摘要：
编辑-Z US1M快恢复整流二极管属于整流二极管中的高频整流二极管。US1M之所以称为快恢复二极管，是因为普通整流二极管一般工作在低频（如市电频率为50Hz），其工作频率低于3kHz。而US1M的恢复时间快，可以用在高频工作中，以下是US1M的详细参数： 型号：US1M 封装：SMA 特性：小电流、 阅读全文
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编辑-Z RS1M在SMA封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小电流、贴片快恢复二极管。RS1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS1M采用GPP芯片材质，里面有1颗芯片组成。RS1M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反 阅读全文
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编辑-Z FR107具有短恢复过程（特别是反向恢复过程），所以FR107称为快恢复二极管。在高频电力电子电路中，不仅要求FR107快恢复二极管具有良好的正向恢复特性，即正向瞬态压降小，恢复时间短，特别是反向恢复特性，即反向恢复时间短，反向恢复电荷小，具有较软的恢复特性。下面是FR107的详细参数： 阅读全文
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编辑-Z 1N5819在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是32MIL，是一款小电流肖特基二极管。1N5819的浪涌电流Ifsm为25A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N5819采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N5819的电性参数是：正向电流( 阅读全文
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编辑-Z 我们要了解1N4007-ASEMI整流二极管如何代换就需要先了解1N4007的详细参数，根据1N4007的具体参数判断能不能代换。 型号：1N4007 封装：DO-41 特性：小封装整流管 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP硅芯片 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压( 阅读全文
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编辑-Z A7在SOD-123封装里采用的1个芯片，其尺寸都是46MIL，是一款小电流、贴片小封装整流二极管。A7的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。A7采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。A7的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向 阅读全文
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编辑-Z 下面给大家详细介绍一下ASEMI整流二极管M7型号参数，M7是一种硅整流二极管，硅整流二极管是一种用于将交流电转换为直流电的半导体器件。M7具有击穿电压高、反向漏电流小、耐高温性能好等特点，主要用于各种电源整流电路。硅整流二极管的种类很多： M1-M7二极管，SMA（DO-214AC）封装 阅读全文
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编辑-Z 10V45在TO-277封装里采用的1个芯片，其尺寸都是110MIL，是一款超低压降贴片肖特基二极管。10V45的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10V45采用Mikron芯片材质，里面有1颗芯片组成。10V45的电性参数是： 阅读全文
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编辑-Z 肖特基二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），MBR20200CT-ASEMI肖特基二极管是一种低功耗、超高速的半导体器件。MBR20200CT最显着的特点是反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向压降仅为0.8V左右，下面是MBR20200CT的详细参数： 型号：MBR20200CT 阅读全文
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编辑-Z MBR20100CT在TO-220封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款肖特基二极管。MBR20100CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为20uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20100CT采用si芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR2010 阅读全文