强元芯

摘要： 编辑-Z SFF2004参数描述 型号：SFF2004 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复二极管 电性参数：20A，400V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.3V 芯片尺寸：102 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：10u 阅读全文

摘要： 编辑-Z SFF1604在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。SFF1604的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF1604采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF1604的电性参数是：正向电流(Io) 阅读全文

摘要： 编辑-Z MURF860AC参数描述 型号：MURF860AC 封装：ITO-220AC 特性：快恢复二极管 电性参数：8A600V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：8A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.5V 芯片尺寸：70MIL 浪涌电流Ifsm：125A 漏电流(Ir)：10uA 阅读全文

摘要： 编辑-Z SFF806A在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，是一款超快恢复二极管。SFF806A的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF806A采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SFF806A的电性参数是：正向电流(Io) 阅读全文

摘要： 编辑-Z 肖特基二极管分为引线式和表面贴装（贴片式）封装。带引线封装的肖特基二极管MBR30200FCT通常用作高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管。肖特基对管有三种引脚引出方式：共阴极（两管的阴极相连）、共阳极（两管的阳极相连）和串联（一个二极管的阳极与另一个二极管的阴极相连）。那么MBR 阅读全文

摘要： 编辑-Z 在电子行业，几乎每个工程师都知道MBR20200FCT肖特基二极管，但你真的了解MBR20200FCT的内部结构、功能、应用领域以及为什么广泛应用于高频开关电源吗？ MBR20200FCT参数描述 型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速 电性参 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR20100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR20100FCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR20100FCT采用Mikron芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20100FC 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR10200FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10200FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10200FCT的电性参数 阅读全文

摘要： 编辑-Z 一、什么是MBR10100FCT肖特基二极管 肖特基二极管MBR10100FCT（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受 RC 时间 阅读全文

摘要： 编辑-Z SF58在DO-27封装里采用的1个芯片，是一款小电流、直插超快恢复二极管。SF58的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SF58采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SF58的电性参数是：正向电流(Io)为5A，反向耐压为60 阅读全文