摘要：
编辑-Z ASEMI整流桥GBU808参数： 型号：GBU808 最大重复峰值反向电压（VRRM）：800V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：560V 最大直流阻断电压（VDC）：800V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：8.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型 阅读全文
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编辑-Z MB10F是在MB10S系列基础上根据用户需求开发生产的新型号。从参数功能上看，MB10F就像是瘦身成功的MB10S，那么哪个比较好？ ASEMI整流桥MB10S和MB10F详细对比： 整流桥MB10S和MB10F的电气参数相同：正向电流（Io）为1A，反向电压为1000V，正向电压（VF 阅读全文
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编辑-Z 在ASEMI的众多整流桥型号中，我们可以发现KBP307和KBP310这两款不管是从外观还是参数上看都是一样的，那为什么会出现两款一样而型号又不一样的整流桥呢，ASEMI整流桥KBP307和KBP310有何不同？其实这两款型号可以说是一模一样的，唯一的区别就在于最后两个数字07和10上，大 阅读全文
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编辑-Z KBP210整流桥电路设计要注意什么 当使用桥式整流电路KBP210从交流输入提供直流输出时，需要注意以下几点： 电压降：不要忘记流过桥式整流电路KBP210的电流要经过两个二极管。结果，输出电压将下降这个量。由于KBP210桥式整流器电路使用硅二极管，因此该压降为1.1伏，并随电流增加。 阅读全文
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编辑-Z ASEMI整流桥KBL610参数： 型号：KBL610 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：6.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的 阅读全文
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编辑-Z 顾名思义，整流桥主要用于输入整流，即将输入的交流电整流成输出的直流电；为此也分为全波整流和半波整流。从整流桥的结构来看，全波整流相当于四个二极管，而半波整流相当于两个二极管，而KBL410就是属于全波整流。那么ASEMI整流桥KBL410选型，选择KBL410要注意什么呢？ ASEMI整流 阅读全文
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编辑-Z KBL406在KBL-4/DIP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款整流扁桥。KBL406的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBL406采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBL406的电性参数是：正向 阅读全文
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编辑-Z ASEMI肖特基二极管10V45参数： 型号：10V45 最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：31.5V 最大直流阻断电压（VDC）：45V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热 阅读全文
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编辑-Z 被测管是一个带三个引脚的MBR60200PT肖特基管，引脚从左到右按正面（字面向人）编号为①、②、③。ASEMI-MBR60200PT肖特基二极管正向压降怎么测？选择500型万用表R×1档进行测量，如下： 肖特基二极管MBR60200PT测试结论： 第一、根据可测出①-②、③-②之间的正向 阅读全文
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编辑-Z MBR10100DC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款肖特基二极管。MBR10100DC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100DC采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR101 阅读全文