强元芯

摘要： 编辑-Z MUR1100在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款快恢复二极管。MUR1100的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1100采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR1100的电性参数是：正向电 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管FR257参数： 型号：FR257 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.5A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：100A 每个元件的典型热 阅读全文

摘要： 编辑-Z UF5408在DO-27封装里采用的1个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款高效恢复二极管。UF5408的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UF5408采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。UF5408的电性参数是：正向电流( 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管RL257参数： 型号：RL257 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.5A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管ES8JC参数： 型号：ES8JC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：8.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A 每个元件的典型热阻（ 阅读全文

摘要： 编辑-Z RS3MB在SMB封装里采用的1个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款小电流，贴片快恢复二极管。RS3MB的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS3MB采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。RS3MB的电性参数是：正向电流(I 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI新能源快恢复桥EGBJ5006/HGBJ5006参数： 型号：EGBJ5006/HGBJ5006 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 反向击穿电压（VB）：620V 平均整流输出电流（IO）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM 阅读全文

摘要： 编辑-Z MR760在BUTTON封装里采用的1个芯片，是一款高压大电流整流二极管。MR760的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为25uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MR760采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MR760的电性参数是：正向电流(Io)为6A，反向耐压 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流二极管MR754参数： 型号：MR754 最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：280V 最大直流阻断电压（VDC）：400V 最大平均正向整流输出电流（IF）：6.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 工作结和储存温度范围（ 阅读全文

摘要： 编辑-Z MR756在BUTTON封装里采用的1个芯片，是一款汽车用整流二极管。MR756的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为25uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MR756采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MR756的电性参数是：正向电流(Io)为6A，反向耐压为6 阅读全文