强元芯

摘要： 编辑-Z GBU808参数描述 型号：GBU808 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：5ua 工作温度：-55~+150℃ 阅读全文

摘要： 编辑-Z 整流桥型号繁多，各种型号封装命名都不一样，下面以KBL406-ASEMI为例告诉你怎样看整流桥型号，首先我们要了解整流桥KBL406的命名规则，然后从名称里可以看出重要的参数。 整流桥KBL406的命名规则 一般整流桥的名称有3个数字，第一个数字代表额定电流A；后两位数字代表额定电压（数字 阅读全文

摘要： 编辑-Z 测量整流桥好坏的方法一般有两种，一种是电阻测试法，一种是压降测试法。整流桥KBPC1010-ASEMI如何测量好坏？我们可以用压降测试法。 KBPC1010参数描述 型号：KBPC1010 封装：KBPC-4 特性：单相整流方桥 电性参数：10A1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBU808参数描述 型号：KBU808 封装：KBU-4/DIP-4 特性：整流、扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95MIL 浪涌电流Ifsm：300A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-5 阅读全文

摘要： 编辑-Z 测量整流桥好坏的方法一般有两种，一种是电阻测试法，一种是压降测试法。整流桥KBP307-ASEMI如何测量好坏？我们可以用电阻测试法。 KBP307参数描述 型号：KBP307 封装：KBP-4/DIP-4 特性：整流扁桥 电性参数：3A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：3 阅读全文

摘要： 编辑-Z 2W10参数描述 型号：2W10 封装：WOB-4 特性：整流圆桥 电性参数：2A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：2A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.10V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：500n 阅读全文

摘要： 编辑-Z 我们知道整流桥根据封装可以分为插件整流桥和贴片整流桥，那它们两者有什么区别呢？插件整流桥又有什么优势？插件整流桥在哪些领域应用比较多？ASEMI插件整流桥有哪些型号呢？下面给大家一一解答。 贴片整流桥，顾名思义是整流桥的引脚是贴片形式。贴片整流器主要用于高密度、小尺寸的电路板上。它们广泛用 阅读全文

摘要： 编辑-Z 低压降肖特基二极管的检测主要是判断低压降肖特基二极管的极性和检测低压降肖特基二极管的好坏。 低压降肖特基二极管的检测 (1)低压降肖特基二极管极性的判断 选择合适的量程，短接万用表的红黑表笔，进行万用表的零欧姆校准，每次选择不同的量程时都必须进行此操作（因为数字万用表不需要调零，所以如果使 阅读全文

摘要： 编辑-Z 超快恢复二极管如何选？我们在选用超快恢复二极管时要注意什么呢？下面给大家介绍一下ASEMI超快恢复二极管资料。 当我们选择超快恢复二极管整流器时，总是会关注反向恢复时间trr（它代表从指定正向电流到指定反向电流所需的恢复时间）和Qrr（它代表指定正向电流到指定反向电流所需的恢复电荷，这两项 阅读全文

摘要： 编辑-Z 90N10在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。90N10的脉冲漏极电流(IDM)为360A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，90N10的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。90N10的电性参数是：持续漏极电流(ID)为90A，漏极电压为100V，二极管正向电 阅读全文