强元芯

摘要： 编辑-Z ON/安森美NVHL040N65S3F车规级MOS管参数： 型号：NVHL040N65S3F 连续漏极电流（ID）：65A 功耗（Ptot）：446W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：3V 零栅 阅读全文

摘要： 编辑-Z ON/安森美FCH041N65F车规级MOS管参数： 型号：FCH041N65F 连续漏极电流（ID）：76A 功耗（Ptot）：595W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：5V 零栅极电压漏极电 阅读全文

摘要： 编辑-Z IPW65R080CFDA英飞凌MOS管参数： 型号：IPW65R080CFDA 连续漏极电流（ID）：137A 功耗（Ptot）：391W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏极 阅读全文

摘要： 编辑-Z IPW65R110CFDA英飞凌MOS管参数： 型号：IPW65R110CFDA 连续漏极电流（ID）：99.6A 功耗（Ptot）：277.8W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电 阅读全文

摘要： 编辑-Z IPW65R150CFDA英飞凌MOS管参数： 型号：IPW65R150CFDA 连续漏极电流（ID）：72A 功耗（Ptot）：195.3W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏 阅读全文

摘要： 编辑-Z IPW60R017C7英飞凌MOS管参数： 型号：IPW60R017C7 连续漏极电流（ID）：109A 功耗（Ptot）：446W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：600V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏极电流（I 阅读全文

摘要： 编辑-Z 肖特基二极管MBR30300VCT在生活电子领域的应用是相当普遍的，它基本上可以在大多数电子线路中运用，虽说是那样一小个半导体元器件，可是具有非常重要的作用，下面来看看MBR30300VCT-ASEMI肖特基二极管有什么用吧？了解了它的作用这样才能更好的去使用。 MBR30300VCT参数 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI-B7整流桥输出是几伏？桥式整流后的电压为310V。 220V交流电源经桥式全波整流后，输出直流电压为输入交流电压的0.9倍，约为198V。如果输出部分接滤波电容，则输出空载直流电压约为输入交流电压的√2倍，约为310V。整流后的电压由变压器的容量、滤波电容的大小和负载电流的大小 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR30300VPT采用的是TO-220AB封装，是一款大电流肖特基二极管。MBR30300VPT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为20uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR30300VPT采用GPP硅芯片材质。MBR30300VPT的电性参数是：正向电流(I 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI快恢复二极管SFP4006参数： 型号：SFP4006 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 工作结和储存温 阅读全文