强元芯

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB30100LCT参数： 型号：SB30100LCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG） 阅读全文

摘要： 编辑-Z SBT40100VFCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款塑封肖特基二极管。SBT40100VFCT的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VFCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗 阅读全文

摘要： 编辑-Z SB20100LFCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是82MIL，是一款半塑封肖特基二极管。SB20100LFCT的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为6uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SB20100LFCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10200AC参数： 型号：MBR10200AC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR10200FAC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR10200FAC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FAC采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB40100LCT参数： 型号：SB40100LCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：- 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR15200AC参数： 型号：MBR15200AC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：15A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：175A 每 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR15200FAC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR15200FAC的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR15200FAC采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR16200CT参数： 型号：MBR16200CT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：16A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR16200FCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR16200FCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR16200FCT采用GPP硅芯片材质，里面有2 阅读全文