强元芯

摘要： 编辑-Z SBT30100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款低压降肖特基二极管。SBT30100VDC的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SB 阅读全文

摘要： 编辑-Z 肖特基二极管SBT40100VDC正向压降与温度变化有什么关系？正向压降与温升呈线性关系，当肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降变小时，管温必然升高。 SBT40100VDC参数描述 型号：SBT40100VDC 封装：TO-263 特性：低压降肖特基二极管 电性参数：40A，10 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR10100FCT参数描述 型号：MBR10100FCT 封装：TO-220 特性：肖特基二极管 电性参数：10A，100V 芯片材质：SI 正向电流(Io)：10A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.8V 芯片尺寸：86MIL 浪涌电流Ifsm：150A 漏电流(Ir)：0.05m 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR20100FCT参数描述 型号：MBR20100FCT 封装：TO-220 特性：大功率肖特基二极管 电性参数：20A 100V 芯片材质：Mikron 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.8V 芯片尺寸：102mil 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(I 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR60200PT在TO-247/3P封装里采用的2个芯片，其尺寸都是150MIL，是一款肖特基二极管。MBR60200PT的浪涌电流Ifsm为500A，漏电流(Ir)为30uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。MBR60200PT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR6 阅读全文

摘要： 编辑-Z 肖特基二极管MBR60100PT和普通二极管都是单向导电的，可用于整流电路。肖特基二极管MBR60100PT与普通二极管的主要区别在于普通二极管的耐压可以做得更高，但其恢复速度低，只能用于低频整流。如果是高频，将无法快速恢复而发生反向泄漏，最终导致管子严重发热烧毁；肖特基二极管MBR601 阅读全文

摘要： 编辑-Z MB6S在MBS-4 (SOP-4)封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小方桥、贴片整流桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是：正向电流 阅读全文

摘要： 编辑-Z ABS系列主要的应用领域是小电流领域的产品，比如像小功率开关电源，充电器，电源适配器，LED灯整流器等相关电器产品。而其中的ABS10和ABS210是一款小方桥、贴片整流桥，因此小而轻薄就是它们的优势之一。那么ASEMI桥堆ABS10和ABS210有什么区别呢？ ABS10参数描述 型号： 阅读全文

摘要： 编辑-Z 贴片式小方桥DB207S主要用于小功率电源适配器、开关电源，DB207S主要用于LED灯上，其反向耐压1000V，正向最大整流电流2A，最大输出功率220W。 DB207S参数描述 型号：DB207S 封装：DBS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：2A 1000V 芯 阅读全文

摘要： 编辑-Z ABS210虽然是微型的，但在电路中具有开创性的作用，不要因为它小而轻视它。abs210桥堆的芯片多大？不同芯片性能差距有多悬殊，下面给大家详细介绍一下ASEMI-ABS210贴片整流桥。 ABS210是采用50milGPP工艺大芯片的专业贴片整流桥。为什么说芯片大小不同性能差距会很悬殊呢 阅读全文