强元芯

摘要： 编辑-Z 场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。 按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型和增强型，结型场效应管都是耗尽型，绝缘栅型场效应管有耗尽型和增强型。 一般来说，场效应晶体管可分为结 阅读全文

摘要： 编辑-Z 15N120详细参数： 型号：MOS管15N120 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 集电极电流（IC）：15A 脉冲集电极电流（ICM）：45A 二极管连续正向电流（IF）：15A 二极管最大正向电流（IFM）：45A 最大功耗（PD）： 阅读全文

摘要： 7N80详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压（VDS）：800V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流-持续（TC=25°C）（ID）：7A 漏极脉冲电流（IDM）：28A 耗散功率（TC=25°C）（PD）：140W 雪崩电流（IAR）：7A 贮存温度范围（TSTG）：-55 阅读全文

摘要： 编辑-Z 7N60详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N60 漏源电压（VDSS）：600V 栅源电压（VGSS）：±30V 持续漏极电流（ID）：7A 脉冲漏极电流（IDM）：28A 雪崩电流（IAR）：7A 工作结点和存储温度范围（TJ,TSTG）：-55 to +150℃ 最大功耗（PD）： 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBPC1010规格参数： 型号：KBPC1010整流桥 峰值重复反向电压（VRRM）：1000V RMS反向电压（VR(RMS)）：700V 平均整流输出电流（IO）：10A 非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件正向电压（VFM）：1.1V 额定直流阻断电压下的峰值反向 阅读全文

摘要： 编辑-Z 怎样选择优质的GBJ406整流桥？整流电路是一种非常简单的电路，其功能是将交流电转变为脉动直流电。电路虽然简单，但元器件的选用却一点也不能马虎，如果能掌握一些选型技巧，就能减少不必要的麻烦和隐患。那么GBJ406-ASEMI怎么选型？ 根据实际电路使用时的最高电压，计算二极管的反向电压。选 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBL410规格参数： 型号：KBL410整流桥 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流TA=50℃时的输出电流（IF(AV)）：4A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBP310参数： 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流TA=50℃时的输出电流（IF(AV)）：3A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热阻（ReJA）：10℃ 阅读全文

摘要： 编辑-Z AO3401在SOT-23封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。AO3401的脉冲漏极电流(IDM)为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3401的栅源电压(VGS)为±12V。AO3401的电性参数是：持续漏极电流(ID)为4 阅读全文

摘要： 编辑-Z AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线。 AO3400概述 30V N沟道MOSFET Vds 30V Id（Vgs=10v情 阅读全文