强元芯

摘要： 编辑-Z SBT10100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是62MIL，是一款低压降贴片肖特基二极管。SBT10100VDC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为4uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT10100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT20100VDC参数： 型号：SBT20100VDC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG） 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR30200PT参数： 型号：MBR30200PT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG） 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR40200PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是130MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR40200PT的浪涌电流Ifsm为350A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR40200PT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MB 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10200CT参数： 型号：MBR10200CT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：- 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR30100CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是122MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR30100CT的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30100CT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT10100VCT参数： 型号：SBT10100VCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG） 阅读全文

摘要： 编辑-Z SBT30100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT30100VCT的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯 阅读全文

摘要： 编辑-Z SBT40100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT40100VCT的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VCT采用金属硅芯片材质，里面有2 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB20100LCT参数： 型号：SB20100LCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG） 阅读全文