摘要:
编辑-Z MBR30300FCT在TO-220F封装里采用的2个芯片,是一款高压大电流肖特基二极管。MBR30300FCT的浪涌电流Ifsm为180A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MBR30300FCT采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR30300F 阅读全文
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编辑-Z MBR30300CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片,是一款30A 300V肖特基二极管。MBR30300CT的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为0.1mA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR30300CT采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR303 阅读全文
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编辑-Z 肖特基势垒二极管MBR20300FCT的VI特性: 从VI特性可以看出,肖特基势垒二极管MBR20300FCT的VI特性与普通PN结二极管相似,但仍存在以下区别。 肖特基势垒二极管的正向压降低于普通PN结二极管。由硅制成的肖特基势垒二极管的正向压降呈现出0.3伏至0.5伏的正向压降。 正向 阅读全文
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编辑-Z MBR20300CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片,是一款高压大电流肖特基二极管。MBR20300CT的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为0.1mA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20300CT采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR20300C 阅读全文
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编辑-Z MUR60120PT在TO-247封装里采用的2个芯片,是一款大功率高耐压整流二极管。MUR60120PT的浪涌电流Ifsm为600A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MUR60120PT采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MUR60120PT的电 阅读全文
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编辑-Z ASE60DQ120BG是一种将交流电能转换为直流电能的半导体器件。通常它包含一个带有正负端子的PN结,二极管最重要的特性是单向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,从负极流出。那么ASEMI整流二极管ASE60DQ120BG怎么选用和代换呢? ASE60DQ120BG的选用: 整 阅读全文
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编辑-Z APT60DQ120BG在TO-247封装里采用的2个芯片,是一款大功率高耐压整流二极管。APT60DQ120BG的浪涌电流Ifsm为540A,漏电流(Ir)为100uA,其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。APT60DQ120BG采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。APT60 阅读全文
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编辑-Z AMS1117-5.0是一款正向低压差稳压器,在1A电流时压降为1.2V。AMS1117有两个版本:固定输出版本和可调版本,固定输出电压为1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.0V、3.3V、5.0V,精度为1%;固定输出电压为1.2V的准确度为2%。AMS1117-5.0集成过热 阅读全文
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编辑-Z AMS1117-3.3是一款输出电压为3.3V的正向低压差稳压器,适用于高效线性稳压器、开关电源稳压器、电池充电器、有源小型计算机系统接口端子、笔记本电脑供电仪器的电源管理电池。下面给大家介绍ASEMI线性稳压电源芯片AMS1117-3.3参数及接线电路图。 基本参数: 绝对最大额定值: 阅读全文
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编辑-Z 整流桥又称桥堆,是由2个或4个二极管组成的整流器件。这种桥堆主要包括半桥和全桥两种,半桥可分为正半桥和负半桥两类别。GBPC2510整流桥是属于桥式全桥,那么ASEMI整流桥GBPC2510的作用是什么? 选择GBPC2510整流桥时,要注意整流电路和工作电压。整流桥堆GBPC2510通常 阅读全文