强元芯

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥GBU8M参数： 型号：GBU8M 最大重复峰值反向电压（VRRM）：800V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：560V 最大直流阻断电压（VDC）：800V 最大平均正向整流输出电流（IF）：8.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJ 阅读全文

摘要： 编辑-Z GBU8K在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款超薄整流扁桥。GBU8K的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU8K采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBU8K的电性参数是：正向电流(Io)为 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管ES5JB参数： 型号：ES5JB 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：5.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ 阅读全文

摘要： 编辑-Z GS5MB在SMB封装里采用的1个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款小电流，贴片整流二极管。GS5MB的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GS5MB采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。GS5MB的电性参数是：正向电流(I 阅读全文

摘要： 编辑-Z US1MF在SMA-F封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款贴片快恢复二极管。US1MF的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。US1MF采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。US1MF的电性参数是：正向电流(Io)为1 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管GS1MF参数： 型号：GS1MF 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管U1M参数： 型号：U1M 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：800V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJ 阅读全文

摘要： 编辑-Z DHE1M在SOD-123封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款高效恢复二极管。DHE1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DHE1M采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。DHE1M的电性参数是：正向电流(Io) 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI光伏二极管GMK3045参数： 型号：GMK3045 重复峰值反向电压（VRRM）：45V 最大有效值电压（VRMS）：31.5V 平均整流输出电流（IO）：30A 浪涌（非重复）正向电流（IFSM）：600A 热阻（典型值）（ReJA）：1.5℃/W 储存温度范围（Tstg）： 阅读全文

摘要： 编辑-Z TPA3045是一款光伏逆变器二极管。TPA3045的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~200摄氏度。TPA3045采用肖特基势垒芯片，典型热阻（ReJA）为0.8℃/W。TPA3045的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为45 阅读全文