强元芯

摘要： 编辑-Z MBR30200FCT参数描述 型号：MBR30200FCT 封装：ITO-220AB 特性：肖特基二极管 电性参数：30A，200V 芯片材质：SI 正向电流(Io)：30A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：122MIL 浪涌电流Ifsm：275A 漏电流(Ir)：0 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI三端稳压管L7805CV是一款正电压稳压管，输出电压4.75-5.25V，静态电流4.2-8mA。L7805CV输出电流可达1.5A，无需外接补偿元件，内含限流保护电路，防止负载短路烧毁元件。 L7805CV参数描述 型号：L7805CV 封装：TO-220 输出电压(Vo)：4 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR20200FCT参数描述 型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速 电性参数：20A 200V 芯片材质：si 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：102mil 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流( 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT是电子产品生产中不可缺少的重要保护器件，MBR20100FCT尤其广泛应用于便携式电子产品和开关电源，深受电子行业的喜爱。然而，在肖特基二极管市场，如何选择合适产品的肖特基二极管呢？ MBR20100FCT参数描述 型号：MBR20100FCT 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR10200FCT参数描述 型号：MBR10200FCT 封装：TO-220 特性：肖特基二极管 电性参数：10A，200V 芯片材质：SI 正向电流(Io)：10A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：86MIL 浪涌电流Ifsm：150A 漏电流(Ir)：10UA 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR10100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10100FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10100FCT的电性 阅读全文

摘要： 编辑-Z 12N65有TO-262、TO-220/220F、TO-247等多种封装形式，是一款高压MOS管。12N65的浪涌电流Ifsm为48A，G极漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，反向耐压为650V，正向电压(V 阅读全文

摘要： 编辑-Z MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体。MOS管12N65的源极和漏极是可以对调的，都是形成在P型backgate中的N型区。大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端接反，也不会影响12N65的性能，这种装置12N65被认为是对称的。 ASEMI高压MO 阅读全文

摘要： 编辑-Z SF58参数描述 型号：SF58 封装：DO-27 特性：小电流、直插超快恢复二极管 电性参数：5A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：5A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.70V 浪涌电流Ifsm：125A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间( 阅读全文

摘要： 编辑-Z SFP6006在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。SFP6006的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFP6006采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFP6006的电性参数是：正向电流(Io)为60 阅读全文