强元芯

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管US5M在逆变电路中有什么作用呢？在逆变电源的输出部分，需要使用高频快恢复整流二极管US5M进行整流，在PFC斩波电路部分也有快恢复二极管US5M做续流二极管对核心部件进行保护。 US5M参数描述 型号：US5M 封装：SMC 特性：贴片快恢复二极管 电性参数：5A 阅读全文

摘要： 编辑-Z MUR860D在TO-252封装里有3条引线，是一款贴片快恢复二极管。MUR860D的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MUR860D的反向恢复时间(Trr)为50ns，MUR860D的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管MUR560D怎么代换，它可以代替哪些型号的二极管，或者什么二极管可以代换MUR560D呢？MUR560D有什么替代原则？二极管的代换，最重要的就是根据它的参数，所以我们必须了解清楚MUR560D的各项参数。 MUR560D参数描述 型号：MUR560D 封装：TO- 阅读全文

摘要： 编辑-Z 78M05在TO-252封装里引出3个引脚，是一款贴片三端正线性稳压器。78M05的峰值输出电流(IPK)为700mA，短路电流(ISC)为50mA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。78M05的输出噪声电压(NO)为40uV。78M05的电性参数是：静态电流(IQ)为6mA，输入 阅读全文

摘要： 编辑-Z AMS1117低压差线性稳压器是新一代集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的区别在于，低压差线性稳压器是一种自耗极低的微型片上系统。AMS1117可用于电流主通道控制，该芯片集成了极低在线导通电阻mosfet、肖特基二极管、采样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、 阅读全文

摘要： 编辑-Z 可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。ASEMI双向可控硅BTA12A具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动装置，实现大功率设备用小功率控制。BTA12A已广泛应用于交直流电机调速系统、功率控制系统及随动系统。 可控硅有两种类型：单向可控硅和双向可控硅。双向 阅读全文

摘要： 编辑-Z 40N120参数描述 型号：40N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：40A 1200V 集电极电流(IC)：40A 脉冲集电极电流(ICM)：160A 集电极-发射极电压(VCES)：1200V 栅极-发射极电压(VGES)：±25V G-E阈值电压(VGE)：5 阅读全文

摘要： 编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数是：二极管连 阅读全文

摘要： 编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A，G-E漏电流(IGES)为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是：二极管连续 阅读全文

摘要： 编辑-Z 20N20参数描述 型号：20N20 封装：TO-220F 特性：低功耗场效应管 电性参数：20A 200V 连续二极管正向电流(IS)：20A 脉冲二极管正向电流(ISM)：72A 漏源电压(VDSS)：200V 栅极阈值电压(VGS)：±30V 静态漏源导通电阻(RDS(on))：0. 阅读全文