强元芯

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管US1G参数： 型号：US1G 最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V 最大有效值电压（VRMS）：280V 最大直流阻断电压（VDC）：400V 最大平均正向整流电流（I(AV)）：1A 峰值正向浪涌电流（IFSM ）：30A 最大瞬时正向电压（VF）：1.3V 阅读全文

摘要： 编辑-Z 25A整流桥KBJ2510-ASEMI适用于大功率家电的电源，这类整流桥大多使用桥式整流，整流桥KBJ2510的作用是通过二极管的单向导通特性使交流电被转换成单向直流电。 KBJ2510参数描述 型号：KBJ2510 封装：KBJ-4 特性：超薄扁桥 电性参数：25A 1000V 芯片材质 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥KBU1010参数： 型号：KBU1010 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBU610在KBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款扁桥整流桥。KBU610的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBU610采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBU610的电性参数是：正向电流(Io 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥MB10F参数： 型号：MB10F 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000F 最大有效值电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向输出整流电流（IF(AV)）：1A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：35A 最大瞬时正向压降（VF）：1 阅读全文

摘要： 编辑-Z MB10S参数描述 型号：MB10S 封装：MBS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.0V 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度： 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥MB6S参数： 型号：MB6S 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：1A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJA 阅读全文

摘要： 编辑-Z 隔离型开关电源一般采用整流管组成的整流桥，或直接选用成品整流桥DB207S完成桥式整流。那么ASEMI整流桥DB207S的结构是怎样的呢？ DB207S全波桥式整流器称为硅整流桥，它是将四个硅整流管连接成桥式电路，然后用塑料封装而成的半导体器件。DB207S具有体积小、使用方便、各整流管参 阅读全文

摘要： 编辑-Z db107s整流桥堆怎么测量好坏？拿到一个DB107S后，将其放好如图，（下面两脚代表AC，接交流电，测量时，AC的两脚当为一个整体来理解）。 DB107S参数描述 型号：DB107S 封装：SOP-4 特性：高压整流桥堆 电性参数：1A1000V 芯片材质：SI 正向电流(Io)：1A 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥DB107详细参数： 型号：DB107 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：1A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A 每个元件的典型热 阅读全文