强元芯

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管7N65参数： 型号：7N65 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：7A 功耗（PD）：50W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.35Ω 二极管正向电压（VSD）：1.4 阅读全文

摘要： 编辑-Z 4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗（PD）为50W。4N65的电性参数是：正向电流 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管20N60参数： 型号：20N60 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.4Ω 二极管正向电压（VSD）： 阅读全文

摘要： 编辑-Z 16N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.2Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N60功耗（PD）为134.4W。16N60的电性参 阅读全文

摘要： 编辑-Z 12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.7Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N60功耗（PD）为125W。12N60的电性参数是： 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管10N60参数： 型号：10N60 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：10A 功耗（PD）：125W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.85Ω 二极管正向电压（VSD） 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管7N60参数： 型号：7N60 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：7A 功耗（PD）：125W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω 二极管正向电压（VSD）：1.5 阅读全文

摘要： 编辑-Z 4N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N60的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N60功耗（PD）为104W。4N60的电性参数是：正向电流 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI低压MOS管20N06参数： 型号：20N06 漏极-源极电压（VDS）：60V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：45W 储存温度（Tstg）：-55 to 175℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ 二极管正向电压（VSD）：1. 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASE40N50SH在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为100mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE40N50SH的最大脉冲正向电流ISM为160A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE40N50SH功耗（PD）为 阅读全文