强元芯

摘要： 编辑-Z 6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电 阅读全文

摘要： 编辑-Z MOS管6N60的检测好坏主要是判断6N60的漏电、短路、开路和放大。如果不测试阻值，则说明6N60有漏电现象，具体步骤如下： 6N60参数描述 型号：6N60 封装：TO-220 特性：大电流MOS管 电性参数：6A 600V 芯片材质：GPP 连续二极管正向电流(IS)：6A 脉冲二极 阅读全文

摘要： 编辑-Z 9N90在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。9N90的脉冲二极管正向电流(ISM)为36A，栅极漏电流(IDSS)为10uA，9N90的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。9N90的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为9A，漏源电压为900V，二极管正向 阅读全文

摘要： 编辑-Z MOS管10N60的三个极是什么以及如何判断 MOS管10N60的三个极是：G（栅极）、D（漏极）和s（源极）。栅极和源极之间的电压必须大于一定值，漏极和源极才能导通。 10N60参数描述 型号：10N60 封装：TO-220 特性：大电流MOS管 电性参数：10A 600V 芯片材质：G 阅读全文

摘要： 编辑-Z 24N50在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。24N50的脉冲集电极电流(ICM)为96A，漏极漏电流(IDSS)为50uA，24N50的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。24N50的电性参数是：二极管连续电流(Is)为24A，集电极-发射极电压为1200 阅读全文

摘要： 编辑-Z 25N120在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。25N120的脉冲集电极电流(ICM)为75A，G-E极漏电流(IGES)为100nA，25N120的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的电性参数是：集电极电流(Ic)为25A，集电极-发射极电压 阅读全文

摘要： 编辑-Z 二极管US1G是由半导体材料制成的电子器件。US1G具有单向导电性，即当二极管正负极加正向电压时，二极管导通。当向阳极和阴极施加反向电压时，二极管截止。因此，US1G二极管的通断相当于开关的通断 US1G参数描述 型号：US1G 封装：SMA 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 400V 阅读全文

摘要： 编辑-Z 二极管US1M是最早的半导体器件之一，其应用非常广泛。尤其是在各种电子电路中，二极管US1M与电阻、电容、电感等元件通过合理的连接，形成不同功能的电路，可实现交流整流、调制信号检测、限幅钳位、电源稳压等多种功能。无论是在普通无线电电路还是其他家用电器或工业控制电路中，都可以找到US1M二极 阅读全文

摘要： 编辑-Z M7在SMA封装里采用的1个芯片，其尺寸都是46MIL，是一小电流、贴片二极管。M7的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。M7采用GPP芯片材质，里面有1颗芯片组成。M7的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向 阅读全文

摘要： 编辑-Z A7参数描述 型号：A7 封装：SOD-123 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+125℃ 引线数量：2 A7的电性参数：正向平均电流1 阅读全文