强元芯

摘要： 编辑-Z AIGW40N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW40N65H5的功耗（Ptot）为250W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW40N65H5的输入电容（Ciss）为 阅读全文

摘要： 编辑-Z FGH40N60SMD用的TO-247封装，是安森美一款汽车级IGBT管。FGH40N60SMD的功耗（Ptot）为349W，集电极截止电流（ICES）为250uA，G−E漏电流（IGES）为±400nA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。FGH40N60SMD的输入电容（Ciss 阅读全文

摘要： 编辑-Z STW78N65M5用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容（Ciss 阅读全文

摘要： 编辑-Z STW43NM60ND用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW43NM60ND的漏源导通电阻RDS(on)为0.075Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW43NM60ND的输入电容（ 阅读全文

摘要： 编辑-Z 随着车规级mos管的应用得到全面推广，在不同工作环境中广泛应用的普及，这导致生产加工行业受到发展的带动，各种不同类型的品种层出不穷，为了工作中具有强大的优势和特点，安森美车规级mos管NVHL040N65S3F怎么选型？安森美一级代理强元芯电子建议在选择型号NVHL040N65S3F时需要 阅读全文

摘要： 编辑-Z FCH041N65F用的TO-247封装，是安森美一款汽车级MOS管。FCH041N65F的漏源导通电阻RDS(on)为36mΩ，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FCH041N65F的输入电容（Ciss 阅读全文

摘要： 编辑-Z IPW65R080CFDA用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级MOS管。IPW65R080CFDA的漏源导通电阻RDS(on)为0.072Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为2uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。IPW65R080CFDA 阅读全文

摘要： 编辑-Z 英飞凌的IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA都是汽车级MOS管，他们的封装都是TO-247的，本体长度都是21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。下面是IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA 阅读全文

摘要： 编辑-Z ST/意法STTH15RQ06-Y车规FRD参数： 型号：STTH15RQ06-Y 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：15A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：120A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢175℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to 阅读全文

摘要： 编辑-Z ON/安森美ISL9R3060G2车规FRD参数： 型号：ISL9R3060G2 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：30A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：325A 功耗（PD）：200W 操作和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 ~ 175℃ 反向漏电流 阅读全文