强元芯

摘要： 编辑-Z D92-02在TO-247/3P封装里采用的2个芯片，是一款低压降快恢复二极管。D92-02的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。D92-02采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。D92-02的电性参数是：正向电流(Io)为2 阅读全文

摘要： 编辑-Z HER608参数描述 型号：HER608 封装： R-6 特性：小电流、直插高效恢复二极管 电性参数：6A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：6A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.7V 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-65~+150℃ 恢 阅读全文

摘要： 编辑-Z 整流二极管10A10是一种用于将交流电转换为直流电的半导体器件。二极管10A10最重要的特性是它的单向导电性。在电路中，电流只能从二极管的阳极流入，从阴极流出。通常它包含一个带有两个端子的 PN 结，一个正极和一个负极。硅整流二极管10A10击穿电压高，反向漏电流小，耐高温性能好。一般高压 阅读全文

摘要： 编辑-Z UF4007在DO-41封装里采用的1个芯片，是一款小封装快恢复二极管。UF4007的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UF4007采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。UF4007的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压 阅读全文

摘要： 编辑-Z 1N4007参数描述 型号：1N4007 封装：DO-41 特性：小封装整流管 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.0V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：2 1N 阅读全文

摘要： 编辑-Z FR107参数描述 型号：FR107 封装：DO-41 特性：小电流、插件 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.2V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：5 阅读全文

摘要： 编辑-Z US1G参数描述 型号：US1G 封装：SMA 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 400V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.3V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：50ns 引 阅读全文

摘要： 编辑-Z US1M参数描述 型号：US1M 封装：SMA 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.7V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：100ns 阅读全文

摘要： 编辑-Z MURF1640CT参数描述 型号：MURF1640CT 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复二极管 电性参数：16A 400V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：16A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.3V 芯片尺寸：90MIL 浪涌电流Ifsm：175A 漏电流(Ir) 阅读全文

摘要： 编辑-Z MURF1040CT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。MURF1040CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MURF1040CT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MURF1040CT的电性 阅读全文