强元芯

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管4N65SE参数： 型号：4N65SE 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：4A 功耗（PD）：50W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：2.5Ω 二极管正向电压（VSD）： 阅读全文

摘要： 编辑-Z 安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数： 型号：FGH60N60SFD 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 二极管正向电流（IF）：60A 最大功耗（PD）：378W 工作结温度（TJ）：−55 to +15 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。A 阅读全文

摘要： 编辑-Z 安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数： 型号：FGH60N60SMD 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A 最大功耗（PD）：600W 储存温度范围（TSTG）：− 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI中低压MOS管18N20参数： 型号：18N20 漏极-源极电压（VDS）：200V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流（ID）：18A 功耗（PD）：83W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.18Ω 二极管正向电压（VSD 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASE12N65SE在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE12N65SE的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE12N65SE功耗（P 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI中低压MOS管ASE60N10参数： 型号：ASE60N10 漏极-源极电压（VDS）：100V 栅源电压（VGS）：±20V 漏极电流（ID）：60A 功耗（PD）：160W 储存温度（Tstg）：-55 to 175℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ 二极管正向 阅读全文

摘要： 编辑-Z 20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗（PD）为239W。20N65的电 阅读全文

摘要： 编辑-Z 安森美FGH60N60车规级IGBT参数： 型号：FGH60N60 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 二极管正向电流（IF）：60A 最大功耗（PD）：600W 工作结温度（TJ）：−55 to +175℃ 集电 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI低压MOS管AO3401参数： 型号：AO3401 封装：SOT-23 漏极-源极电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 接头和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150 阅读全文