摘要：
编辑-Z MBR60100PT参数描述 型号：MBR60100PT 封装：TO-247/3P 特性：肖特基二极管 电性参数：60A 100V 芯片材质：SI 正向电流(Io)：60A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.78V 芯片尺寸：150MIL 浪涌电流Ifsm：500A 漏电流(Ir)：30 阅读全文
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编辑-Z KBL610在KBL-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款薄体整流扁桥。KBL610的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBL610采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBL610的电性参数是：正向电流(I 阅读全文
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编辑-Z 整流桥TL10F内部是由4个整流二极管组成的桥式整流电路，从外面引出4个引脚，使用起来非常方便，整流桥TL10F在封装外壳上都标有交流输入端和直流输出端。 TL10F是一款小电流薄体贴片整流桥，整流电流1A，耐压1000V。封装上标有“＋－”的两个引脚为输出直流电压的正负端，相对的两个引脚 阅读全文
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编辑-Z 桥式整流桥是最常用的利用二极管的单向导电性进行整流的电路，常用于将交流电转换为直流电。其中包括半波整流、全波整流和桥式整流。整流桥LX10M就是把桥式整流的四个二极管封装在一起，只引出四个引脚。在四个引脚中，两个直流输出端标有+或-，两个交流输入端标有~。 LX10M参数描述 型号：LX1 阅读全文
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编辑-Z MSB30M在MSBL封装里采用的4个芯片，是一款小电流贴片整流桥。MSB30M的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MSB30M采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MSB30M的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为1 阅读全文
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编辑-Z ASEMI贴片整流桥ABM410跟插件类的有什么不同？ABM410是贴片整流桥，大家都知道整流桥有贴片，当然也有插件，让我们来看看插件和贴片之间有什么不同。 ABM410参数描述 型号：ABM410 封装：ABM-4 特性：小电流、贴片整流桥 电性参数：4A 1000V 芯片材质：GPP 阅读全文
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编辑-Z 根据贴片整流桥堆TBM610的内部电路，用万用表很容易测量： 将万用表置于10kΩ档位，测量TBM610贴片整流桥堆交流电源输入端的正反向电阻。当电阻正常时，两者都应为无穷大。当四个整流贴片二极管中的一个发生击穿或漏电时，会导致其阻值下降。测量TBM610交流电源输入端的电阻后，应测量“+ 阅读全文
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编辑-Z TBM810在TBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款贴片整流桥。TBM810的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。TBM810采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。TBM810的电性参数是：正向电流(Io) 阅读全文
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编辑-Z 高频设备的高频大电流流向被绕成环形或其他形状的加热线圈（通常由紫铜管制成）。因此在线圈中产生具有瞬时极性变化的强磁束，当金属等被加热物体放入线圈时，磁束会穿透整个被加热物体，在被加热物体内部与加热电流相反的方向，便会产生对应的很大电涡流。 说到高频设备，就不得不提超快恢复二极管MUR206 阅读全文
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编辑-Z MUR1660AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢复二极管。MUR1660AC的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1660AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR16 阅读全文