强元芯

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR30100CT参数： 型号：MBR30100CT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG） 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT30100VCT参数： 型号：SBT30100VCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG） 阅读全文

摘要： 编辑-Z SB30100LCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款插件肖特基二极管。SB30100LCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为12uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SB30100LCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SB3 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT40100VFCT参数： 型号：SBT40100VFCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TST 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR10200AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR10200AC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200AC采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。 阅读全文

摘要： 编辑-Z SB40100LCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款大功率肖特基二极管。SB40100LCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为40uA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。SB40100LCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。S 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR15200FAC参数： 型号：MBR15200FAC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：15A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：175A 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR16200CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR16200CT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR16200CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管1N5822参数： 型号：1N5822 最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：28V 最大直流阻断电压（VDC）：40V 最大平均正向整流输出电流（IF）：3.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（Re 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SS310L参数： 型号：SS310L 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V 最大直流阻断电压（VDC）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：3.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（ 阅读全文