摘要：
编辑-Z SF1004在TO-220AB封装里采用的1个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款超快恢复二极管。SF1004的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。SF1004采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SF1004的电性参数是：正向 阅读全文
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编辑-Z MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高，而栅极和源极之间的电容很小，很容易被外界电磁场或静电的感应充电，少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压，会损坏管子。因此，60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起，或装在金属箔内，使G极和S极等电位，以防止静电荷的积累 阅读全文
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编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8. 阅读全文
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编辑-Z ASEMI大功率MOS管90N10参数： 型号：90N10 漏源电压（VDSS）：100V 连续漏极电流（ID）：90A 栅源电压（VGSS）：±20V 功耗（PD）：125W 漏源漏电流（IDSS）：100uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：8 阅读全文
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编辑-Z 根据其应用方式，MOS管25N120的主要作用是： 1、做放大管； 2、做高速管； 3、做电流镜管； 4、做开关。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-247 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 集电极电流（IC）：25A 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 阅读全文
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编辑-Z ASEMI的MOS管24N50参数： 型号：24N50 漏源电压（VDSS）：500V 连续漏极电流（ID）：24A 栅源电压（VGSS）：±30V 功耗（PD）：290W 漏源漏电流（IDSS）：50uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.24 阅读全文
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编辑-Z 20N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。20N10的脉冲正向电流ISM为60A，连续漏极电流(ID)为20A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.12Ω。 阅读全文
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编辑-Z ASEMI场效应管12N65参数： 型号：12N65 漏源电压（VDSS）：650V 连续漏极电流（ID）：12A 栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V 功耗（PD）：140W 漏源漏电流（IDSS）：10uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）： 阅读全文
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编辑-Z 10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。 阅读全文
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编辑-Z ASEMI的MOS管9N90参数： 型号：9N90 漏源电压（VDSS）：900V 栅源电压（VGSS）：±30V 连续漏极电流（ID）：9.0A 脉冲漏极电流（IDM）：36A 功耗（PD）：49W 漏源漏电流（IDSS）：10uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V 静态漏源导通电阻 阅读全文