摘要:
编辑-Z SF1004在TO-220AB封装里采用的1个芯片,其尺寸都是86MIL,是一款超快恢复二极管。SF1004的浪涌电流Ifsm为100A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。SF1004采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。SF1004的电性参数是:正向 阅读全文
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编辑-Z MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累 阅读全文
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编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A,连续漏极电流(ID)为100A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8. 阅读全文
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编辑-Z ASEMI大功率MOS管90N10参数: 型号:90N10 漏源电压(VDSS):100V 连续漏极电流(ID):90A 栅源电压(VGSS):±20V 功耗(PD):125W 漏源漏电流(IDSS):100uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):3V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):8 阅读全文
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编辑-Z 根据其应用方式,MOS管25N120的主要作用是: 1、做放大管; 2、做高速管; 3、做电流镜管; 4、做开关。 25N120参数描述 型号:25N120 封装:TO-247 集电极-发射极电压(VCES):1200V 集电极电流(IC):25A 栅极-发射极电压(VGES):±20V 阅读全文
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编辑-Z ASEMI的MOS管24N50参数: 型号:24N50 漏源电压(VDSS):500V 连续漏极电流(ID):24A 栅源电压(VGSS):±30V 功耗(PD):290W 漏源漏电流(IDSS):50uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):4V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.24 阅读全文
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编辑-Z 20N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款中小功率MOS管。20N10的脉冲正向电流ISM为60A,连续漏极电流(ID)为20A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.12Ω。 阅读全文
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编辑-Z ASEMI场效应管12N65参数: 型号:12N65 漏源电压(VDSS):650V 连续漏极电流(ID):12A 栅极阈值电压(VGS(TH)):±30V 功耗(PD):140W 漏源漏电流(IDSS):10uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):4V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)): 阅读全文
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编辑-Z ASEMI的MOS管9N90参数: 型号:9N90 漏源电压(VDSS):900V 栅源电压(VGSS):±30V 连续漏极电流(ID):9.0A 脉冲漏极电流(IDM):36A 功耗(PD):49W 漏源漏电流(IDSS):10uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):3V 静态漏源导通电阻 阅读全文
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编辑-Z 10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A,连续漏极电流(ID)为10A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。 阅读全文