比例缩放。使用开关电容技术可以实现精确的增益电路。开关电容增益电路的一个重要应用是在流水线ADC中。具体的流水线ADC中的开关电容电路会在那个章节中进行讨论。在有源RC电路中，增益电路可以通过电阻和电阅读全文

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2024年1月26日

近似计算Survey阅读笔记

摘要：近似计算Survey阅读笔记论文：A Review, Classification, and Comparative Evaluation of Approximate Arithmetic Circuits | ACM Journal on Emerging Technologies in Co 阅读全文

posted @ 2024-01-26 15:34 sasasatori 阅读(456) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2024年1月18日

CIM技术经典导读之数字SRAM CIM技术

摘要： CIM技术经典导读之数字SRAM CIM技术序言啊哈，挖个新坑，计划把我这边自己感觉比较classic的一些CIM工作给整理出来，和读者们一起分享讨论，论文的主要来源会挑选ISSCC，VLSI上的文章，如何评价是否classic这个主要是根据我自己的感觉来，可能也会参照一下highlight p 阅读全文

posted @ 2024-01-18 21:07 sasasatori 阅读(2397) 评论(0) 推荐(3) 编辑

2024年1月14日

ARM Memory Compiler 学习

摘要：我们一共拿到了两个版本的工具，分别是sram_dp_hsd_svt_mvt和sram_sp_hde_svt_mvt，其中dp是双端口dual port，sp是单端口single port，dp的是hsd，即high speed，sp的是hen即high density，后面的svt_mvt是管子类型阅读全文

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2024年1月5日

模拟集成电路设计系列博客——5.2.2 二阶开关电容滤波器

摘要： 5.2.2 二阶开关电容滤波器类似于一阶的情况，二阶开关电容滤波器结构可以通过参考连续时间滤波器结构来实现。然而，和一阶滤波器一样，一旦确定滤波器结构，其精确的频率响应需要通过离散时间分析求得。使用精确的传输函数，或者是几个精确的近似，可以确定设计环节时所需要的电容比例。一个二阶连续时间滤波器结阅读全文

posted @ 2024-01-05 19:37 sasasatori 阅读(522) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2024年1月4日

模拟集成电路设计系列博客——5.2.1 一阶开关电容滤波器

摘要： 5.2.1 一阶开关电容滤波器在上一节我们讨论过，低频时，开关电容可以等效为电阻。利用这个等效，可以通过有源RC结构来推理设计出开关电容滤波器。然而，尽管这两种结构在低频输入信号（与时钟信号相比）时有着非常相似的表现。但是对于频率靠近时钟信号频率的输入信号来说。开关电容电路只能够通过\(z\)域的阅读全文

posted @ 2024-01-04 19:10 sasasatori 阅读(1014) 评论(0) 推荐(1) 编辑

2024年1月1日

模拟集成电路设计系列博客——5.1.2 开关电容电路的分析

摘要： 5.1.2 开关电容电路的分析考虑如下图(a)所示的开关电容电路，其中\(V_1\)和\(V_2\)是两个直流电压源。为了分析电路的行为，我们从电荷的角度来分析电路。我们知道电容上的电荷\(Q_x\)等于电容容值\(C_x\)乘以电容两端电压\(V_x\)，在数学上，我们有： \[Q_x=C_x 阅读全文

posted @ 2024-01-01 11:18 sasasatori 阅读(2711) 评论(1) 推荐(1) 编辑

2023年12月27日

模拟集成电路设计系列博客——5.1.1 开关电容电路基本模块

摘要： 5.1.1 开关电容电路基本模块开关电容电路由如放大器，电容，开关和不交叠时钟这些基本模块组成。接下来我们将简单介绍这些模块，以及它们在开关电容电路中使用时存在的非理想性。如果在开关电容电路中使用理想放大器的话，那么电路的原理会很容易理解。然而实际放大器的一些非理想性在开关电容电路中使用时会造成阅读全文

posted @ 2023-12-27 00:17 sasasatori 阅读(565) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2023年12月24日

模拟集成电路设计系列博客——4.4.5 基于自适应滤波的修调

摘要： 4.4.5 基于自适应滤波的修调自适应滤波一般用于数字信号处理应用中，例如模型观察，通道均衡，或者噪声消除。同时也可以使用自适应滤波技术来修调一个给定场景中的连续时间滤波器。一个实现的例子可以参考下图[Kozma, 1991]：其中自适应修调电路被用于最小化误差信号。在进行修调时，输入到可调滤波阅读全文

posted @ 2023-12-24 18:49 sasasatori 阅读(95) 评论(0) 推荐(0) 编辑

模拟集成电路设计系列博客——4.4.4 Q因子修调

摘要： 4.4.4 Q因子修调在一些需要高速或者高度选择的滤波器中，非理想的积分器效应和寄生参数使得电路需要对积分器的极点进行Q因子修调。尽管我们之前讨论过如何通过修调单独的时间常数使得集成滤波器的的因子达到百分之1以内的误差，当\(Q>1\)时，即使Q因子上有微小的误差也可能会在滤波器频率和阶跃效应上产阅读全文

posted @ 2023-12-24 18:09 sasasatori 阅读(67) 评论(0) 推荐(0) 编辑

模拟集成电路设计系列博客——4.4.3 频率修调

摘要： 4.4.3 频率修调如果有精确的时钟的话，那么可以精确的修调\(G_m/C_A\)。例如，假设设计者有一个精确的时钟频率，称为\(f_{clk}\)，那么一种使用开关电容电路进行修调的方式如下图所示[Viswanathan,1982]：这个修调电路与我们上一节介绍的固定跨导修调电路很像，除了外部阅读全文

posted @ 2023-12-24 16:44 sasasatori 阅读(159) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2023年12月23日

模拟集成电路设计系列博客——4.4.2 固定跨导电路修调

摘要： 4.4.2 固定跨导电路修调如之前所讨论，如果不使用修调，比值\(G_m/C\)可能会有百分之30的误差。然而，集成电容的误差一般在这百分之30的误差中只贡献百分之10。因此，对于能够容忍百分之10误差的应用，可以通过一个固定外部电阻来设置\(G_m\)值，如接下来我们所看到的，修调一个\(G_m 阅读全文

posted @ 2023-12-23 21:28 sasasatori 阅读(107) 评论(0) 推荐(0) 编辑

模拟集成电路设计系列博客——4.4.1 修调概述

摘要： 4.4.1 修调概述如之前所说，连续时间滤波器的一个缺点是需要额外的修调电路。这是因为由于时间常数会因为工艺偏差而产生大的波动。例如，集成电容可能会有百分之10的偏差，而电阻和跨导可能会有约百分之20的偏差。由于这些组件的构建非常不同，RC或者\(Gm/C\)时间常数积由于工艺偏差可能会有百分之3 阅读全文

posted @ 2023-12-23 20:58 sasasatori 阅读(263) 评论(0) 推荐(0) 编辑

模拟集成电路设计系列博客——4.3.3 四晶体管MOSFET-C积分器

摘要： 4.3.3 四晶体管MOSFET-C积分器一种改进MOSFET-C滤波器线性度的方式是使用四晶体管MOSFET-C积分器，如下图所示[Czarnul,1986]：对于这个四晶体管积分器的小信号分析，可以将单输入积分器处理成有着\((v_{pi}-v_{ni})\)和反相信号\((v_{ni}-v 阅读全文

posted @ 2023-12-23 18:47 sasasatori 阅读(136) 评论(0) 推荐(0) 编辑

模拟集成电路设计系列博客——4.3.2 双晶体管MOSFET-C积分器

摘要： 4.3.2 双晶体管MOSFET-C积分器 MOSFET-C滤波器类似于全差分有源RC滤波器，除了电阻被等效的线性区MOS晶体管所取代。由于有源RC和MOSFET-C滤波器紧密关联，对于设计者来说，一个好处就是可以大量使用在有源RC滤波器上的已有知识。本小节我们讨论双晶体管MOSFET-C积分器。阅读全文

posted @ 2023-12-23 17:12 sasasatori 阅读(219) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2023年12月19日

模拟集成电路设计系列博客——4.3.1 有源RC滤波器

摘要： 4.3.1 有源RC滤波器除了Gm-C滤波器外，另一种实现模拟集成滤波器的方案是有源RC滤波器或者MOSFET-C滤波器。在这两个技术中，电流的积分都是通过反馈连接在一个高增益放大器的电容上实现的，这与将电流积分电容连接到地的Gm-C滤波器方案不同。有时这种方案被叫做米勒积分，因为就像两级放大器中阅读全文

posted @ 2023-12-19 16:05 sasasatori 阅读(512) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2023年12月14日

2023年度总结

摘要：又到了一年一度的总结时刻。对自己一年的工作做一些复盘和反思。从成败之中汲取经验教训，希望明年能更进一步。首先总结一下今年的一些工作，一月份至二月份主要完成了两件事，去年设计完成的芯片进行Signoff，以及投稿VLSI，中间插了个过年。时间紧任务重，大年夜家人在打牌，我在旁边赶论文。从老家回来的车阅读全文

posted @ 2023-12-14 19:49 sasasatori 阅读(608) 评论(0) 推荐(2) 编辑

2023年12月13日

使用SystemC建模SystemVerilog状态机的实例

摘要：通过一个状态机的例子可以比较好的理解SystemC怎么建模RTL。我们以一个典型的SystemVerilog编写的状态机为例。 fsm.sv: module fsm( input clk, input rst_n, input [1:0] in, output logic [1:0] out ); 阅读全文

posted @ 2023-12-13 21:44 sasasatori 阅读(363) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2023年12月12日

模拟集成电路设计系列博客——4.2.3 饱和区晶体管跨导器

摘要： 4.2.3 饱和区晶体管跨导器总体上来说，基于饱和区晶体管的跨导器会比基于线性区晶体管的跨导器在线性度上差一些，但是基于饱和区的跨导器在速度上有一定的优势。由于饱和区晶体管依赖于MOS管的平方律模型，而这个模型并不是非常精确，尤其是在短沟道工艺下，导致其线性度一般。此外，只有输出电流之差是理想线性阅读全文

posted @ 2023-12-12 00:09 sasasatori 阅读(205) 评论(0) 推荐(0) 编辑

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