FLASH ROM与EEPROM的区别

EEPROM，虽然也叫“非易失性数据存储器”，但它不能直接参与ALU运算，只是用于掉电不丢失的数据存储。
EEPROM和片内RAM 类似，也属于数据存储器，它的特点是数据掉电可保持，而程序存储器一般指ROM，用于存储用户程序代码。

EEPROM和FLASH基本都是非易失性存储器。EEPROM应属于数据存储器，但是它制造工艺和FLASH更近似。

FLASH是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次，而且通常FLASH只能按块擦除。EEPROM不能用来存程序，通常单片机的指令寻址不能到这个区域。EEPROM的擦写次数应有百万次，而且可以按字节擦写。
EEPROM在一个PAGE内是可以任意写的，FLSAH则必须先擦除成BLANK，然后再写入，而一般没有单字节擦除的功能，至少一个扇区擦除。

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba及Hynix。

FLASH ROM就是 ROM（只读存储器）和RAM（可读写的存储器）相对应。全称是read-only memory 最初的ROM熔丝类型的，只能烧写一次，之后就不能修改了。

后来出现了可以用紫外线擦除，然后再次烧写的ROM，严格来讲已经不是只读的了。这种ROM叫做 EPROM(erasable programmable read-only memory)表示可擦除的ROM

但是紫外线擦除很麻烦，后来又发明了不用紫外线，只用电就能擦除的ROM。这种ROM就叫做 EEPROM ,全称就是 electrically erasable programmable read-only memory，电可擦除并重新编程的只读存储器。EEPROM也写作E2PROM，简称E方

实际使用中，不同种类的ROM因为性能，价格等的不同，分别用于不同的场合。

比如经常说的U盘，用的一般是NAND FLASH，而单片机存放程序的ROM一般是NOR FLASH，因为后者具有可以不经RAM直接运行程序的特点。

所有这些ROM都属于非易失存储器，即在掉电之后，数据也不会消失。（类似硬盘）

在运行期间，程序ROM的内容一般不能被程序修改，所以单片机经常会配置EEPROM以便运行的数据可以得到存储，修改，并且掉电后仍然能够保持。

本质上讲，存储程序的ROM其实很多也是EEPROM（有些是EPROM，还有用熔丝ROM的），但是因为一般都不具备在运行时自我修改的能力，所以对应用来说，认为是只读的。而在运行时可修改的那些则特意叫做EEPROM。

现在随着技术发展，一次性的ROM越来越少，逐渐向EEPROM转变，但是习惯上，仍然把他们叫做ROM而不特意说明是EEPROM。

Atmel公司已经开发可以动态修改属性的ROM，本身是EEPROM，但是可以通过设置将其中一部分设置为真正只读的ROM。这种设置并不能带来性能上的提高，反而还会增加器件的复杂度，但是这样可以有效地防止本不应该被修改的内容改变，还是有很重要的作用的。