TMS320F28002x——代码放在ram中运行详解

 

应用简介

从RAM执行代码比从FLASH执行代码要快。但是C2000 MCU在从FLASH执行时支持代码预期和数据缓存，从而最大限度地减少开销。需要注意的是，代码预期和数据缓存在上电时都会被禁用。应用软件必须启用代码预期并适当地配置等待状态，还需要启用数据缓存。详细方式可以查看C2000 Ware中的InitFlash()函数。

下表列出了FLASH和RAM执行相同循环代码的周期数。

说明	F28004x上的周期数
未启用代码预取的FLASH	72006
启用代码预取的FLASH	59996
RAM	54002
执行循环的周期数	54000

从上表中的数据可以看出，将时间关键代码从FLASH的加载地址复制到RAM中执行能够有效提升代码的运行速率。

在RAM中运行与FLASH中运行指的是什么？

程序编译完之后生成的.bin文件，包含代码段，代码段中全部是汇编指令，而汇编指令中包含多个函数，各函数的地址不同，如存在A函数和B函数，假设RAM地址区间是0x0000-0x8000，FLASH的地址区间是0xA000-0xF000，A函数要调用B函数，则A函数调用B函数的那段汇编指令中包含的是B函数的存储地址，A函数和B函数都在FLASH中存储。

情况一：B函数是配置为在RAM中运行，则B函数的代码段会通过一定手段（通过其他函数去完成）被copy到RAM区域中，所以A函数调用B函数时，A函数的跳转指令中包含的地址数据可能是0x1000。

情况二：B函数是配置为在FLASH中运行，所以A函数调用B函数时，A函数的跳转指令中包含的地址数据可能是0xB000.

综上，在代码不更改的情况下，将某函数或整个程序配置为在RAM运行和配置为在FLASH运行这两种情况下，编译结束之后得到的.bin文件代码段是不同的。

下图为280025的RAM区和FLASH地址段：

芯片的启动执行地址

从FLASH启动代码时，芯片复位后，会从0x080000地址开始执行。

.cmd文件分析

MEMORY部分，分别定义RAM和FLASH的地址和大小，并做了不同的分区，格式如：

NAME ： origin = 0xxxxx, length = 0xxx。

SECTIONS部分，用来定义编译生成的代码的存放和运行地址。若需要将代码存放和运行地址分开，需要按一下方式进行设置：

在相应的文件中声明外部变量

在.cmd文件中定义了六个变量，分别指示代码存放的起始地址，结束地址以及大小，代码运行的起始地址，结束地址及大小。在程序调用时，需要通过这几个外部变量对FLASH的内容拷贝到RAM中进行处理。

6 声明在RAM中运行的函数

在对应的.c文件中定义映射到.TI.ramfunc的函数，代码函数会在RAM中运行，其函数的函数头的地址将会是RAM段的地址：

#pragma CODE_SECTION(GPIO_Test, ".TI.ramfunc");

7 代码迁移到RAM中

在调用指定的函数之前，需要将存放在FLASH中的函数代码复制到RAM中，通常在main函数的开始就执行此步骤：

8 编译代码

重新编译代码，我们在map文件中查看对应函数的运行地址：