强元芯

摘要： 编辑-Z 1N5822在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是32MIL，是一款轴向低压降肖特基二极管。1N5822的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为2.0mA，其工作时耐温度范围为-65~125摄氏度。1N5822采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N5822的电性参数是：正向 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管20V45参数： 型号：20V45 最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：31.5V 最大直流阻断电压（VDC）：45V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（Re 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SS210L参数： 型号：SS210L 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V 最大直流阻断电压（VDC）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A 每个元件的典型热阻（ 阅读全文

摘要： 编辑-Z SS310L在SMA封装里采用的2个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款低压降肖特基二极管。SS310L的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SS310L采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SS310L的电性参数是：正向电流( 阅读全文

摘要： 编辑-Z STTH15RQ06-Y用的TO-220-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH15RQ06-Y的反向漏电流（IR）为20uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。STTH15RQ06-Y的浪涌非重复正向电流（IFSM）为120A，反向恢复时间（trr）为25ns。S 阅读全文

摘要： 编辑-Z STTH1506DPI用的TO-3P-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH1506DPI的反向漏电流（IR）为20uA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。STTH1506DPI的浪涌非重复正向电流（IFSM）为130A，反向恢复时间（trr）为16ns。STTH1 阅读全文

摘要： 编辑-Z STTH30ST06-Y用的TO-247-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH30ST06-Y的反向漏电流（IR）为50uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。STTH30ST06-Y的浪涌非重复正向电流（IFSM）为160A，反向恢复时间（trr）为39ns。S 阅读全文

摘要： 编辑-Z STTH6010-Y用的TO-247-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH6010-Y的反向电流，漏电流（IR）为20uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。STTH6010-Y的浪涌非重复正向电流（IFSM）为400A，反向恢复时间（trr）为115ns。STT 阅读全文

摘要： 编辑-Z DS145-16A用的TO-247-2封装，是艾赛斯一款汽车用超快恢复高压二极管。DS145-16A的总功耗（Ptot）为270W，反向电流，漏电流（IR）为40uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。DS145-16A的结电容（CJ）为18pF，最大正向浪涌电流（IFSM）为48 阅读全文

摘要： 编辑-Z AIGW50N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为 阅读全文