强元芯

摘要： 编辑-Z ASE0510SH在SOT-89封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为140mΩ，是一款N沟道中低压MOS管。ASE0510SH的最大脉冲正向电流ISM为15A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE0510SH功耗（PD）为2W。 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管ASE65R330参数： 型号：ASE65R330 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：12.5A 功耗（PD）：30.9W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：330mΩ 二 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASE140N04在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为4mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE140N04的最大脉冲正向电流ISM为400A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE140N04功耗（PD）为100W 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管60R380参数： 型号：60R380 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：11A 功耗（PD）：65W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.38Ω 二极管正向电压（VSD 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASE50N06在TO-252-2L封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为15mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE50N06的最大脉冲正向电流ISM为200A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE50N06功耗（PD）为85W。 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI低压MOS管ASE50N03参数： 型号：ASE50N03 漏极-源极电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：50A 功耗（PD）：60W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：5.8mΩ 二极管正向电压（ 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE功耗（PD）为50W 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数： 型号：ASE20N65SE 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω 二极 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。AS 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI低压MOS管50N06S参数： 型号：50N06S 漏极-源极电压（VDS）：60V 栅源电压（VGS）：25V 漏极电流（ID）：50A 功耗（PD）：85W 储存温度（Tstg）：-55 to 175℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：15mΩ 二极管正向电压（VSD）： 阅读全文