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摘要: 编辑-Z ABS10参数描述 型号:ABS10 封装:ABS-4 (SOP-4) 特性:小方桥、贴片桥堆 电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.05V 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-55~+150℃ 阅读全文
posted @ 2021-10-12 16:58 强元芯 阅读(316) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z KBL410在KBL-4/DIP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是72MIL,是一款整流扁桥。KBL410的浪涌电流Ifsm为2005A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBL410采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。KBL410的电性参数是:正向 阅读全文
posted @ 2021-10-12 16:57 强元芯 阅读(338) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z KBP307参数描述 型号:KBP307 封装:KBP-4/DIP-4 特性:整流扁桥 电性参数:3A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):3A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.10V 浪涌电流Ifsm:50A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时 阅读全文
posted @ 2021-10-11 17:07 强元芯 阅读(414) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z DB207S参数描述 型号:DB207S 封装:DBS-4 (SOP-4) 特性:小方桥、贴片桥堆 电性参数:2A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):2A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.0V 浪涌电流Ifsm:50A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-55~+150 阅读全文
posted @ 2021-10-11 17:02 强元芯 阅读(259) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z 对于整流圆桥2W10的电性参数和特性,以ASEMI圆桥2W10为例给大家介绍到底,让大家全面了解圆桥2W10的特性和功能。 2W10参数描述 型号:2W10 封装:WOB-4 特性:整流圆桥 电性参数:2A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):2A 芯片个数:4 正向电压(VF 阅读全文
posted @ 2021-10-09 17:13 强元芯 阅读(76) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z ABS210参数描述 型号:ABS210 封装:ABS-4 (SOP-4) 特性:小方桥、贴片桥堆 电性参数:2A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):2A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.1V 浪涌电流Ifsm:60A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-55~+150℃ 阅读全文
posted @ 2021-10-09 17:08 强元芯 阅读(270) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z 肖特基二极管MBR20100FCT的优势包括两个方面: 1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,MBR20100FCT正向导通和正向压降低于PN结二极管(低约0.2V)。 2) 由于MBR20100FCT是多数载流子导电器件,因此不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。MBR20100FCT 阅读全文
posted @ 2021-10-08 17:23 强元芯 阅读(397) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z 与其他二极管相比,肖特基二极管MBR10200FCT有什么特别之处? MBR10200FCT参数描述 型号:MBR10200FCT 封装:TO-220 特性:肖特基二极管 电性参数:10A,200V 正向电流(Io):10A 正向电压(VF):0.9V 芯片尺寸:86MIL 浪涌电流Ifs 阅读全文
posted @ 2021-10-08 17:22 强元芯 阅读(428) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z 二极管作为电路中重要的整流元件应用非常的广泛,而ASEMI家的二极管FR107和1N4007也是我们很常见的二极管,那么FR107和1N4007可以代换吗?首先我们要从FR107和1N4007的封装形式和电性参数来判断,下面是它们的详细参数对比: FR107参数描述 型号:FR107 封装 阅读全文
posted @ 2021-09-30 16:10 强元芯 阅读(765) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z ASEMI家的恢复二极管US系列成员有多个,那其中的US1M和US1G有什么区别呢?从型号上看US1M和US1G就只有后面的字母M和G的不同,而这两天恰恰代表的他们的反向耐压不同,他们的额定电流都是1A,封装形式也是一样的,区别就在于US1M的耐压是1000V,而US1G的耐压是400V。 阅读全文
posted @ 2021-09-30 16:08 强元芯 阅读(412) 评论(0) 推荐(0) 编辑
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