强元芯

摘要： 编辑-Z ST/意法STTH1506DPI车规FRD参数： 型号：STTH1506DPI 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：15A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：130A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢150℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to ﹢1 阅读全文

摘要： 编辑-Z 意法STTH60RQ06-Y汽车级快恢复二极管参数： 型号：STTH60RQ06-Y 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：60A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：425A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢175℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to 阅读全文

摘要： 编辑-Z ST/意法STTH30ST06-Y车规FRD参数： 型号：STTH30ST06-Y 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：30A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：160A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢175℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to 阅读全文

摘要： 编辑-Z ST/意法STTH6010-Y车规快恢复二极管参数： 型号：STTH6010-Y 重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 平均正向电流（IF）：60A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：400A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢175℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to 阅读全文

摘要： 编辑-Z IXYS/艾赛斯DS145-16A车规FRD参数： 型号：DS145-16A 最大重复反向闭锁电压（VRRM）：1600V 反向电流，漏电流（IR）：40uA 正向电压降（VF）：1.26V 平均正向电流（IF）：45A 总功耗（Ptot）：270W 最大正向浪涌电流（IFSM）：480A 阅读全文

摘要： 编辑-Z Infineon/英飞凌AIGW50N65H5车规级IGBT参数： 型号：AIGW50N65H5 脉冲集电极电流（ICpuls）：150A 功耗（Ptot）：270W 工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃ 储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃ 集电极-发射极电压（VCE）：65 阅读全文

摘要： 编辑-Z 英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT参数： 型号：AIGW40N65H5 脉冲集电极电流（ICpuls）：120A 功耗（Ptot）：250W 工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃ 储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃ 集电极-发射极电压（VCE）：650V G−E阈值电 阅读全文

摘要： 编辑-Z ON/安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数： 型号：FGH40N60SMD 二极管正向电流（IF）：40A 功耗（Ptot）：349W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 175℃ 集电极到发射极电压（VCES）：600V G−E阈值电压VGE(th)：4.5V 集 阅读全文

摘要： 编辑-Z ST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数： 型号：STW78N65M5 连续漏极电流（ID）：69A 功耗（Ptot）：450W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏极 阅读全文

摘要： 编辑-Z ST/意法STW43NM60ND车规级MOS管参数： 型号：STW43NM60ND 连续漏极电流（ID）：35A 功耗（Ptot）：255W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：600V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏极 阅读全文