强元芯

摘要： 编辑-Z GBJ406整流桥型号及参数，ASEMI整流扁桥GBJ406电性参数为4A反向电压600V；浪涌电流Ifsm为120A；工作温度为：-55℃~150℃；采用台湾进GPP芯片中有4个芯片，芯片尺寸84MIL。 GBJ406参数描述 型号：GBJ406 封装：GBJ-4 电性参数：4A 600 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥KBL406参数： 型号：KBL406 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：4.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（R 阅读全文

摘要： 编辑-Z 俗话说，时势造英雄，整流桥大军中有一款整流桥KBL410有哪些你所不知道的？KBL410是什么元器件？kbl410整流桥参数是多少？ KBL410参数描述 型号：KBL410 封装：KBL-4 电性参数：4A 1000V 芯片材质：光阻GPP 正向电流(Io)：4A 芯片个数：4 正向电压 阅读全文

摘要： 编辑-Z KBP310在KBP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款3A 1000V插件整流桥。KBP310的浪涌电流Ifsm为60A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBP310采用光阻GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBP310的电性参数是 阅读全文

摘要： 编辑-Z UD6KB100在D3K封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款适配充电器整流桥。UD6KB100的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UD6KB100采用金属硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。UD6KB100的电性参数是 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI整流桥UD4KB100参数： 型号：UD4KB100 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：4A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：125A 每个元件的典型热阻（ReJA）：35℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT10100VDC参数： 型号：SBT10100VDC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG） 阅读全文

摘要： 编辑-Z SBT20100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是87MIL，是一款超低压降 低功耗肖特基二极管。SBT20100VDC的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为6uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT20100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片 阅读全文

摘要： 编辑-Z MBR30200PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是122MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR30200PT的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30200PT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MB 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR40200PT参数： 型号：MBR40200PT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG） 阅读全文