强元芯

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥KBU2510参数： 型号：KBU2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热 阅读全文

摘要： 编辑-Z GBPC1510在GBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款单相整流方桥。GBPC1510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBPC1510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBPC1510的电 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBPC610在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款小体方桥。KBPC610的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC610采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC610的电性参数是：正 阅读全文

摘要： 编辑-Z 想知道KBPC5010整流桥接线方法吗？在了解他的接线方法之前，不妨先了解一下KBPC5010是怎么测量好坏的，测量好坏的重要性不亚于接线方法！ KBPC5010参数描述 型号：KBPC5010 封装：KBPC-4 特性：单相整流方桥 电性参数：50A 1000V 芯片材质：光阻GPP 正 阅读全文

摘要： 编辑-Z D92-03在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超低压降低功耗快恢复二极管。D92-03的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。D92-03采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。D92-03的电性参 阅读全文

摘要： 编辑-Z 因为整流模块MDS100-16的额定电流和反向耐压非常大，很多大功率的设备都可以使用，所以MDS100-16的应用非常广泛，也是整流模块我们经常看到的原因。今天我们来聊聊ASEMI整流模块MDS100-16如何测好坏？首先我们来看看它的具体参数和形状： 型号：MDS100-16 封装：MD 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流模块MDQ100-16参数： 型号：MDQ100-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大直流阻断电压（VDC）：1600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：100A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：920A a 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBPC3506在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是160MIL，是一款单相整流方桥。KBPC3506的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC3506采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC3506的 阅读全文

摘要： 编辑-Z GBU406~GBU410系列在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款薄体扁桥。GBU406~GBU410的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU406~GBU410系列都是采用光阻GPP硅芯片材质，里面有 阅读全文

摘要： 编辑-Z GBP406~GBP410系列在GBP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是74MIL，是一款内置GPP扁桥。GBP406~GBP410的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP406~GBP410系列都是采用光阻GPP硅芯片材质 阅读全文