强元芯

2021年8月25日

摘要：编辑-Z 直流电焊机与交流电焊机的本质区别在于，直流电焊机输出直流电，交流电焊机输出交流电。那么如何用ASEMI三相整流桥MT5016A把交流电焊机改直流电焊机呢？硅整流电焊机作为弧焊电机的节能换代产品，主要由三相降压变压器、磁放大器和输出电抗器组成。而要把交流改成直流，就要用到MT5016A三相阅读全文

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MDS500-16-ASEMI三相整流模块MDS500-16

摘要：编辑-Z MDS500-16在M34封装里采用的6个芯片，是一款三相整流模块。MDS500-16的浪涌电流Ifsm为2100A，漏电流(Ir)为15mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS500-16采用GPP硅芯片材质，里面有6颗芯片组成。MDS500-16的电性参数是：正向电流(I 阅读全文

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MDS200-16-ASEMI三相整流模块MDS200-16

摘要：编辑-Z MDS200-16在M22封装里采用的6个芯片，是一款三相整流模块。MDS200-16的浪涌电流Ifsm为2000A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS200-16采用GPP硅芯片材质，里面有6颗芯片组成。MDS200-16的电性参数是：正向电流(Io 阅读全文

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2021年8月24日

ASEMI三相整流模块MDST150-16如何判断好坏？

摘要：编辑-Z 我们在拿到ASEMI三相整流模块MDST150-16的时候怎么判断是好的还是坏的呢？我们可以用测量的方法来判断，首先我们需要了解一下MDST150-16的参数和结构应用。 MDST150-16参数描述型号：MDST150-16 封装：MDST模块特性：机床用三相可控整流模块电性参数：阅读全文

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36MT160-ASEMI三相整流桥36MT160

摘要：编辑-Z 36MT160在D-63封装里采用的5个芯片，是一款三相整流方桥。36MT160的浪涌电流Ifsm为500A，漏电流(Ir)为100uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。36MT160采用GPP硅芯片材质，里面有5颗芯片组成。36MT160的电性参数是：正向电流(Io)为36A，阅读全文

posted @ 2021-08-24 15:54 强元芯阅读(372) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2021年8月23日

DGL50-2B-ASEMI大功率整流二极管DGL50-2B

摘要：编辑-Z DGL50-2B在DGL-2封装里采用的4个芯片，是一款大功率整流二极管。DGL50-2B的浪涌电流Ifsm为450A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。DGL50-2B采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。DGL50-2B的电性参数是：正向电流(Io) 阅读全文

posted @ 2021-08-23 16:21 强元芯阅读(254) 评论(0) 推荐(0) 编辑

ASEMI快恢复模块MUR20060CT的发展前景

摘要：编辑-Z 众所周知，当前电子技术的发展方向是：应用技术高频化、硬件结构模块化、半导体器件智能化、控制技术数字化、产品性能绿色化（对电网无污染）。而ASEMI快恢复模块MUR20060CT正是硬件结构模块化的产物，所以MUR20060CT符合未来的发展方向。 MUR20060CT参数描述型号：MUR 阅读全文

posted @ 2021-08-23 16:19 强元芯阅读(42) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2021年8月20日

MUR10060CT-ASEMI快恢复模块MUR10060CT

摘要：编辑-Z MUR10060CT在MUR-2封装里采用的2个芯片，是一款快恢复模块。MUR10060CT的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。MUR10060CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR10060CT的电性参数是：正向电阅读全文

posted @ 2021-08-20 16:26 强元芯阅读(70) 评论(0) 推荐(0) 编辑

DH2F200N6S-ASEMI快恢复模块比快恢复二极管好在哪里？

摘要：编辑-Z DH2F200N6S快恢复模块和快恢复二极管有什么区别？两者都是具有快速反向恢复功能的二极管，主要区别在于功率、速度和封装。那么DH2F200N6S-ASEMI快恢复模块比快恢复二极管好在哪里？快恢复二极管一般是指电流、电压、功率都比较小的单管。一般电流小于几安培，电压可达1000V，但阅读全文

posted @ 2021-08-20 16:24 强元芯阅读(71) 评论(0) 推荐(0) 编辑

2021年8月19日

DH2F100N6S-ASEMI快恢复模块DH2F100N6S

摘要：编辑-Z DH2F100N6S在DH2F-2封装里采用的2个芯片，是一款快恢复模块。DH2F100N6S的浪涌电流Ifsm为2000A，漏电流(Ir)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~170摄氏度。DH2F100N6S采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。DH2F100N6S的电性参数是：正阅读全文

posted @ 2021-08-19 16:15 强元芯阅读(68) 评论(0) 推荐(0) 编辑

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