强元芯

摘要： 编辑-Z 艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1参数： 型号：IXYB82N120C3H1 漏极-源极电压（VCES）：1200V 连续漏电流（IC）：82A 功耗（PC）：1040W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA 输入电容（CISS） 阅读全文

摘要： 编辑-Z 艾赛斯硅肖特基二极管DSA300I100NA参数： 型号：DSA300I100NA 最大重复反向阻断电压（VRRM）：100V 反向电流、漏极电流（IR）：3mA 正向电压降（VF）：0.99V 平均正向电流（IF）：300A 总功耗（Ptot）：830W 最大正向浪涌电流（IFSM）：4 阅读全文

摘要： 编辑-Z 艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数： 型号：IXFK32N100P 漏极-源极电压（VDS）：1000V 连续漏电流（ID）：32A 功耗（PD）：960W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：50uA 漏极源导通电阻RDS(ON)：3 阅读全文

摘要： 编辑-Z 艾赛斯整流二极管DSP25-12A参数： 型号：DSP25-12A 最大重复反向阻断电压（VRRM）：1200V 反向电流、漏极电流（IR）：40uA 正向电压降（VF）：1.23V 平均正向电流（IF）：25A 总功耗（Ptot）：160W 最大正向浪涌电流（IFSM）：300A 结电容 阅读全文

摘要： 编辑-Z 艾赛斯车规级MOS管IXTY02N50D-TRL参数： 型号：IXTY02N50D-TRL 漏极-源极电压（VDS）：500V 连续漏电流（ID）：200mA 功耗（PD）：25W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA 漏极源导通电阻RDS 阅读全文

摘要： 编辑-Z 力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数： 型号：LSIC1MO120E0080 漏极-源极电压（VDS）：1200V 连续漏电流（ID）：25A 功耗（PD）：214W 工作结温度（TJ）：-55 to +175℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA 漏极源导通电阻RDS 阅读全文

摘要： 编辑-Z 力特碳化硅肖特基二极管LSIC2SD120A05参数： 型号：LSIC2SD120A05 重复峰值反向电压（VRRM）：1200V 连续正向电流（IF）：5A 非重复正向浪涌电流（IFSM）：40A 功耗（PTot）：100W 工作结温度（TJ）：-55 to 175℃ 正向电压（VF）： 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥UD6KB100参数： 型号：UD6KB100 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V RMS反向电压VR(RMS)：700 平均整流输出电流（IO）：6A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：125A 每个元件的典型热阻（ReJA）：35℃/W 工作结和储存温度范围（TJ 阅读全文

摘要： 编辑-Z UD4KB100在D3K封装里采用的4个芯片，其尺寸都是72MIL，是一款智能家居专用整流桥。UD4KB100的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UD4KB100采用光阻GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。UD4KB100的电性 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥D3KB100参数： 型号：D3KB100 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V RMS反向电压VR(RMS)：700 平均整流输出电流（IO）：3A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热阻（ReJA）：35℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, T 阅读全文