强元芯

摘要： 编辑-Z KBU1510在KBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款薄体扁桥电源专用15A整流桥。KBU1510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBU1510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBU15 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥RS210参数： 型号：RS210 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热阻（Re 阅读全文

摘要： 编辑-Z 50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压u1，再通过输入滤波电容得到直流高压U1。理想情况下，整流桥DB207的导通角应为180°（导通范围为0°到180°），但由于滤波电容C的作用，只能在很短的时间内接近交流峰值电压，输入电流才流过整流桥给C充电。50Hz交流电的半周期为10ms， 阅读全文

摘要： 编辑-Z RB157在WOB-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款整流圆桥。RB157的浪涌电流Ifsm为50A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RB157采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RB157的电性参数是：正向电流(Io)为1.5A 阅读全文

摘要： 编辑-Z LB10S在LBS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款贴片整流桥。LB10S的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。LB10S采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。LB10S的电性参数是：正向电流(Io)为1A， 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥HD06参数： 型号：HD06 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：0.8~1A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJA 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥UMB10F参数： 型号：UMB10F 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ 阅读全文

摘要： 编辑-Z MB10M在MBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款插件整流桥。MB10M的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10M采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB10M的电性参数是：正向电流(Io)为1A 阅读全文

摘要： 编辑-Z 由六个整流二极管组成的电路称为三相整流桥电路。提到三相整流桥的出现，是因为功率的增加和要求的提高。 在了解ASEMI三相整流桥的工作原理之前，首先要知道三相整流桥是如何组成的。如下图所示，三相整流桥接6个整流二极管，二极管的特性：正极电位高于负极，则二极管导通；当正极电位低于负极时，二极管 阅读全文

摘要： 编辑-Z 场效应晶体管又称场效应管，简称FET，大功率场效应管是一种半导体放大器件。场效应管不仅具有晶体管体积小、省电、耐用等优点。具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、功耗低、动态范围大、安全工作区宽等优点。下面是ASEMI大功率场效应管和三极管的区别。 大功率场效应管与三极管的比较 大功率场效应管 阅读全文