强元芯

摘要： 编辑-Z 整流桥KBL610是我们在电子电路中经常使用的电子元件。事实上，在能量传输和转换的过程中，会有一定的损耗，也就是说不是KBL610输入多少电压，输出就是多少电压，那么ASEMI整流桥KBL610输出电压由哪些因素决定呢？ 整流桥KBL610的组成 KBL610由四个二极管组成全桥整流电路封 阅读全文

摘要： 编辑-Z TL10F在TLF-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款薄体贴片整流桥。TL10F的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。TL10F采用光阻GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。TL10F的电性参数是：正向电流(Io)为1 阅读全文

摘要： 编辑-Z LX10M在LXM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小电流迷你贴片整流桥。LX10M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。LX10M采用光阻GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。LX10M的电性参数是：正向电流(Io 阅读全文

摘要： 编辑-Z 整流桥在电子行业是一个庞大的家族，不仅名称多样，种类更是纷繁复杂，可能有数百个型号名称，那么ASEMI整流桥有几种，MSB30M贴片整流桥属于哪一种？我们先详细了解一下MSB30M的参数： MSB30M参数描述 型号：MSB30M 封装：MSBL 特性：小电流、贴片整流桥 电性参数：3A 阅读全文

摘要： 编辑-Z ABM410在ABM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款小电流、贴片整流桥。ABM410的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ABM410采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。ABM410的电性参数是：正向电流 阅读全文

摘要： 编辑-Z TBM410在TBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款小电流、贴片整流桥。TBM410的浪涌电流Ifsm为135A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。TBM410采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。TBM410的电性参数是：正向电流 阅读全文

摘要： 编辑-Z TBM610在TBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款小电流、贴片整流桥。TBM610的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。TBM610采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。TBM610的电性参数是：正向电 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI桥式整流器的种类很多：扁形、圆形、方形、板凳形（分直插和贴片）等，最大整流电流从0.5A到100A，最大反向峰值电压从50V到1600V。我们今天就介绍一下ASEMI整流桥TBM810的作用和原理图。 TBM810参数描述 型号：TBM810 封装：TBM-4 特性：贴片整流桥 阅读全文

摘要： 编辑-Z 6N60在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N60的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为600V，二极管正向电 阅读全文

摘要： 编辑-Z MOS管25N120广泛应用于各种电路中，MOS管的形状类似于三极管、晶闸管、三端稳压器、IGBT，所以大家有时分不清MOS管是什么，下面我以MOS管25N120为例给大家做个详细的介绍。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-247 特性：大电流MOS管 电性参数：25A 阅读全文