光耦输入端并联电阻作用
- 主要是用于抗干扰，并联电阻导致在输入侧导通电流等于 原光耦导通电流加上电阻流过的电流，提高了光耦导通电流的阈值。在可能感应到环境中小电流的情况下，能够有效的抑制误导通的情况。如果前级是 OC 晶体管，关断是可能有暗电流，光耦本身在小电流时就比较敏感，通过这个并联电阻使得这些暗电流不够导通光耦。
- 有说法是，在输入电压接反的情况下，这是光耦上的反向电压，等于并联电阻和上拉电阻的分压，能够保护光耦。这种情况一般建议直接并联反向二极管。
- 有说法是，光耦有时候为了抗干扰，所以并联了一个电容，但是为了防止电容上电压累计导致光耦误导通，所以再并联一个电阻，泄放电容上的电压。
- 有说法是，光耦关断时，LED 上的结电容可以通过并联电阻快速泄放，所以能够改善脉冲信号的拖尾现象。
筛选出网上的一些说法：
光耦一次侧加上15V的TVS（取值是最高电压的120%），光耦一次回路、二次回路的电路板布线要做到回路面积最小化。光耦二次侧的上拉电阻不能太大，要取刚好满足光耦下拉到0.3V左右的最小阻值，光耦二次侧5V供电必须保证与光耦前级不共地（也就是电源隔离），光耦与单片机之间必须有磁珠，必要的话还要加施密特触发器。
我这种设计，可以通过给信号输入回路施加4000V电快速瞬变脉冲群的测试，你也可以试试。
光耦输入端并联个电阻，加大输入阙值电流，避免小干扰就导通，另外电阻上并联个二极管，因为光耦反向不耐压
坛子里果然高手如云呀。楼上两位大侠的电路加在一块，就是我现在用的开入电路。加入阙值很重要，如果开入的线路附近有强电流，开入就会有感应电压，极有可能误导通。所有要必要加入阙值控制。TVS则是抑制一些瞬态干扰，如附近的电器瞬间的开关，人手触摸时产生的静电等等。反向二极管也是有必要的，原因10楼的大侠已经说了。另外如果对延迟不敏感的话，可以加个电容。
如果防护等级再高点可以加防雷管了，另外在单片机连接除可以加磁珠和电容构成的滤波电路。
是不是还得排除一下是不是你的单板的电源输入EMI效果好不好
也许闭合回路太大遇到强脉冲干扰点亮了光耦,类似手机挂绳的来电灯
并联在光耦输入端的电阻是一个电流泻放电阻，主要是给弱电流信号一个通路，避免流过光耦的发光二极管导致误导通
并联在光耦输入端的电阻是一个电流泻放电阻，主要是给弱电流信号一个通路，避免流过光耦的发光二极管导致误导通
还有一个作用是与限流电阻分压
同时它与并联在光耦输入端电容，响应速度不高时候同时使用。
我见很多PLC中是470--680，我一般用510，
这样取值：假设光耦LED导通电压是1.5V，datasheet上给出的光耦关闭时候最小流通电流是300uA。那么这个电阻就这样取：R=1.5/0.3k=5k，也就是最大是5kohm，当饶小一些抗干扰性能强一些。下限根据输入电流计算，电阻分流不至于让光耦工作不稳定就可以了。
只讨论与光耦并联的电阻，总结一下我的用途，1 担心悬空的光耦输入端会反向积累电荷，2 微微提高阈值，而去除干扰，3 配合外部的传感器(给传感器提供电源，比如两线的)使用。
都什么年代开的帖子了？
光耦输入端并电阻是为了在非驱动状态下避免高阻，因为高阻态容易受干扰导致光耦误动作。
需要根据反向电压以及需要分流电流进行计算，以提高可靠性。
限制流过光耦的电流；
另外光耦关断后，使光耦2端的电压快速泄放；
我试验了，在不同的电压下，U1的正向压降都是1.137V（光耦导通的情况下，不同光耦该电压值都不一样），所以流过R1的电流=流过R2的电流+流过U1的电流。随着流过R1的电流增大，而流过R2的电流不变（因为U1的正向压降基本不改变），则增加都电流都加到U1上（U1最大允许通过50mA）。
我觉得作用有：
1.抬高U1光耦导通的电流阀值，可以防止U1的误导通。
2.当POW没有电压输入时，R2作用为下拉电阻。可以提高U1的抗干扰性。
3.保护光耦，相当于并联续流二极管的作用。
（个人意见，如有错误请见谅）
恩，你说的没错，确实有保护作用；
实际使用，有些还会再并电容（滤波抗干扰）；
有些还会并个二极管（反向并联）；
加电阻后，假如输入电压接反了，也不会因为反压太高烧坏光耦，通过电阻分压加在光耦2端的反压也就不高了；
这种电路一般连接到OC晶体管输出电路中，在输出晶体管关断时，可能有很弱暗电流流出，如果不并联上一个电阻，暗电流会流过发光二极管，有可能造成暗点亮的情况，导致错误信号。
最主要的作用：抗干扰。比如电源端出现5V的干扰，如果没有这个电阻，本来光耦不应该导通的结果也会微导通。有这个电阻以后，电阻分压得此处电压0.757v，不能使光耦导通。
其次的作用才是加速光耦的关断
光耦的起始段非线性，决定了小电流会导通，一般这种光耦的应用是开关状态，并联电阻的并联分流作用，减小了小电流的误导通。
线性光耦不可以这样。
1K--10K,都有作用，越小抗干扰越强，驱动电流越大
以旁路光耦电流500UA为佳，足移应付MCU，BJT的漏电流，取值，（1.2/500）=2.4k电阻，对数字信号可靠传输。
分压是肯定不对的。二极管两端电压固定，所以R1两端电压是不随着R2大小变化而变化的。进而R1中的电流是一定值（假设输入电压不变），而R2中的电流因其两端电压的固定，所以是随着R2自身阻值的大小变化而变化的。最后推导出流过光耦初级发光二极管的电流大小是随着R2的阻值变小而变小的。作用就是提高了点亮二极管所需的输入电流或者说是输入电压，提高了误动作的门槛。
这个电路在我们的产品里面一直使用。，前面还会并联一个101的电容，具体需要看使用环境
高速环境下不并联电容
R的作用是在关断光耦LED时，对LED结电容存储的电能起到加速放电作用，改善脉冲信号的拖尾现象，提高电路的实际工作频率。(复制隔壁的)
避免输入无效时光耦原边误导通，钳位作用吧？
同意加速放电的说法，有人测试过，确实提高的信号频率，我也正需要测试这个功能。
输出斯密特反相器作用
- 主要是为了防止误动作，利用了滞回的特性。
- 噪声余量的考虑。
筛选出网上的一些说法：
R3的选择需要注意我们选择的光耦不导通IF电流进行计算，另外需要考虑封装、可靠性问题（电流大越可靠，这也是为什么光耦输出脚接缓冲器74HC14整形后再输出，HC14输出电流能力要大于一个串电阻的形式）。
74HCT14D是施密特触发器芯片，有滞回的功能，能够防止输入信号受到干扰或者跳变时，产生多个输出跳变。
隔离了，后级这边不存在保护，应该是稳定边缘，状态的，因为光耦后面是靠电阻拉的，还整个100nF边缘肯定更缓，整个波形更好，当然还有反向，单片机那边可能有正负要求也不排除。得看具体情况而定。还有就是这个信号不讲究，闲着蛋疼放个更心安。
估计设计的人怕光耦导通后电平不是0V，是PN结的压降电压0.6V左右，然后噪声余量只有0.8-0.6=0.2V了；
加了14D芯片后，触发极性翻转，并且存在施密特触发，最后噪声余量也变为1.5V-0.6V=0.9V了。
整形作用，加了之后彻底解决光耦的线性特性对信号的不确定输出的影响。
参考:
我的开关量输入电路，采用光耦，实践证明抗干扰很差，请高手指正啊！！！！
https://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=4504259
光耦两端并联电阻的作用？
https://www.amobbs.com/thread-824289-1-1.html
光耦输入端并联电阻的作用之我的理解
https://bbs.21ic.com/blog-429962-683328.html
光耦输入端并联电阻的作用
https://bbs.21ic.com/icview-842388-3-1.html
[问答] 光耦隔离电路中为什么要加反相器？
https://bbs.elecfans.com/jishu_1711486_1_1.html
