强元芯

摘要： 编辑-Z 肖特基二极管是什么？ 肖特基二极管（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受RC时间常数的限制。因此，它是一种理想的高频快速开关器件。 阅读全文

摘要： 编辑-Z DB107参数描述 型号：DB107 封装：DB-4/DIP-4 特性：整流、小方桥 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.05V 浪涌电流Ifsm：50A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量 阅读全文

摘要： 编辑-Z GBU808参数描述 型号：GBU808 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：5ua 工作温度：-55~+150℃ 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBL406参数描述 型号：KBL406 封装：KBL-4/DIP-4 特性：整流、扁桥 电性参数：4A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：4A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBU1010在KBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是100MIL，是一款整流扁桥。KBU1010的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBU1010采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBU1010的电性参数是：正向电流 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBPC1010参数描述 型号：KBPC1010 封装：KBPC-4 特性：单相整流方桥 电性参数：10A1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：10A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-65~+150℃ 引 阅读全文

摘要： 编辑-Z 整流桥的整流功能是通过二极管的单向导通原理来完成的。一般来说，二极管是正向导通反向截止，即二极管只允许其正极进入正电，其负极进入负电。整流桥的二极管只允许电流在一个方向通过，所以当它连接到交流电路时，它可以使电路中的电流只向一个方向流动。 ASEMI整流桥通常由单相桥式全波整流器的4个二极 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBU808在KBU-4/DIP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款整流扁桥。KBU808的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBU808采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBU808的电性参数是：正向电 阅读全文

摘要： 编辑-Z MB6S参数描述 型号：MB6S 封装：MBS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：1A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBP310参数描述 型号：KBP310 封装：KBP-4/DIP-4 特性：整流扁桥 电性参数：3A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：3A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.10V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数 阅读全文